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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irlz14strl | - |  | 6846 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irlz14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 10A (TC) | 4V, 5V | 200 mohm @ 6a, 5v | 2V à 250µA | 8,4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | IRFI840G | - | | 4585 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFI840G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 4.6a (TC) | 10V | 850mohm @ 2,8a, 10v | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||
 | SI6562CDQ-T1-BE3 | 1.0200 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6562 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W (TA), 1,6W (TC), 1,2W (TA), 1,7W (TC) | 8-TSSOP | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI6562CDQ-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | 5.7A (TA), 6.7A (TC), 5.1A (TA), 6.1A (TC) | 22MOHM @ 5.7A, 4,5 V, 30MOHM @ 5.1A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 23nc @ 10v, 51nc @ 10v | 850pf @ 10v, 1200pf @ 10v | - | |||||||
| Irfz14strr | - | | 7497 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 10A (TC) | 10V | 200 mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SIHF12N60E-E3 | 2.8200 | | 8175 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Sihf12 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Sihf12n60ee3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 12A (TC) | 10V | 380MOHM @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 937 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | ||||
 | SI4442DY-T1-GE3 | 1.5780 | | 6018 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4442 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 15A (TA) | 2,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 22a, 10v | 1,5 V @ 250µA | 50 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.6W (TA) | ||||||
 | SI6993DQ-T1-GE3 | - | | 8483 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6993 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 30V | 3.6a | 31MOHM @ 4.7A, 10V | 3V à 250µA | 20nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| SI4831BDY-T1-GE3 | - | | 2412 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4831 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 6.6a (TC) | 4,5 V, 10V | 42MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 625 PF @ 15 V | Diode Schottky (isolé) | 2W (TA), 3,3W (TC) | ||||
| Irfz24strr | - | | 4910 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 17A (TC) | 10V | 100MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 PF @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
| Irfbe30strlpbf | 3 5800 | | 7632 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbe30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5A, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
| SI4834CDY-T1-GE3 | - | | 5791 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4834 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.9W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 8a | 20 mohm @ 8a, 10v | 3V @ 1MA | 25nc @ 10v | 950pf @ 15v | - | |||||||
 | SI3456DDV-T1-BE3 | 0,3900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 5A (TA), 6,3A (TC) | 4,5 V, 10V | 40 mohm @ 5a, 10v | 3V à 250µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 325 pf @ 15 V | - | 1.7W (TA), 2,7W (TC) | |||||||
 | Irfr9220trl | - | | 6528 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 200 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| IRL510STRR | - | | 4949 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540 mOhm @ 3,4a, 5v | 2V à 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
 | Sihg73n60ae-ge3 | 11.4800 | | 74 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg73 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 60a (TC) | 10V | 40MOHM @ 36,5A, 10V | 4V @ 250µA | 394 NC @ 10 V | ± 30V | 5500 pf @ 100 V | - | 417W (TC) | |||||
| Irfibc30g | - | | 9790 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfibc30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFIBC30G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 2.5a (TC) | 10V | 2,2 ohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 660 pf @ 25 V | - | 35W (TC) |
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