SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
IRFR310TR Vishay Siliconix Irfr310tr -
RFQ
ECAD 2491 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR310 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 400 V 1.7A (TC) 10V 3,6 ohm @ 1a, 10v 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ± 20V 170 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRLD120 Vishay Siliconix IRLD120 -
RFQ
ECAD 5157 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) IRLD120 MOSFET (Oxyde Métallique) 4 HVMDIP télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRLD120 EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 1.3A (TA) 4V, 5V 270MOHM @ 780mA, 5V 2V à 250µA 12 NC @ 5 V ± 10V 490 pf @ 25 V - 1.3W (TA)
IRFU9214PBF Vishay Siliconix IRFU9214PBF 1 5500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa IRFU9214 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * IRFU9214PBF EAR99 8541.29.0095 75 Canal p 250 V 2.7A (TC) 10V 3OHM @ 1.7A, 10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 20V 220 pf @ 25 V - 50W (TC)
IRLU024PBF Vishay Siliconix Irlu024pbf 1,7000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa IRLU024 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irlu024pbf EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 60 V 14A (TC) 4V, 5V 100 mohm @ 8,4a, 5v 2V à 250µA 18 NC @ 5 V ± 10V 870 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIDR610DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SiDR610DP-T1-GE3 3.4200
RFQ
ECAD 4634 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sidr610 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8DC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 200 V 8.9A (TA), 39,6A (TC) 7,5 V, 10V 31,9MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1380 pf @ 100 V - 6.25W (TA), 125W (TC)
SUP45P03-09-GE3 Vishay Siliconix Sup45p03-09-ge3 -
RFQ
ECAD 2149 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sup45 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 500 Canal p 30 V 45A (TC) 4,5 V, 10V 8,7MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 90 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 15 V - 73,5W (TC)
IRF730STRR Vishay Siliconix Irf730strr -
RFQ
ECAD 9139 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF730 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 400 V 5.5A (TC) 10V 1OHM @ 3,3A, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI3443DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3443DDV-T1-GE3 0,4300
RFQ
ECAD 6970 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Si3443 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 4A (TA), 5.3A (TC) 2,5 V, 4,5 V 47MOHM @ 4,5A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 30 NC @ 8 V ± 12V 970 PF @ 10 V - 1.7W (TA), 2,7W (TC)
SI1553DL-T1 Vishay Siliconix SI1553DL-T1 -
RFQ
ECAD 4798 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1553 MOSFET (Oxyde Métallique) 270MW SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n et p 20V 660mA, 410mA 385MOHM @ 660mA, 4,5 V 600 mV à 250 µA (min) 1.2NC @ 4,5 V - Porte de Niveau Logique
SI5443DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5443DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9334 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat SI5443 MOSFET (Oxyde Métallique) 1206-8 Chipfet ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 3.6A (TA) 2,5 V, 4,5 V 65MOHM @ 3,6A, 4,5 V 600 mV à 250 µA (min) 14 NC @ 4,5 V ± 12V - 1.3W (TA)
IRFR9024TR Vishay Siliconix IRFR9024TR -
RFQ
ECAD 2242 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR9024 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 60 V 8.8A (TC) 10V 280mohm @ 5.3a, 10v 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFBC30STRR Vishay Siliconix Irfbc30strr -
RFQ
ECAD 7456 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Irfbc30 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 600 V 3.6A (TC) 10V 2,2 ohm @ 2,2a, 10v 4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ± 20V 660 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRFR020TRPBF Vishay Siliconix Irfr020trpbf 1.6800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Irfr020 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 60 V 14A (TC) 10V 100MOHM @ 8,4A, 10V 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ± 20V 640 PF @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SISS588DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Siss588dn-T1-Ge3 1.3600
RFQ
ECAD 6289 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN V Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8S MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8S - Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SISS588DN-T1-GE3TR EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 80 V 16.9A (TA), 58.1A (TC) 7,5 V, 10V 8MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 28,5 NC @ 10 V ± 20V 1380 PF @ 40 V - 4.8W (TA), 56.8W (TC)
SI7790DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7790DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2682 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SI7790 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 40 V 50A (TC) 4,5 V, 10V 4,5 mohm @ 15a, 10v 2,5 V @ 250µA 95 NC @ 10 V ± 25V 4200 pf @ 20 V - 5.2W (TA), 69W (TC)
