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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | RÉSISTANCE - RDS (ON) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4829DY-T1-E3 | - |  | 7105 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4829 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 2A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 215MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ± 12V | 210 PF @ 10 V | Diode Schottky (isolé) | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||||||
 | Irfr010trlpbf | 0,6218 | | 8020 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 50 V | 8.2a (TC) | 10V | 200 mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||||||
| Irfr210trlpbf | 1.1700 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 2.6a (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,6a, 10v | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||||
 | IRFR1N60ATRPBF-BE3 | 1 5500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | 742-IRFR1N60ATRPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 600 V | 1.4A (TC) | 7OHM @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 PF @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||||||
 | Sihp11n80e-be3 | 3 5300 | | 916 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 12A (TC) | 10V | 440mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 88 NC @ 10 V | ± 30V | 1670 PF @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||||||||
 | SISH107DN-T1-GE3 | 0 7700 | | 8555 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8SH | Sish107 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8SH | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 12.6A (TA), 34,4A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,8MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 15 V | - | 3 57W (TA), 26,5W (TC) | ||||||||||
 | SI3460BDV-T1-E3 | 0,9100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3460 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 8A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 27MOHM @ 5.1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 24 NC @ 8 V | ± 8v | 860 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 3,5W (TC) | |||||||||
 | SQJA37EP-T1_GE3 | 0,9000 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJA37 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 9.2MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 4900 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||
| SI3458DV-T1-E3 | - | | 7395 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3458 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 3.2a (TA) | 4,5 V, 10V | 100MOHM @ 3,2A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 16 NC @ 10 V | ± 20V | - | 2W (ta) | |||||||||
 | IRL520STRL | - | | 1494 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 9.2a (TC) | 4V, 5V | 270MOHM @ 5.5A, 5V | 2V à 250µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||||||
| IRF620 | - | | 6739 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF620 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF620S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 5.2a (TC) | 10V | 800MOHM @ 3.1A, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 50W (TC) | |||||||
 | Siha22n60e-e3 | 3,9000 | | 4436 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Siha22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||||||
| Si4362bdy-t1-e3 | - | | 3090 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4362 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 29A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,6MOHM @ 19,8A, 10V | 2V à 250µA | 115 NC @ 10 V | ± 12V | 4800 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 6.6W (TC) | ||||||||
 | SI7454CDP-T1-GE3 | - | | 2262 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7454 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 22A (TC) | 4,5 V, 10V | 30,5 mohm @ 10a, 10v | 2,8 V @ 250µA | 19,5 NC @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 50 V | - | 4.1W (TA), 29,7W (TC) | ||||||||
 | SI6968BEDQ-T1-GE3 | 0,7800 | | 15 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6968 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | 20V | 5.2a | 22MOHM @ 6.5A, 4,5 V | 1,6 V @ 250µA | 18nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||||||
 | SIHG17N60D-GE3 | 2.4665 | | 5395 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg17 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 17A (TC) | 10V | 340MOHM @ 8A, 10V | 5V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 30V | 1780 pf @ 100 V | - | 277.8W (TC) | |||||||||
 | Sisa66dn-t1-ge3 | 0,3959 | | 1728 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Sisa66 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,3MOHM @ 15A, 10V | 2.2v @ 1MA | 66 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 3014 PF @ 15 V | - | 52W (TC) | ||||||||||
| SI3456BDV-T1-E3 | - | | 1200 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4.5a (TA) | 4,5 V, 10V | 35MOHM @ 6A, 10V | 3V à 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.1W (TA) | |||||||||
 | 2N4393-E3 | - | | 1646 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN | 2N4393 | 1,8 W | To-206aa (à 18) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | Canal n | 14pf @ 20V | 40 V | 5 ma @ 20 V | 500 mV @ 1 na | 100 ohms | |||||||||||||
| 2N4339 | - | | 6713 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN | 2N4339 | 300 MW | To-206aa (à 18) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | Canal n | 7pf @ 15v | 50 V | 500 µA à 15 V | 600 mV @ 100 na | ||||||||||||||
 | Irlz24lpbf | 1.6400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Irlz24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irlz24lpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 100 mohm @ 10a, 5v | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||||||
 | SiDR220EP-T1-RE3 | 3.3600 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8DC | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 92.8a (TA), 415A (TC) | 4,5 V, 10V | 0,58MOHM @ 20A, 10V | 2,1 V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | + 16v, -12v | 10850 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 415W (TC) | |||||||||||
 | SQJ418EP-T1_GE3 | 1.1800 | | 25 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ418 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 48A (TC) | 10V | 14MOHM @ 10A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||
 | SI7913DN-T1-GE3 | 1.6400 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7913 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.3W | PowerPak® 1212-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 5A | 37MOHM @ 7.4A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 24 NC à 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||||||||
 | Siss64dn-t1-ge3 | 1.3800 | | 2142 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | Siss64 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 2.1MOHM @ 10A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 3420 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | |||||||||
 | SI2372DS-T1-GE3 | - | | 7022 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2372 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4A (TA), 5.3A (TC) | 4,5 V, 10V | 33MOHM @ 3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 8,9 NC @ 10 V | ± 20V | 288 PF @ 15 V | - | 960MW (TA), 1,7W (TC) | ||||||||
 | Sup85n03-04p-e3 | - | | 2868 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup85 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 30 V | 85a (TC) | 4,5 V, 10V | 4,3MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 166W (TC) | ||||||||
| SQ4435EY-T1_BE3 | 1.4400 | | 8199 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4435 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQ4435EY-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 15A (TC) | 4,5 V, 10V | 18MOHM @ 8A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 2170 PF @ 15 V | - | 6.8W (TC) | |||||||||
 | SUM25P10-138-E3 | - | | 5340 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 16.7A (TC) | 6v, 10v | 13.8MOHM @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2110 PF @ 25 V | - | 3 75W (TA), 88,2W (TC) | |||||||||
 | Irfl210pbf | - | | 1779 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl210 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 200 V | 960mA (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 580mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) |
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