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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJA37EP-T1_GE3 | 0,9000 |  | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJA37 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 9.2MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 4900 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||
 | SST4416-E3 | - | | 4471 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST4416 | 350 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | Canal n | 2.2pf @ 15v | 30 V | 5 ma @ 15 V | 3 V @ 1 na | |||||||||||||
 | Sud50n03-06p-e3 | - | | 5992 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 30 V | 84a (TC) | 4,5 V, 10V | 6,5 mohm @ 20a, 10v | 3V à 250µA | 30 NC @ 4,5 V | ± 20V | 3100 pf @ 25 V | - | 8.3W (TA), 88W (TC) | |||||||
 | SI5509DC-T1-E3 | - | | 6333 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5509 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4,5 W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | 6.1a, 4.8a | 52MOHM @ 5A, 4,5 V | 2V à 250µA | 6.6nc @ 5v | 455pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||
 | SI6544BDQ-T1-GE3 | - | | 9899 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6544 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n et p | 30V | 3.7a, 3.8a | 43MOHM @ 3,8A, 10V | 3V à 250µA | 15nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | |||||||||
 | SI4830CDY-T1-E3 | - | | 5772 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4830 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.9W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 8a | 20 mohm @ 8a, 10v | 3V @ 1MA | 25nc @ 10v | 950pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||
 | SUM70040M-GE3 | 3.0600 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) | Sum70040 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-7 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 120A (TC) | 7,5 V, 10V | 3,8MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||||
 | SIZF918DT-T1-GE3 | 1.5900 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | Sizf918 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.4W (TA), 26,6W (TC), 3,7W (TA), 50W (TC) | 8-PowerPair® (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 N-Canal (double), Schottky | 30V | 23A (TA), 40A (TC), 35A (TA), 60A (TC) | 4MOHM @ 10A, 10V, 1,9MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA, 2,3 V @ 250µA | 22nc @ 10v, 56nc @ 10v | 1060pf @ 15v, 2650pf @ 15v | - | ||||||||||
 | SQ4532AEY-T1_GE3 | 0,8800 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4532 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.3W | 8-SOIC | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 30V | 7.3a (TC), 5.3A (TC) | 31MOHM @ 4.9A, 10V, 70MOHM @ 3,5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 7.8nc @ 10v, 10.2nc @ 10v | 535pf @ 15v, 528pf @ 15v | - | |||||||||||
 | SUM25P10-138-E3 | - | | 5340 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 16.7A (TC) | 6v, 10v | 13.8MOHM @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2110 PF @ 25 V | - | 3 75W (TA), 88,2W (TC) | ||||||||
 | Irfl9014pbf | - | | 6170 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl9014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal p | 60 V | 1.8A (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||||
| SI4401DY-T1-GE3 | - | | 8411 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4401 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 40 V | 8.7A (TA) | 4,5 V, 10V | 15,5 mohm @ 10.5a, 10v | 1V @ 250µA (min) | 50 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||||
 | Siz918dt-t1-ge3 | 1.7200 | | 24 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | Siz918 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 29W, 100W | 8-PowerPair® (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 16a, 28a | 12MOHM @ 13.8A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 21nc @ 10v | 790pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||
 | Sup25p10-138-ge3 | - | | 6493 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 16.3A (TC) | 6v, 10v | 13.8MOHM @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 PF @ 50 V | - | 3.1W (TA), 73,5W (TC) | ||||||||
| SQM40022E_GE3 | 1.7500 | | 6591 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM40022 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 150a (TC) | 10V | 1 63MOHM @ 35A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||
 | Sij462adp-t1-ge3 | 1.4600 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sij462 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIJ462ADP-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 15.8A (TA), 39,3A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,2MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1235 pf @ 30 V | - | 3.6W (TA), 22,3W (TC) | |||||||
| Sud19p06-60-ge3 | 1.1800 | | 80 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud19 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 60 V | 18.3A (TC) | 4,5 V, 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 3V à 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 PF @ 25 V | - | 2.3W (TA), 38,5W (TC) | ||||||||
| Siz920dt-t1-ge3 | - | | 6771 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | Siz920 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 39W, 100W | 8-PowerPair® (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 40a | 7.1MOHM @ 18.9A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 35nc @ 10v | 1260pf @ 15v | - | ||||||||||
| 2N4861JTXL02 | - | | 1981 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | Par le trou | To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN | 2N4861 | To-206aa (à 18) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | |||||||||||||||||
 | 2N4119A-E3 | - | | 9201 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-206af, to-72-4 Metal Can | 2N4119 | 300 MW | To-206af (to-72) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | Canal n | 3pf @ 10v | 40 V | 200 µA @ 10 V | 2 V @ 1 na | |||||||||||||
| Sum47n10-24l-e3 | - | | 7940 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum47 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 47a (TC) | 4,5 V, 10V | 24MOHM @ 40A, 10V | 3V à 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 136W (TC) | |||||||
 | Irfbe30spbf | 3.2000 | | 6859 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbe30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfbe30spbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5A, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||
| SI2399DS-T1-GE3 | 0,5100 | | 4257 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2399 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 6A (TC) | 2,5 V, 10V | 34MOHM @ 5.1A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 20 NC @ 4,5 V | ± 12V | 835 PF @ 10 V | - | 2,5W (TC) | |||||||
 | IRFI620G | - | | 5932 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi620 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFI620G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 200 V | 4.1a (TC) | 10V | 800MOHM @ 2,5A, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||
 | SQJ418EP-T1_GE3 | 1.1800 | | 25 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ418 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 48A (TC) | 10V | 14MOHM @ 10A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||
 | SI1304BDL-T1-E3 | - | | 3486 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | SI1304 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 900mA (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 270MOHM @ 900mA, 4,5 V | 1,3 V à 250µA | 2,7 NC @ 4,5 V | ± 12V | 100 pf @ 15 V | - | 340mw (TA), 370MW (TC) | |||||||
 | Irfr020trl | - | | 6218 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 14A (TC) | 10V | 100MOHM @ 8,4A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||
| SI6924AEDQ-T1-GE3 | - | | 9759 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6924 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | 28v | 4.1a | 33MOHM @ 4.6A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 10nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||||||
 | SI3440DV-T1-E3 | 1.5200 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3440 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 1.2A (TA) | 6v, 10v | 375MOHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||||||
| SUM110P04-05-E3 | 4.7600 | | 70 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 40 V | 110a (TC) | 10V | 5MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 280 NC @ 10 V | ± 20V | 11300 pf @ 25 V | - | 15W (TA), 375W (TC) |
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