SIA811DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Sia811dj-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 8404 0,00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 Double Sia811 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SC-70-6 Double télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 4.5a (TC) 1,8 V, 4,5 V 94MOHM @ 2,8A, 4,5 V 1V @ 250µA 13 NC @ 8 V ± 8v 355 PF @ 10 V Diode Schottky (isolé) 1.9W (TA), 6,5W (TC)
SIHG33N65E-GE3 Vishay Siliconix Sihg33n65e-ge3 4.4659
RFQ
ECAD 3198 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sihg33 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 650 V 32.4a (TC) 10V 105MOHM @ 16,5A, 10V 4V @ 250µA 173 NC @ 10 V ± 30V 4040 PF @ 100 V - 313W (TC)
SUP85N10-10-GE3 Vishay Siliconix Sup85n10-10-ge3 6.6200
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sup85 MOSFET (Oxyde Métallique) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 85a (TC) 4,5 V, 10V 10,5 mohm @ 30a, 10v 3V à 250µA 160 NC @ 10 V ± 20V 6550 pf @ 25 V - 3,75W (TA), 250W (TC)
IRFBC30STRLPBF Vishay Siliconix Irfbc30strlpbf 2.9100
RFQ
ECAD 52 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Irfbc30 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 600 V 3.6A (TC) 10V 2,2 ohm @ 2,2a, 10v 4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ± 20V 660 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRF720PBF Vishay Siliconix Irf720pbf 1.2900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRF720 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irf720pbf EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 400 V 3.3A (TC) 10V 1,8 ohm @ 2a, 10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 410 PF @ 25 V - 50W (TC)
SQJ402EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ402EP-T1_BE3 1.5700
RFQ
ECAD 1993 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger 1 (illimité) 742-SQJ402EP-T1_BE3TR EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 32A (TC) 4,5 V, 10V 11MOHM @ 10.7A, 10V 2,5 V @ 250µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2286 pf @ 25 V - 83W (TC)
SQ4470EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4470EY-T1_BE3 1.6500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SQ4470 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 16A (TC) 6v, 10v 12MOHM @ 6A, 10V 3,5 V @ 250µA 68 NC @ 10 V ± 20V 3165 PF @ 25 V - 7.1w (TC)
IRFI620G Vishay Siliconix IRFI620G -
RFQ
ECAD 5932 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Irfi620 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFI620G EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 200 V 4.1a (TC) 10V 800MOHM @ 2,5A, 10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 20V 260 pf @ 25 V - 30W (TC)
IRF720L Vishay Siliconix IRF720L -
RFQ
ECAD 8420 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa IRF720 MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRF720L EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 400 V 3.3A (TC) 10V 1,8 ohm @ 2a, 10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 410 PF @ 25 V - 3.1W (TA), 50W (TC)
IRFBC20STRL Vishay Siliconix Irfbc20strl -
RFQ
ECAD 6920 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Irfbc20 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 600 V 2.2a (TC) 10V 4.4OHM @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 50W (TC)
IRFU4105ZTRL Vishay Siliconix Irfu4105ztrl -
RFQ
ECAD 8864 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa IRFU4105 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251aa télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 55 V 30a (TC) 10V 24,5 mohm @ 18a, 10v 4V @ 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 740 PF @ 25 V - 48W (TC)
SIHK045N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHK045N60EF-T1GE3 10.4700
RFQ
ECAD 22 0,00000000 Vishay Siliconix Ef Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerBsfn MOSFET (Oxyde Métallique) Powerpak®10 x 12 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 600 V 47a (TC) 10V 52MOHM @ 17A, 10V 5V @ 250µA 105 NC @ 10 V ± 30V 4685 PF @ 100 V - 278W (TC)
2N4861JTXL02 Vishay Siliconix 2N4861JTXL02 -
RFQ
ECAD 1981 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète - Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N4861 To-206aa (à 18) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 40 - -
IRLZ14PBF Vishay Siliconix Irlz14pbf 1.1100
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Irlz14 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irlz14pbf EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 60 V 10A (TC) 4V, 5V 200 mohm @ 6a, 5v 2V à 250µA 8,4 NC @ 5 V ± 10V 400 pf @ 25 V - 43W (TC)
SI3440DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3440DV-T1-GE3 1.5200
RFQ
ECAD 54 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Si3440 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 150 V 1.2A (TA) 6v, 10v 375MOHM @ 1,5A, 10V 4V @ 250µA 8 NC @ 10 V ± 20V - 1.14W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock