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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sira96dp-t1-ge3 | 0,5200 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira96 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 16A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,8MOHM @ 10A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 15 NC @ 4,5 V | + 20V, -16V | 1385 pf @ 15 V | - | 34,7w (TC) | ||||||||
![]() | SI5509DC-T1-GE3 | - | ![]() | 3837 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5509 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4,5 W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | 6.1a, 4.8a | 52MOHM @ 5A, 4,5 V | 2V à 250µA | 6.6nc @ 5v | 455pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||
![]() | SIR460DP-T1-GE3 | 1.1800 | ![]() | 135 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir460 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,7MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2071 PF @ 15 V | - | 5W (TA), 48W (TC) | ||||||||
![]() | SQ4946AEY-T1_BE3 | - | ![]() | 7279 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4946 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4W (TC) | 8-SOIC | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 60V | 7a (TC) | 40 mohm @ 4.5a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 18nc @ 10v | 750pf @ 25v | - | ||||||||||||
![]() | Sihg065n60e-ge3 | 7.3900 | ![]() | 639 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg065 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 40A (TC) | 10V | 65MOHM @ 16A, 10V | 5V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||
![]() | SI1071X-T1-E3 | - | ![]() | 5143 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SI1071 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-89 (SOT-563F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 960mA (TA) | 2,5 V, 10V | 167MOHM @ 960MA, 10V | 1 45 V @ 250µA | 13.3 NC @ 10 V | ± 12V | 315 PF @ 15 V | - | 236MW (TA) | |||||||
![]() | SIS902DN-T1-GE3 | - | ![]() | 2874 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 Dual | SIS902 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 15.4W | PowerPak® 1212-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 75V | 4A | 186MOHM @ 3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 6nc @ 10v | 175pf @ 38v | - | |||||||||
![]() | U431 | - | ![]() | 5300 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-78-6 Metal Can | U431 | 500 MW | To-78-6 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 2 Canaux N (double) | 5pf @ 10v | 25 V | 24 Ma @ 10 V | 2 V @ 1 na | |||||||||||||
![]() | SI3948DV-T1-GE3 | - | ![]() | 1883 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3948 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.15W | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | - | 105MOHM @ 2,5A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 3.2nc @ 5v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||||||
![]() | SQ2309ES-T1_GE3 | 0,6700 | ![]() | 3026 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2309 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 1.7A (TC) | 4,5 V, 10V | 336MOHM @ 3,8A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 8,5 NC @ 10 V | ± 20V | 265 PF @ 25 V | - | 2W (TC) | ||||||||
![]() | V30393-T1-E3 | - | ![]() | 1069 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | V30393 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SI5480DU-T1-GE3 | - | ![]() | 7563 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Single | SI5480 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® Chipfet ™ Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 16MOHM @ 7.2A, 10V | 3V à 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||||
![]() | SI6413DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 3197 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6413 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 7.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 10MOHM @ 8.8A, 4,5 V | 800 mV à 400 µA | 105 NC @ 5 V | ± 8v | - | 1.05W (TA) | ||||||||
![]() | SI7964DP-T1-E3 | - | ![]() | 3245 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SI7964 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | PowerPak® SO-8 Dual | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 60V | 6.1a | 23MOHM @ 9.6A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 65nc @ 10v | - | - | |||||||||
![]() | SIE818DF-T1-E3 | 3.9800 | ![]() | 5543 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (L) | Sie818 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (L) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 75 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 9.5MOHM @ 16A, 10V | 3V à 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 38 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||||||
![]() | Sud50p10-43l-be3 | 2.6500 | ![]() | 4455 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | 742-Sud50p10-43l-Be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 100 V | 9.2A (TA), 37.1A (TC) | 4,5 V, 10V | 43MOHM @ 9.2A, 10V | 3V à 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4600 PF @ 50 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||||||
![]() | SI4477DY-T1-GE3 | 1.4600 | ![]() | 9032 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4477 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 26.6A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 6,2MOHM @ 18A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 190 NC @ 10 V | ± 12V | 4600 pf @ 10 V | - | 3W (TA), 6.6W (TC) | ||||||||
![]() | IRl540Strl | - | ![]() | 1719 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 28a (TC) | 4V, 5V | 77MOHM @ 17A, 5V | 2V à 250µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||||
![]() | SIR576DP-T1-RE3 | 1 4000 | ![]() | 9870 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIR576DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 11.1a (TA), 42.4a (TC) | 7,5 V, 10V | 16MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1870 PF @ 75 V | - | 5W (TA), 71,4W (TC) | |||||||||
![]() | Irfr430atrpbf | 1 9000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR430 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1,7 ohm @ 3a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||
![]() | SIR800ADP-T1-GE3 | 1 5500 | ![]() | 275 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir800 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 50.2a (TA), 177a (TC) | 2,5 V, 10V | 1 35 mohm @ 10a, 10v | 1,5 V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | + 12V, -8V | 3415 PF @ 10 V | - | 5W (TA), 62,5W (TC) | ||||||||
![]() | SQJ150EP-T1_GE3 | 0,8500 | ![]() | 3015 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ150 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQJ150EP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 66a (TC) | 10V | 8,4MOHM @ 15A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 1274 PF @ 25 V | - | 65W (TC) | |||||||
![]() | Sir104ldp-t1-re3 | 1.7200 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir104 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 18.8A (TA), 81A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,1MOHM @ 15A, 10V | 3V à 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4870 PF @ 50 V | - | 5.4W (TA), 100W (TC) | ||||||||
![]() | SIJ4819DP-T1-GE3 | 2.2100 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 80 V | 11.5A (TA), 44,4a (TC) | 4,5 V, 10V | 20.7MOHM @ 10A, 10V | 2,6 V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 3420 PF @ 40 V | - | 5W (TA), 73,5W (TC) | |||||||||
![]() | SI7454FDP-T1-RE3 | 0,8800 | ![]() | 3018 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 7.2a (TA), 23,5a (TC) | 4,5 V, 10V | 29.5MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 26,5 NC @ 10 V | ± 20V | 1110 PF @ 50 V | - | 3.6W (TA), 39W (TC) | |||||||||
![]() | SI3438DV-T1-GE3 | 1.1100 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3438 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 7.4a (TC) | 4,5 V, 10V | 35,5 mohm @ 5a, 10v | 3V à 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 3,5W (TC) | ||||||||
![]() | SIHB33N60EF-GE3 | 6.5000 | ![]() | 734 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb33 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 33A (TC) | 10V | 98MOHM @ 16,5A, 10V | 4V @ 250µA | 155 NC @ 10 V | ± 30V | 3454 PF @ 100 V | - | 278W (TC) | ||||||||
![]() | Irfr220trlpbf | 0,9300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR220 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 4.8A (TC) | 10V | 800mohm @ 2,9a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||||
![]() | IRF520PBF-BE3 | 1.1700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | 742-IRF520PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 9.2a (TC) | 10V | 270MOHM @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||
![]() | SI7848BDP-T1-GE3 | 1.7500 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7848 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 47a (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 16A, 10V | 3V à 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 20 V | - | 4.2W (TA), 36W (TC) |
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