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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sira04dp-t1-ge3 | 1.3200 |  | 639 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira04 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 215MOHM @ 15A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 77 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 3595 PF @ 15 V | - | 5W (TA), 62,5W (TC) | ||||||||
 | SST5485-E3 | - | | 4758 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST5485 | 350 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | Canal n | 5pf @ 15v | 25 V | 4 ma @ 15 V | 500 mV @ 10 na | |||||||||||||
| SST5484-T1-E3 | - | | 3172 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST5484 | 350 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 5pf @ 15v | 25 V | 1 ma @ 15 V | 300 mV @ 10 na | |||||||||||||
 | 2N4858JTXV02 | - | | 3827 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | Par le trou | To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN | 2N4858 | To-206aa (à 18) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | |||||||||||||||||
 | Irlz44l | - | | 2094 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Irlz44 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262-3 | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRLZ44L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 4V, 5V | 28MOHM @ 31A, 5V | 2V à 250µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | - | ||||||
 | SI4825DDY-T1-GE3 | 0,9400 | | 128 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4825 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 14.9A (TC) | 4,5 V, 10V | 12,5 mohm @ 10a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 25V | 2550 pf @ 15 V | - | 2.7W (TA), 5W (TC) | ||||||||
 | Sihp16n50c-be3 | 5.8400 | | 997 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp16 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHP16N50C-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 16A (TC) | 10V | 380MOHM @ 8A, 10V | 5V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||
 | Irfd310pbf | 1.6300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Irfd310 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 HVMDIP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 400 V | 350mA (TA) | 10V | 3,6 ohm @ 210mA, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 1W (ta) | ||||||||
| SI4464DY-T1-E3 | 1.4100 | | 4829 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4464 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 1.7A (TA) | 6v, 10v | 240 MOHM @ 2.2A, 10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||||||
| Irf840lcpbf | 2.2000 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf840lcpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||
| VQ2001P | - | | 5621 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | - | VQ2001 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W | - | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 P-channel | 30V | 600mA | 2OHM @ 1A, 12V | 4,5 V @ 1MA | - | 150pf @ 15v | - | ||||||||||
| SI7946ADP-T1-GE3 | 1.0322 | | 7895 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SI7946 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 19.8W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 150V | 7.7a (TC) | 186MOHM @ 3A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 6.5nc @ 7,5 V | 230pf @ 75v | - | |||||||||||
 | Sud50p10-43l-e3 | 2.6500 | | 7 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 100 V | 37.1a (TC) | 4,5 V, 10V | 43MOHM @ 9.2A, 10V | 3V à 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4600 PF @ 50 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||||||
 | SUM10250E-GE3 | 2.8900 | | 5321 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum10250 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 250 V | 63,5a (TC) | 7,5 V, 10V | 31MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 88 NC @ 10 V | ± 20V | 3002 PF @ 125 V | - | 375W (TC) | ||||||||
 | Irf640strrpbf | 3.0900 | | 800 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 18A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | ||||||||
| 2N4856JTXV02 | - | | 8798 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | Par le trou | To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN | 2N4856 | To-206aa (à 18) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | |||||||||||||||||
 | Sirb40dp-t1-ge3 | 1 4000 | | 2477 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | Sirb40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 46.2W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 40A (TC) | 3 25MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 45nc @ 4,5 V | 4290pf @ 20v | - | ||||||||||
| SQ4410EY-T1_GE3 | 1.5200 | | 7 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4410 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 15A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2385 pf @ 25 V | - | 5W (TC) | ||||||||
| IRF9520STRR | - | | 5832 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 100 V | 6.8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10v | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||||
| 2N5116JAN02 | - | | 1064 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | Par le trou | To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN | 2N5116 | To-206aa (à 18) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | |||||||||||||||||
| SI4430BDY-T1-E3 | 1.8500 | | 889 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4430 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 14A (TA) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 20a, 10v | 3V à 250µA | 36 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.6W (TA) | |||||||||
 | Irfr1n60atrpbf | 1 5500 | | 985 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 600 V | 1.4A (TC) | 10V | 7OHM @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 PF @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||||
| SI4618DY-T1-GE3 | - | | 1471 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4618 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.98W, 4.16W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 8a, 15.2a | 17MOHM @ 8A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 44nc @ 10v | 1535pf @ 15v | - | ||||||||||
 | SIHP054N65E-GE3 | 8.1800 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 47a (TC) | 10V | 58MOHM @ 20A, 10V | 5V @ 250µA | 108 NC @ 20 V | ± 30V | 3769 PF @ 100 V | - | 312W (TC) | |||||||||
 | SQJ457EP-T1_GE3 | 0,9800 | | 6709 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ457 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 36a (TC) | 4,5 V, 10V | 25MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||
| IRlr024trr | - | | 9098 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRLR024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 14A (TC) | 4V, 5V | 100 mohm @ 8,4a, 5v | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||||
 | SI1065X-T1-GE3 | - | | 8934 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SI1065 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-89 (SOT-563F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 1.18A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 156MOHM @ 1.18A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 10,8 NC @ 5 V | ± 8v | 480 pf @ 6 V | - | 236MW (TA) | |||||||
 | Irfp250pbf | 3.9500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP250 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp250pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 200 V | 30a (TC) | 10V | 85MOHM @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||||||
| 2N4858JVP02 | - | | 2049 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Obsolète | - | - | 2N4858 | - | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | SiHG085N60EF-GE3 | 6.5600 | | 2537 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg085 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIHG085N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 34A (TC) | 10V | 84MOHM @ 17A, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2733 PF @ 100 V | - | 184W (TC) |
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