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Transistors (5716)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id
3N164 Vishay Siliconix 3N164 -
RFQ
 ECAD 4665 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-206af, to-72-4 Metal Can - MOSFET (Oxyde Métallique) To-72 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 200 Canal p 30 V 50mA (TA) 20V 300 ohm @ 100µA, 20V 5V @ 10µA ± 30V 3,5 pf @ 15 V - 375mw (TA)
2N5115JTVL02 Vishay Siliconix 2N5115JTVL02 -
RFQ
 ECAD 4741 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète - Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N5115 To-206aa (à 18) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 20 - -
SST4416-E3 Vishay Siliconix SST4416-E3 -
RFQ
 ECAD 4471 0,00000000 Vishay Siliconix - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SST4416 350 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 000 Canal n 2.2pf @ 15v 30 V 5 ma @ 15 V 3 V @ 1 na
SIDR402DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SiDR402DP-T1-GE3 1.1241
RFQ
 ECAD 5058 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sidr402 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8DC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 40 V 64.6a (TA), 100A (TC) 4,5 V, 10V 0,88MOHM @ 20A, 10V 2,3 V @ 250µA 165 NC @ 10 V + 20V, -16V 9100 pf @ 20 V - 6.25W (TA), 125W (TC)
SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2333DS-T1-E3 0,8600
RFQ
 ECAD 78 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2333 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 12 V 4.1a (TA) 1,8 V, 4,5 V 32MOHM @ 5.3A, 4,5 V 1V @ 250µA 18 NC @ 4,5 V ± 8v 1100 pf @ 6 V - 750MW (TA)
SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3460DDV-T1-GE3 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3460 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 7.9a (TC) 1,8 V, 4,5 V 28MOHM @ 5.1A, 4,5 V 1V @ 250µA 18 NC @ 8 V ± 8v 666 PF @ 10 V - 1.7W (TA), 2,7W (TC)
SIHF35N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHF35N60EF-GE3 3.3325
RFQ
 ECAD 4348 0,00000000 Vishay Siliconix Ef En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Sihf35 MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 32A (TC) 10V 97MOHM @ 17A, 10V 4V @ 250µA 134 NC @ 10 V ± 30V 2568 pf @ 100 V - 39W (TC)
IRFR210TR Vishay Siliconix Irfr210tr -
RFQ
 ECAD 5022 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR210 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 200 V 2.6a (TC) 10V 1,5 ohm @ 1,6a, 10v 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7911DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9645 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban de Coupé (CT) Obsolète Support de surface PowerPak® 1212-8 Dual Si7911 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.3W PowerPak® 1212-8 Dual télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 4.2a 51MOHM @ 5.7A, 4,5 V 1V @ 250µA 15nc @ 4,5 V - Porte de Niveau Logique
SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ910AEP-T1_GE3 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Dual SQJ910 MOSFET (Oxyde Métallique) 48W PowerPak® SO-8 Dual télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 30a (TC) 7MOHM @ 12A, 10V 2,5 V @ 250µA 39nc @ 10v 1869pf @ 15v -
IRFD320PBF Vishay Siliconix Irfd320pbf 1.8600
RFQ
 ECAD 469 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) IRFD320 MOSFET (Oxyde Métallique) 4 HVMDIP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfd320pbf EAR99 8541.29.0095 100 Canal n 400 V 490mA (TA) 10V 1,8 ohm @ 210mA, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 410 PF @ 25 V - 1W (ta)
IRF9630SPBF Vishay Siliconix IRF9630SPBF 2.9100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF9630 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 200 V 6.5a (TC) 10V 800mohm @ 3,9a, 10v 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 3W (TA), 74W (TC)
2N5116JTVL02 Vishay Siliconix 2N5116JTVL02 -
RFQ
 ECAD 1489 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif - Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N5116 To-206aa (à 18) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 20 - -
SIE816DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE816DF-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8680 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 10-Polarpak® (L) Sie816 MOSFET (Oxyde Métallique) 10-Polarpak® (L) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 60a (TC) 10V 7,4MOHM @ 19.8A, 10V 4,4 V @ 250µA 77 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 30 V - 5.2W (TA), 125W (TC)
2N4339-E3 Vishay Siliconix 2N4339-E3 -
RFQ
 ECAD 8037 0,00000000 Vishay Siliconix - En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 2N4339 300 MW To-206aa (à 18) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 200 Canal n 7pf @ 15v 50 V 500 µA à 15 V 600 mV @ 100 na
