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Transistors (5716)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
SI7145DP-T1-GE3	2.2900	RFQ	53	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7145	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	2,6MOHM @ 25A, 10V	2,3 V @ 250µA	413 NC @ 10 V	± 20V	15660 pf @ 15 V	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SQJ402EP-T1_GE3	1.5900	RFQ	5	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SQJ402	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	32A (TC)	4,5 V, 10V	11MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	51 NC @ 10 V	± 20V	2289 PF @ 40 V	-	83W (TC)
SUM75N15-18P-E3	-	RFQ	8160	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sum75	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	150 V	75A (TC)	10V	18MOHM @ 20A, 10V	4,5 V @ 250µA	100 nc @ 10 V	± 20V	4180 PF @ 75 V	-	3.12W (TA), 312.5W (TC)
VQ1004P-2	-	RFQ	6690	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	-	-	VQ1004	-		-	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		-		-	5v, 10v	-	-		± 20V		-	-
SiHP21N65EF-GE3	4.6600	RFQ	3994	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sihp21	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	650 V	21A (TC)	10V	180MOHM @ 11A, 10V	4V @ 250µA	106 NC @ 10 V	± 20V	2322 pf @ 100 V	-	208W (TC)
Sisa72Adn-T1-Ge3	0 7700	RFQ	4070	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	Sisa72	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	25.4A (TA), 94A (TC)	4,5 V, 10V	3 25MOHM @ 10A, 10V	2,4 V @ 250µA	50 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	2530 pf @ 20 V	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SQ3426EV-T1_GE3	0 7700	RFQ	498	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SQ3426	MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	7a (TC)	4,5 V, 10V	42MOHM @ 5A, 10V	2,5 V @ 250µA	12 NC @ 4,5 V	± 20V	720 pf @ 30 V	-	5W (TC)
Irfd113pbf	2.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	Irfd113	MOSFET (Oxyde Métallique)		4 HVMDIP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	100		Canal n	60 V	800mA (TC)	10V	800MOHM @ 800mA, 10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	± 20V	200 pf @ 25 V	-	1W (TC)
SQM85N15-19_GE3	3.6400	RFQ	2289	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SQM85	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	150 V	85a (TC)	10V	19MOHM @ 30A, 10V	3,5 V @ 250µA	120 NC @ 10 V	± 20V	6285 PF @ 25 V	-	375W (TC)
SI4114DY-T1-E3	1,7000	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4114	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	20 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	6MOHM @ 10A, 10V	2,1 V @ 250µA	95 NC @ 10 V	± 16V	3700 pf @ 10 V	-	2,5W (TA), 5,7W (TC)
SI7478DP-T1-GE3	2.8700	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7478	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	15A (TA)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 20a, 10v	3V à 250µA	160 NC @ 10 V	± 20V		-	1.9W (TA)
SI2315BDS-T1-BE3	0,5400	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	12 V	3a (ta)	1,8 V, 4,5 V	50MOHM @ 3 85A, 4,5 V	900 mV à 250 µA	15 NC @ 4,5 V	± 8v	715 PF @ 6 V	-	750MW (TA)
SQJ952EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	4707	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJ952	MOSFET (Oxyde Métallique)	25W (TC)	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		60V	23A (TC)		20mohm @ 10.3a, 10v	2,5 V @ 250µA	30nc @ 10v		1800pf @ 30v	-
Irf9530pbf-be3	1.8100	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	IRF9530	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger		1 (illimité)		742-IRF9530PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	100 V	12A (TC)		300 MOHM @ 7.2A, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	88W (TC)
SIHG25N40D-GE3	3,7000	RFQ	220	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Sihg25	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	400 V	25a (TC)	10V	170MOHM @ 13A, 10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	± 30V	1707 pf @ 100 V	-	278W (TC)
