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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irf540strr | - |  | 8233 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77MOHM @ 17A, 10V | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SI7172DP-T1-GE3 | 2.8200 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7172 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 25a (TC) | 6v, 10v | 70MOHM @ 5.9A, 10V | 4V @ 250µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 2250 pf @ 100 V | - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
 | Irfr214trl | - | | 8939 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SIE808DF-T1-E3 | 3.9800 | | 6782 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (L) | Sie808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (L) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,6 mohm @ 25a, 10v | 3V à 250µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 8800 pf @ 10 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
 | Irfd9014pbf | 1.3900 | | 9 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 HVMDIP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfd9014pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 60 V | 1.1A (TA) | 10V | 500 MOHM @ 660MA, 10V | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | SI2308BDS-T1-E3 | 0,5500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2308 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 2.3A (TC) | 4,5 V, 10V | 156MOHM @ 1.9A, 10V | 3V à 250µA | 6,8 NC @ 10 V | ± 20V | 190 pf @ 30 V | - | 1.09W (TA), 1 66W (TC) | ||||
| Irfr320trl | - | | 3616 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR320 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 400 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,8 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| SI7439DP-T1-E3 | 3.9800 | | 2592 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Si7439 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 150 V | 3a (ta) | 6v, 10v | 90mohm @ 5.2a, 10v | 4V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
| Irfd024pbf | 1,7000 | | 361 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 HVMDIP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfd024pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 2.5a (TA) | 10V | 100 mohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 PF @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | SI3905DV-T1-E3 | - | | 2157 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3905 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.15W | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 8v | - | 125MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 450 mV à 250 µA (min) | 6nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Sia469dj-T1-GE3 | 0 4700 | | 198 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN III | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia469 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 26,5MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | 15 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1020 pf @ 15 V | - | 15.6W (TC) | |||||
 | SQD15N06-42L_GE3 | 1.0300 | | 830 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 60 V | 15A (TC) | 4,5 V, 10V | 42MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 535 PF @ 25 V | - | 37W (TC) | |||||
 | SI6981DQ-T1-GE3 | - | | 2405 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6981 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 4.1a | 31MOHM @ 4.8A, 4,5 V | 900 mV à 300µA | 25nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Irfr420trrpbf | 0,7513 | | 7666 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.4A, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SQJQ910EL-T1_GE3 | 2.6900 | | 9581 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Powerpak® 8 x 8 double | SQJQ910 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 187w | Powerpak® 8 x 8 double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 2 Canaux N (double) | 100V | 70A (TC) | 8,6MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 58nc @ 10v | 2832pf @ 50v | - | |||||||
 | SISH615ADN-T1-GE3 | 0,5900 | | 1613 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN III | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8SH | Sish615 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8SH | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 22.1A (TA), 35A (TC) | 2,5 V, 10V | 4.4MOHM @ 20A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 183 NC @ 10 V | ± 12V | 5590 pf @ 10 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
| IRFR9310 | - | | 1609 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFR9310 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 400 V | 1.8A (TC) | 10V | 7OHM @ 1.1A, 10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
| SIHB15N60E-GE3 | 3.1200 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | SIHB15N60EGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 15A (TC) | 10V | 280MOHM @ 8A, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 180W (TC) | ||||
| SI3993CDV-T1-GE3 | 0,5100 | | 9869 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3993 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 30V | 2.9a | 111MOHM @ 2,5A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 8nc @ 10v | 210pf @ 15v | - | |||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | 1.1800 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir466 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,5 mohm @ 15a, 10v | 2,4 V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 2730 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||
 | SQD50N04-5M6L_GE3 | 1.3300 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,6MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||
 | SI8424DB-T1-E1 | - | | 6622 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8424 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 Microfoot | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 8 V | 12.2A (TC) | 1,2 V, 4,5 V | 31MOHM @ 1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 5 V | ± 5V | 1950 pf @ 4 V | - | 2,78W (TA), 6,25W (TC) | ||||
 | Irfl9014tr | - | | 7049 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl9014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 60 V | 1.8A (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
| IRF9Z24S | - | | 3563 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF9Z24S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 60 V | 11a (TC) | 10V | 280MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||
 | SUM50P10-42-E3 | - | | 1570 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 36a (TC) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 14A, 10V | 3V à 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4600 PF @ 50 V | - | 18.8W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SQJ422EP-T1_GE3 | 1.6900 | | 1755 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ422 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 74a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,4MOHM @ 18A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 4660 pf @ 20 V | - | 83W (TC) | |||||
 | IRl540pbf | 2.5100 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | À 220-3 | IRL540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRL540PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 28a (TC) | 4V, 5V | 77MOHM @ 17A, 5V | 2V à 250µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
| SI7774DP-T1-GE3 | - | | 9356 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7774 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,8MOHM @ 15A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 2630 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 48W (TC) | ||||
 | SI4894BDY-T1-E3 | 1.3200 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4894 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 8.9a (TA) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 12A, 10V | 3V à 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1580 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | |||||
 | SI3443CDV-T1-BE3 | 0,5400 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI3443CDV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4.7A (TA), 5 97A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 60 mOhm @ 4.7A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 12.4 NC @ 5 V | ± 12V | 610 PF @ 10 V | - | 2W (TA), 3,2W (TC) |
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