SI2335DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2335DS-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8189 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Si2335 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 12 V 3.2a (TA) 1,8 V, 4,5 V 51MOHM @ 4A, 4,5 V 450 mV à 250 µA (min) 15 NC @ 4,5 V ± 8v 1225 pf @ 6 V - 750MW (TA)
SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS476DN-T1-GE3 1.1800
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SIS476 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 40A (TC) 4,5 V, 10V 2,5 mohm @ 15a, 10v 2,3 V @ 250µA 77 NC @ 10 V + 20V, -16V 3595 PF @ 15 V - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8806DB-T2-E1 0 4600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4-XFBGA Si8806 MOSFET (Oxyde Métallique) 4 Microfoot télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 12 V 2.8A (TA) 1,8 V, 4,5 V 43MOHM @ 1A, 4,5 V 1V @ 250µA 17 NC @ 8 V ± 8v - 500mw (TA)
SI3433BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3433BDV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5654 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Si3433 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 4.3A (TA) 1,8 V, 4,5 V 42MOHM @ 5.6A, 4,5 V 850 mV à 250µA 18 NC @ 4,5 V ± 8v - 1.1W (TA)
IRFI9610GPBF Vishay Siliconix Irfi9610gpbf 2.0800
RFQ
 ECAD 9855 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Irfi9610 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal p 200 V 2A (TC) 10V 3OHM @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V - 27W (TC)
SQP100P06-9M3L_GE3 Vishay Siliconix SQP100P06-9M3L_GE3 -
RFQ
 ECAD 5131 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 SQP100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 60 V 100A (TC) 4,5 V, 10V 9.3MOHM @ 30A, 10V 2,5 V @ 250µA 300 NC @ 10 V ± 20V 12010 PF @ 25 V - 187W (TC)
SI7224DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7224DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9964 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 Dual SI7224 MOSFET (Oxyde Métallique) 17.8W, 23W PowerPak® 1212-8 Dual télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 6A 35MOHM @ 6.5A, 10V 2,2 V @ 250µA 14.5nc @ 10v 570pf @ 15v Porte de Niveau Logique
IRF9520L Vishay Siliconix IRF9520L -
RFQ
 ECAD 6547 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa IRF9520 MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) * IRF9520L EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 100 V 6.8A (TC) 10V 600mohm @ 4.1a, 10v 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 390 pf @ 25 V - -
IRL510STRL Vishay Siliconix IRl510strl -
RFQ
 ECAD 3230 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRL510 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 100 V 5.6a (TC) 4V, 5V 540 mOhm @ 3,4a, 5v 2V à 250µA 6.1 NC @ 5 V ± 10V 250 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRF840PBF Vishay Siliconix Irf840pbf 1.9400
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRF840 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irf840pbf EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10v 4V @ 250µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRFP460LC Vishay Siliconix IRFP460LC -
RFQ
 ECAD 3133 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IRFP460 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) * IRFP460LC EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 500 V 20A (TC) 10V 270MOHM @ 12A, 10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 280W (TC)
SI2338DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2338DS-T1-GE3 0,5300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Si2338 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 6A (TC) 4,5 V, 10V 28MOHM @ 5.5A, 10V 2,5 V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 20V 424 PF @ 15 V - 1.3W (TA), 2,5W (TC)
IRF530L Vishay Siliconix IRF530L -
RFQ
 ECAD 2765 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa IRF530 MOSFET (Oxyde Métallique) À 262 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) * IRF530L EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 14A (TC) 10V 160MOHM @ 8,4A, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 V ± 20V 670 pf @ 25 V - -
SIR104DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir104dp-t1-re3 2.4900
RFQ
 ECAD 1220 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir104 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 18.3A (TA), 79A (TC) 7,5 V, 10V 6,4MOHM @ 15A, 10V 3,5 V @ 250µA 84 NC @ 10 V ± 20V 4230 pf @ 50 V - 5.4W (TA), 100W (TC)
SUD35N10-26P-E3 Vishay Siliconix Sud35n10-26p-e3 2.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sud35 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 100 V 35A (TC) 7v, 10v 26MOHM @ 12A, 10V 4,4 V @ 250µA 47 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 12 V - 8.3W (TA), 83W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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