SIHF6N40D-E3	1.3900	RFQ	4637	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Sihf6	MOSFET (Oxyde Métallique)		Emballage complet à 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		Sihf6n40de3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	400 V	6A (TC)	10V	1OHM @ 3A, 10V	5V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 30V	311 PF @ 100 V	-	30W (TC)
SI7997DP-T1-GE3	2.2000	RFQ	17	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SI7997	MOSFET (Oxyde Métallique)	46W	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)		30V	60A		5,5 mohm @ 20a, 10v	2,2 V @ 250µA	160nc @ 10v		6200pf @ 15v	-
Irfps40n50lpbf	-	RFQ	7861	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 274aa	Irfps40	MOSFET (Oxyde Métallique)		Super-247 ™ (à 274aa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfps40n50lpbf	EAR99	8541.29.0095	25		Canal n	500 V	46A (TC)	10V	100MOHM @ 28A, 10V	5V @ 250µA	380 NC @ 10 V	± 30V	8110 PF @ 25 V	-	540W (TC)
Irfr010trl	-	RFQ	7602	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Irfr010	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	50 V	8.2a (TC)	10V	200 mohm @ 4.6a, 10v	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	± 20V	250 pf @ 25 V	-	25W (TC)
SISH106DN-T1-GE3	1.7200	RFQ	6	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8SH	Sish106	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8SH	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	20 V	12.5A (TA)	2,5 V, 4,5 V	6,2MOHM @ 19,5A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	27 NC @ 4,5 V	± 12V		-	1.5W (TA)
Irfbc40strl	-	RFQ	6695	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbc40	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	600 V	6.2a (TC)	10V	1,2 ohm @ 3,7a, 10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 130W (TC)
IRF820	-	RFQ	8979	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	IRF820	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	500 V	2.5a (TC)	10V	3OHM @ 1,5A, 10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	50W (TC)
Irfd9120pbf	1.5700	RFQ	62	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	IRFD9120	MOSFET (Oxyde Métallique)		4 HVMDIP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfd9120pbf	EAR99	8541.29.0095	100		Canal p	100 V	1a (ta)	10V	600mohm @ 600mA, 10V	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	390 pf @ 25 V	-	1.3W (TA)
IRF9620SPBF	2.6600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF9620	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal p	200 V	3.5a (TC)	10V	1,5 ohm @ 1,5a, 10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	3W (TA), 40W (TC)
SIR844DP-T1-GE3	-	RFQ	6675	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir844	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	25 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	2,8MOHM @ 15A, 10V	2,6 V @ 250µA	90 NC @ 10 V	± 20V	3215 PF @ 10 V	-	5W (TA), 50W (TC)
SIHH28N60E-T1-GE3	3.2036	RFQ	3483	Vishay Siliconix	E	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	Sihh28	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 8 x 8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	600 V	29A (TC)	10V	98MOHM @ 14A, 10V	5V @ 250µA	129 NC @ 10 V	± 30V	2614 PF @ 100 V	-	202W (TC)
SI1539DL-T1-E3	-	RFQ	4817	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1539	MOSFET (Oxyde Métallique)	270MW	SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	Canal n et p		30V	540mA, 420mA		480mohm @ 590mA, 10V	2,6 V @ 250µA	1.4NC @ 10V		-	Porte de Niveau Logique
Sihp25n50e-be3	3.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	500 V	26A (TC)	10V	145MOHM @ 12A, 10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	± 30V	1980 PF @ 100 V	-	250W (TC)
SUM70040E-GE3	3.0600	RFQ	1615	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sum70040	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	100 V	120A (TC)	7,5 V, 10V	4MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	± 20V	5100 pf @ 50 V	-	375W (TC)
Sia421dj-t1-ge3	1 0000	RFQ	53	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-70-6	Sia421	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	12A (TC)	4,5 V, 10V	35MOHM @ 5.3A, 10V	3V à 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	950 pf @ 15 V	-	3,5W (TA), 19W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Transistors (5716)

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