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Transistors (5716)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
SUM90N06-5M5P-E3 Vishay Siliconix SUM90N06-5M5P-E3 -
RFQ
 ECAD 6559 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sum90 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d²pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 60 V 90a (TC) 10V 5,5 mohm @ 20a, 10v 4,5 V @ 250µA 120 NC @ 10 V ± 20V 4700 pf @ 30 V - 3,75W (TA), 272W (TC)
IRL620 Vishay Siliconix IRL620 -
RFQ
 ECAD 6237 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 IRL620 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRL620 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 200 V 5.2a (TC) 4V, 5V 800MOHM @ 3.1A, 5V 2V à 250µA 16 NC @ 5 V ± 10V 360 pf @ 25 V - 50W (TC)
SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-E3 0,9100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3460 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 8A (TC) 1,8 V, 4,5 V 27MOHM @ 5.1A, 4,5 V 1V @ 250µA 24 NC @ 8 V ± 8v 860 pf @ 10 V - 2W (TA), 3,5W (TC)
SQ4937EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4937EY-T1_GE3 1.2300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SQ4937 MOSFET (Oxyde Métallique) 3.3W 8-SOIC télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canal P (double) 30V 5A (TC) 75MOHM @ 3,9A, 10V 2,5 V @ 250µA 15nc @ 10v 480pf @ 25v -
SIHA240N60E-GE3 Vishay Siliconix Siha240n60e-ge3 2.9600
RFQ
 ECAD 9526 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 EXCHET Siha240 MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 12A (TC) 10V 240 mohm @ 5.5a, 10v 5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ± 30V 783 PF @ 100 V - 31W (TC)
SQJA12EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJA12EP-T1_GE3 1.8800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C MOSFET (Oxyde Métallique) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V - 10V 8,6MOHM @ 10A, 10V 3V à 250µA 49.1 NC @ 10 V - 3635 PF @ 25 V - -
SIHF18N50D-E3 Vishay Siliconix SIHF18N50D-E3 2.9100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 EXCHET Sihf18 MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 500 V 18A (TC) 10V 280MOHM @ 9A, 10V 5V @ 250µA 76 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 100 V - 39W (TC)
SI4501BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4501BDY-T1-GE3 0,6300
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4501 MOSFET (Oxyde Métallique) 4.5W, 3.1W 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 N et p canal, draine commun 30v, 8v 12A, 8A 17MOHM @ 10A, 10V 2V à 250µA 25nc @ 10v 805pf @ 15v Porte de Niveau Logique
SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS862DN-T1-GE3 1.1700
RFQ
 ECAD 8472 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SIS862 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 40A (TC) 4,5 V, 10V 8,5 mohm @ 20a, 10v 2,6 V @ 250µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 30 V - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5442DU-T1-GE3 0,6300
RFQ
 ECAD 9052 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® Chipfet ™ Single SI5442 MOSFET (Oxyde Métallique) Powerpak® Chipfet Single télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 25a (TC) 1,8 V, 4,5 V 10MOHM @ 8A, 4,5 V 900 mV à 250 µA 45 NC @ 8 V ± 8v 1700 pf @ 10 V - 3.1W (TA), 31W (TC)
SQP100P06-9M3L_GE3 Vishay Siliconix SQP100P06-9M3L_GE3 -
RFQ
 ECAD 5131 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 SQP100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 60 V 100A (TC) 4,5 V, 10V 9.3MOHM @ 30A, 10V 2,5 V @ 250µA 300 NC @ 10 V ± 20V 12010 PF @ 25 V - 187W (TC)
IRFP244PBF Vishay Siliconix Irfp244pbf 5.3100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 247-3 IRFP244 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfp244pbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 250 V 15A (TC) 10V 280MOHM @ 9A, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 150W (TC)
SIDR5802EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SiDR5802EP-T1-RE3 2.8700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN V Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sidr5802 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8DC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 80 V 34.2a (TA), 153A (TC) 7,5 V, 10V 2,9MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ± 20V 3020 PF @ 40 V - 7.5W (TA), 150W (TC)
SI3879DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3879DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2837 0,00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3879 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 5A (TC) 2,5 V, 4,5 V 70MOHM @ 3,5A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 14,5 NC @ 10 V ± 12V 480 PF @ 10 V - 2W (TA), 3,3W (TC)
IRF830STRR Vishay Siliconix Irf830strr -
RFQ
 ECAD 7510 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF830 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 500 V 4.5a (TC) 10V 1,5 ohm @ 2,7a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 20V 610 PF @ 25 V - 3.1W (TA), 74W (TC)
