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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SQJ488EP-T1_GE3 | 1.5800 | ![]() | 4062 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ488 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 42A (TC) | 4,5 V, 10V | 21MOHM @ 7.4A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 979 PF @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||
![]() | SISA24DN-T1-GE3 | 0,9600 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Sisa24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,4 mohm @ 15a, 10v | 2,1 V @ 250µA | 26 NC @ 4,5 V | + 20V, -16V | 2650 pf @ 10 V | - | 52W (TC) | |||||
![]() | SI4686DY-T1-GE3 | 1.5600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET®, WFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4686 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 18.2a (TC) | 4,5 V, 10V | 9.5MOHM @ 13.8A, 10V | 3V à 250µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1220 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 5.2W (TC) | |||||
![]() | SI1303DL-T1-E3 | - | ![]() | 3053 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | Si1303 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 670mA (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 430MOHM @ 1A, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 2,2 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 290MW (TA) | |||||
![]() | SIA4265EDJ-T1-GE3 | 0,4200 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIA4265EDJ-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 7.8A (TA), 9A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 32MOHM @ 4A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 36 NC @ 8 V | ± 8v | 1180 pf @ 0 V | - | 2.9W (TA), 15.6W (TC) | |||||
![]() | IRFP21N60L | - | ![]() | 9884 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfp21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 320mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ± 30V | 4000 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | ||||
![]() | SI1965DH-T1-E3 | 0,5100 | ![]() | 4167 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1965 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.25W | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 12V | 1.3a | 390mohm @ 1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 4.2nc @ 8v | 120pf @ 6v | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | IRFBE20S | - | ![]() | 2735 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbe20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFBE20S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 1.8A (TC) | 10V | 6,5 ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | - | |||
![]() | Irr014trpbf | 1.0500 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRLR014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 60 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 200 mohm @ 4.6a, 5v | 2V à 250µA | 8,4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
![]() | SQJ463EP-T1_GE3 | 3.2100 | ![]() | 8190 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ463 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 40 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 10MOHM @ 18A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 5875 PF @ 20 V | - | 83W (TC) | |||||
![]() | SQJ457EP-T1_GE3 | 0,9800 | ![]() | 6709 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ457 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 36a (TC) | 4,5 V, 10V | 25MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
![]() | SI2377EDS-T1-BE3 | 0,5200 | ![]() | 8759 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI2377EDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 3.7A (TA), 4.4A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 61MOHM @ 3.2A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 21 NC @ 8 V | ± 8v | - | 1,25W (TA), 1,8W (TC) | |||||||
![]() | SQM40061EL_GE3 | 1.8400 | ![]() | 5993 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM40061 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 40 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 5.1MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 280 NC @ 10 V | ± 20V | 14500 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
Sihp16n50c-be3 | 5.8400 | ![]() | 997 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp16 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHP16N50C-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 16A (TC) | 10V | 380MOHM @ 8A, 10V | 5V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||
![]() | SI4324DY-T1-E3 | - | ![]() | 5464 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4324 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 36a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 3510 PF @ 15 V | - | 3,5W (TA), 7,8W (TC) | ||||
![]() | SI7101DN-T1-GE3 | 1.2500 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7101 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,2MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 102 NC @ 10 V | ± 25V | 3595 PF @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
![]() | SI3460BDV-T1-E3 | 0,9100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3460 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 8A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 27MOHM @ 5.1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 24 NC @ 8 V | ± 8v | 860 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 3,5W (TC) | |||||
![]() | IRFU9020 | - | ![]() | 9928 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFU9020 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 50 V | 9.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||
![]() | SQP120N10-09_GE3 | 2.8000 | ![]() | 250 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | SQP120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 100 V | 120A (TC) | 10V | 9.5MOHM @ 30A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 8645 PF @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||
![]() | SQ2325ES-T1_GE3 | 0,6900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2325 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 150 V | 840mA (TC) | 10V | 1 77 ohm @ 500mA, 10V | 3,5 V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 50 V | - | 3W (TC) | |||||
![]() | IRFZ44S | - | ![]() | 9097 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz44 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFZ44S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 10V | 28MOHM @ 31A, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
![]() | Irfr9010trl | - | ![]() | 9296 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 50 V | 5.3A (TC) | 10V | 500MOHM @ 2,8A, 10V | 4V @ 250µA | 9.1 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||
![]() | SIE726DF-T1-GE3 | - | ![]() | 8611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (L) | Sie726 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (L) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,4 mohm @ 25a, 10v | 3V à 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 7400 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
![]() | Irf9530strr | - | ![]() | 2934 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 100 V | 12A (TC) | 10V | 300 MOHM @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
![]() | SQR40030ER_GE3 | 1.5700 | ![]() | 9416 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 252-4, DPAK (3 leads + onglet) | SQR40030 | À 252 (DPAK) | - | 1 (illimité) | 0000.00.0000 | 2 000 | - | |||||||||||||||||||
![]() | SQJ431EP-T1_GE3 | 1.9800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ431 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 200 V | 12A (TC) | 6v, 10v | 213MOHM @ 1A, 4V | 3,5 V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4355 PF @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||
![]() | Irfu9310pbf | 1.5800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU9310 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfu9310pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 400 V | 1.8A (TC) | 10V | 7OHM @ 1.1A, 10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
![]() | SQM40010EL_GE3 | 2.9200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM40010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,6 mohm @ 30a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 17100 pf @ 20 V | - | 375W (TC) | |||||
![]() | SI4908DY-T1-GE3 | - | ![]() | 2840 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4908 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,75W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 40V | 5A | 60 mohm @ 4.1a, 10v | 2,2 V @ 250µA | 12nc @ 10v | 355pf @ 20v | - | ||||||
![]() | Sisa66dn-t1-ge3 | 0,3959 | ![]() | 1728 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Sisa66 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,3MOHM @ 15A, 10V | 2.2v @ 1MA | 66 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 3014 PF @ 15 V | - | 52W (TC) |
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