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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7411DN-T1-E3 | - |  | 5353 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Si7411 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 7.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 19MOHM @ 11.4A, 4,5 V | 1v @ 300µA | 41 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.5W (TA) | |||||
 | Sira00dp-t1-re3 | 0,7903 | | 2197 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira00 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 11700 pf @ 15 V | - | 104W (TC) | ||||||
 | SI2307CDS-T1-GE3 | 0,5100 | | 29 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2307 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3.5a (TC) | 4,5 V, 10V | 88MOHM @ 3,5A, 10V | 3V à 250µA | 6,2 NC @ 4,5 V | ± 20V | 340 pf @ 15 V | - | 1.1W (TA), 1.8W (TC) | ||||
 | SI1926DL-T1-GE3 | 0,4100 | | 112 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1926 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 510mw | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 60V | 370mA | 1,4 ohm @ 340mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | 1.4NC @ 10V | 18.5pf @ 30v | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | IRFS9N60A | - | | 8102 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRFS9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFS9N60A | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||
 | Siz340dt-t1-ge3 | 0,9200 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Powerpair®, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | Siz340 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 16.7W, 31W | 8-Power33 (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 30a, 40a | 9.5MOHM @ 15.6A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 19nc @ 10v | 760pf @ 15v | - | |||||||
 | SQ3585EV-T1_GE3 | 3.6700 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SQ3585 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1 67W | 6 TSOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | 3,57A (TC), 2,5A (TC) | 77MOHM @ 1A, 4,5 V, 166MOHM @ 1A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 2.5nc @ 4,5 V, 3,5 NC @ 4,5 V | - | - | ||||||||
 | SIR582DP-T1-RE3 | 1.6600 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN V | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 28.9A (TA), 116A (TC) | 7,5 V, 10V | 3,4MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 3360 PF @ 40 V | - | 5.6W (TA), 92,5W (TC) | ||||||
 | Sihg22n60s-e3 | - | | 9881 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 22A (TC) | 190MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | 5620 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||
| SiHG80N60E-GE3 | 11.9600 | | 9998 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 80A (TC) | 10V | 30MOHM @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 443 NC @ 10 V | ± 30V | 6900 pf @ 100 V | - | 520W (TC) | |||||
| SI7860ADP-T1-E3 | - | | 9634 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7860 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 9.5MOHM @ 16A, 10V | 3V à 250µA | 18 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | |||||
 | Sia417dj-t1-ge3 | - | | 9100 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | SIA417 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 12A (TC) | 1,2 V, 4,5 V | 23MOHM @ 7A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 32 NC @ 5 V | ± 5V | 1600 pf @ 4 V | - | 3,5W (TA), 19W (TC) | ||||
 | SI5855DC-T1-E3 | - | | 2704 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5855 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 2.7A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 110MOHM @ 2,7A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 7,7 NC @ 4,5 V | ± 8v | Diode Schottky (isolé) | 1.1W (TA) | |||||
 | SiDR608EP-T1-RE3 | 2.6400 | | 3406 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8DC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIDR608EP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 45 V | 56A (TA), 228A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,2 mohm @ 20a, 10v | 2,3 V @ 250µA | 167 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 8900 pf @ 20 V | - | 7.5W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SI7540DP-T1-E3 | - | | 9589 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SI7540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 12V | 7.6a, 5.7a | 17MOHM @ 11.8A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 17nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Sud40n10-25-e3 | 3.1200 | | 3256 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 40A (TC) | 10V | 25MOHM @ 40A, 10V | 3V à 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | SI8451DB-T2-E1 | - | | 7660 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga | SI8451 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 Micro Foot ™ (1,5x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 10.8a (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 80MOHM @ 1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 24 NC @ 8 V | ± 8v | 750 pf @ 10 V | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | IRliz14gpbf | 1.9400 | | 1407 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | IRliz14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irliz14gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 8A (TC) | 4V, 5V | 200 mohm @ 4.8a, 5v | 2V à 250µA | 8,4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||
| Irfz44rstrr | - | | 7617 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz44 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 10V | 28MOHM @ 31A, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
 | SI4434DY-T1-E3 | 3 0000 | | 5766 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4434 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 250 V | 2.1A (TA) | 6v, 10v | 155MOHM @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1 56W (TA) | ||||||
 | Irfr010tr | - | | 3899 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 50 V | 8.2a (TC) | 10V | 200 mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||
 | SI1016CX-T1-GE3 | 0 4700 | | 1941 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SI1016 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 220mw | SC-89 (SOT-563F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | - | 396MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1V @ 250µA | 2NC @ 4,5 V | 43pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Irf840lcspbf | 1.5567 | | 8924 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
| Irfbe30strr | - | | 9364 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbe30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5A, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | Sup90n15-18p-e3 | - | | 4416 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 150 V | 90a (TC) | 10V | 18MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 4180 PF @ 75 V | - | 3 75W (TA), 375W (TC) | ||||
| Irfpe50pbf | 4.8500 | | 175 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfpe50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfpe50pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 800 V | 7.8a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 4,7a, 10v | 4V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
| Sir106dp-t1-re3 | 1.7800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir106 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 16.1A (TA), 65,8A (TC) | 7,5 V, 10V | 8MOHM @ 15A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3610 PF @ 50 V | - | 3.2W (TA), 83,3W (TC) | |||||
 | SQP120N06-3M5L_GE3 | - | | 1739 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | SQP120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,5 mohm @ 30a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 330 NC @ 10 V | ± 20V | 14700 PF @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||
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