SUP65P04-15-E3 Vishay Siliconix Sup65p04-15-e3 -
RFQ
 ECAD 9670 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 Sup65 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Sup65p0415e3 EAR99 8541.29.0095 500 Canal p 40 V 65A (TC) 4,5 V, 10V 15MOHM @ 30A, 10V 3V à 250µA 130 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 25 V - 3,75W (TA), 120W (TC)
IRF9640SPBF Vishay Siliconix Irf9640spbf 2.4000
RFQ
 ECAD 569 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF9640 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 200 V 11a (TC) 10V 500MOHM @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 3W (TA), 125W (TC)
SIHA12N60E-GE3 Vishay Siliconix Siha12n60e-ge3 2.5300
RFQ
 ECAD 1575 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger 1 (illimité) 742-SIHA12N60E-GE3TR EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 12A (TC) 10V 380MOHM @ 6A, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 V ± 30V 937 pf @ 100 V - 33W (TC)
SUD50P10-43-E3 Vishay Siliconix Sud50p10-43-e3 -
RFQ
 ECAD 3794 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sud50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 100 V 38A (TC) 10V 43MOHM @ 9.4A, 10V 4V @ 250µA 160 NC @ 10 V ± 20V 5230 pf @ 50 V - 8.3W (TA), 136W (TC)
SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Sia440dj-t1-ge3 0,4800
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 Sia440 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 40 V 12A (TC) 2,5 V, 10V 26MOHM @ 9A, 10V 1,4 V @ 250µA 21,5 NC @ 10 V ± 12V 700 pf @ 20 V - 3,5W (TA), 19W (TC)
IRFP150 Vishay Siliconix IRFP150 -
RFQ
 ECAD 7219 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 247-3 IRFP150 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFP150 EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 100 V 41A (TC) 10V 55MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 230W (TC)
IRFD9014PBF Vishay Siliconix Irfd9014pbf 1.3900
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Vishay Siliconix - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) À Travers Le Trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) IRFD9014 MOSFET (Oxyde Métallique) 4 HVMDIP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfd9014pbf EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 60 V 1.1A (TA) 10V 500 MOHM @ 660MA, 10V 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 1.3W (TA)
IRF520PBF Vishay Siliconix Irf520pbf 1.1900
RFQ
 ECAD 6891 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 IRF520 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irf520pbf EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 9.2a (TC) 10V 270MOHM @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 60W (TC)
SI4840BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4840BDY-T1-E3 1.6600
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4840 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 19A (TC) 4,5 V, 10V 9MOHM @ 12.4A, 10V 3V à 250µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 6W (TC)
SUG80050E-GE3 Vishay Siliconix SUG80050E-GE3 5.1500
RFQ
 ECAD 7288 0,00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 247-3 SUG80050 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 150 V 100A (TC) 7,5 V, 10V 5,4MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 165 NC @ 10 V ± 20V 6250 pf @ 75 V - 500W (TC)
SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS184DN-T1-GE3 1.4900
RFQ
 ECAD 9306 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SIS184 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 17.4A (TA), 65,3A (TC) 7,5 V, 10V 5,8MOHM @ 10A, 10V 3,4 V @ 250µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1490 PF @ 30 V - 3.7W (TA), 52W (TC)
IRL520PBF Vishay Siliconix IRL520PBF 1.4600
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 IRL520 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * IRL520PBF EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 9.2a (TC) 4V, 5V 270MOHM @ 5.5A, 5V 2V à 250µA 12 NC @ 5 V ± 10V 490 pf @ 25 V - 60W (TC)
SIHD240N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHD240N60E-GE3 2.5500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sihd240 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 600 V 12A (TC) 10V 240 mohm @ 5.5a, 10v 5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ± 30V 783 PF @ 100 V - 78W (TC)
IRF830PBF Vishay Siliconix Irf830pbf 1.5800
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 IRF830 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irf830pbf EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 4.5a (TC) 10V 1,5 ohm @ 2,7a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 20V 610 PF @ 25 V - 74W (TC)
SI1988DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1988DH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9762 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1988 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.25W SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 1.3a 168MOHM @ 1,4A, 4,5 V 1V @ 250µA 4.1nc @ 8v 110pf @ 10v Porte de Niveau Logique
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