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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Siss54DN-T1-GE3 | 1.5700 |  | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN V | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 51.1a (TA), 185.6a (TC) | 4,5 V, 10V | 1.06MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | + 16v, -12v | 3450 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||
 | Siud403ed-T1-Ge3 | 0,3800 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN III | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 0806 | Siud403 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 0806 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 500mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 1,25 ohm @ 300mA, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 1 NC @ 4,5 V | ± 8v | 31 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | |||||
 | IRl630strrpbf | 2.6300 | | 4300 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL630 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5v | 2V à 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
 | IRF9530 | - | | 8795 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF9530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF9530 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 100 V | 12A (TC) | 10V | 300 MOHM @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||
 | SiDR392DP-T1-GE3 | 2.7200 | | 17 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sidr392 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8DC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 82A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 0,62MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 188 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 9530 PF @ 15 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
 | Irfr224trlpbf | 0,7088 | | 7938 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR224 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 250 V | 3.8A (TC) | 10V | 1,1 ohm @ 2,3a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| IRFR9110 | - | | 8679 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFR9110 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 100 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
 | IRC540PBF | - | | 5017 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-5 | IRC540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-5 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRC540PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77MOHM @ 17A, 10V | 4V @ 250µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | Détection de Courant | 150W (TC) | |||
 | SI4712DY-T1-GE3 | - | | 6991 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4712 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 14.6a (TC) | 4,5 V, 10V | 13MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1084 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
 | Sia4371edj-t1-ge3 | 0,5300 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIA4371EDJ-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 6.4A (TA), 9A (TC) | 2,5 V, 10V | 45MOHM @ 3,7A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 12V | - | 2.9W (TA), 15.6W (TC) | ||||||
 | SI7983DP-T1-E3 | - | | 5701 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SI7983 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 7.7a | 17MOHM @ 12A, 4,5 V | 1V @ 600µA | 74nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SI4434ADY-T1-GE3 | 2.0500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4434 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 250 V | 2.8A (TA), 4.1A (TC) | 7,5 V, 10V | 150 MOHM @ 2,8A, 10V | 4V @ 250µA | 16,5 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 125 V | - | 2.9W (TA), 6W (TC) | |||||
 | Sira00dp-t1-ge3 | 2.1800 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira00 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 11700 pf @ 15 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | Sud50p06-15l-e3 | 2.6600 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 60 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 15MOHM @ 17A, 10V | 3V à 250µA | 165 NC @ 10 V | ± 20V | 4950 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
| SidR638DP-T1-GE3 | 2.0800 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sidr638 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8DC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 0,88MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 204 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 10500 pf @ 20 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SI3851DV-T1-E3 | - | | 5942 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3851 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 1.6A (TA) | 4,5 V, 10V | 200 mohm @ 1,8a, 10v | 1V @ 250µA (min) | 3,6 NC @ 5 V | ± 20V | Diode Schottky (isolé) | 830mw (TA) | ||||||
| Irf9z20pbf | 1.9100 | | 936 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irf9z20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf9z20pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 50 V | 9.7A (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.6A, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 480 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
 | Sia413dj-t1-ge3 | 0,9400 | | 174 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia413 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 12A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 29MOHM @ 6.7A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 57 NC @ 8 V | ± 8v | 1800 pf @ 10 V | - | 3,5W (TA), 19W (TC) | |||||
| Sud50p04-08-be3 | 1 5000 | | 5751 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 15MOHM @ 30A, 10V | 1V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 100W (TC) | ||||||
| IRl510strlpbf | 1.5600 | | 800 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540 mOhm @ 3,4a, 5v | 2V à 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
| Irf730bpbf | 1.1400 | | 1572 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF730 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 400 V | 6A (TC) | 10V | 1OHM @ 3A, 10V | 5V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 311 PF @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||
 | SI7909DN-T1-GE3 | - | | 2105 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7909 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.3W | PowerPak® 1212-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 12V | 5.3a | 37MOHM @ 7,7A, 4,5 V | 1V @ 700µA | 24 NC à 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SQJ914EP-T1_GE3 | 1,3000 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ914 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 27W (TC) | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 30a (TC) | 12MOHM @ 4.5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 25nc @ 10v | 1110pf @ 15v | - | |||||||
 | SI3457CDV-T1-BE3 | 0,5400 | | 777 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI3457CDV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 4.1a (TA), 5.1a (TC) | 4,5 V, 10V | 74MOHM @ 4.1A, 10V | 3V à 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 3W (TC) | ||||||
| Sira18adp-t1-ge3 | 0,4300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 30,6a (TC) | 4,5 V, 10V | 8,7MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 21,5 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 1000 pf @ 15 V | - | 14.7W (TC) | ||||||
 | 2N6660JTXP02 | - | | 7376 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-205ad, to-39-3 Métal peut | 2N6660 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-205ad (to-39) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Canal n | 60 V | 990mA (TC) | 5v, 10v | 3OHM @ 1A, 10V | 2v @ 1MA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | SI1022R-T1-E3 | - | | 5032 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | SI1022 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-75A | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 330mA (TA) | 4,5 V, 10V | 1,25 ohm @ 500mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | 0,6 NC @ 4,5 V | ± 20V | 30 pf @ 25 V | - | 250mw (TA) | ||||
| SI4505DY-T1-E3 | - | | 4440 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4505 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.2W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 30v, 8v | 6a, 3.8a | 18MOHM @ 7.8A, 10V | 1,8 V à 250µA | 20nc @ 5v | - | Porte de Niveau Logique | |||||||
 | SIS106DN-T1-GE3 | 1.0500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Sis106 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 9.8A (TA), 16A (TC) | 7,5 V, 10V | 18,5 mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250µA | 13,5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 PF @ 30 V | - | 3.2W (TA), 24W (TC) | |||||
 | SIZF906ADT-T1-GE3 | 1.6100 | | 9280 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | Sizf906 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4.5W (TA), 38W (TC), 5W (TA), 83W (TC) | 8-PowerPair® (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 N-Canal (double), Schottky | 30V | 27A (TA), 60A (TC), 52A (TA), 60A (TC) | 3,8MOHM @ 15A, 10V, 1,17MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 49nc @ 10v, 200nc @ 10v | 2000pf @ 15v, 8200pf @ 15v | - |
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