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Transistors (5716)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id
Irfbc20spbf	2.9100	RFQ	4392	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbc20	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	600 V	2.2a (TC)	10V	4.4OHM @ 1.3A, 10V	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 50W (TC)
SI7862ADP-T1-E3	2.2903	RFQ	9686	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7862	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	16 V	18A (TA)	2,5 V, 4,5 V	3MOHM @ 29A, 4,5 V	2V à 250µA	80 NC @ 4,5 V	± 8v	7340 PF @ 8 V	-	1.9W (TA)
SI3900DV-T1-GE3	0,9700	RFQ	3978	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Si3900	MOSFET (Oxyde Métallique)	830mw	6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canaux N (double)		20V	2A		125 mohm @ 2,4a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	4nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SQ3419AEEV-T1_BE3	0,7000	RFQ	3910	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6		MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger		1 (illimité)		742-SQ3419AEV-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	40 V	6.9a (TC)	4,5 V, 10V	61MOHM @ 2,5A, 10V	2,5 V @ 250µA	12,5 NC @ 4,5 V	± 12V	975 PF @ 20 V	-	5W (TC)
Irfz34strl	-	RFQ	6769	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfz34	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	30a (TC)	10V	50MOHM @ 18A, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)
Sir632dp-t1-re3	1.3900	RFQ	3	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir632	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	150 V	29A (TC)	7,5 V, 10V	34,5 mohm @ 10a, 10v	4V @ 250µA	17 NC @ 7,5 V	± 20V	740 PF @ 75 V	-	69,5W (TC)
Irf840lpbf	1.6170	RFQ	2118	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF840	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	500 V	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
2N4416-E3	-	RFQ	6275	Vishay Siliconix	-	En gros	Obsolète	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-206af, to-72-4 Metal Can	2N4416		300 MW	To-206af (to-72)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	200		Canal n								4pf @ 15v			30 V	5 ma @ 15 V	3 V @ 1 na
SI7423DN-T1-GE3	1.5900	RFQ	3	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	Si7423	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	7.4a (TA)	4,5 V, 10V	18MOHM @ 11.7A, 10V	3V à 250µA	56 NC @ 10 V	± 20V		-	1.5W (TA)
SI4276DY-T1-GE3	-	RFQ	1826	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4276	MOSFET (Oxyde Métallique)	3,6W, 2,8W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		30V	8a		15.3MOHM @ 9.5A, 10V	2,5 V @ 250µA	26nc @ 10v		1000pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
SI4448DY-T1-GE3	-	RFQ	6725	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4448	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	12 V	50A (TC)	1,8 V, 4,5 V	1,7MOHM @ 20A, 4,5 V	1V @ 250µA	150 NC @ 4,5 V	± 8v	12350 pf @ 6 V	-	3,5W (TA), 7,8W (TC)
Irf9z24	-	RFQ	1992	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	IRF9	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRF9Z24	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal p	60 V	11a (TC)	10V	280MOHM @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 20V	570 pf @ 25 V	-	60W (TC)
SI1025X-T1-E3	-	RFQ	4135	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	SI1025	MOSFET (Oxyde Métallique)	250mw	SC-89 (SOT-563F)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)		60V	190m		4OHM @ 500mA, 10V	3V à 250µA	1.7NC @ 15V		23pf @ 25v	Porte de Niveau Logique
SIHB12N60ET1-GE3	1.2311	RFQ	9789	Vishay Siliconix	E	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sihb12	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	600 V	12A (TC)	10V	380MOHM @ 6A, 10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	± 30V	937 pf @ 100 V	-	147W (TC)
SI2309CDS-T1-BE3	0,5500	RFQ	24	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	60 V	1.2A (TA), 1,6A (TC)	4,5 V, 10V	345mohm @ 1 25a, 10v	3V à 250µA	4.1 NC @ 4,5 V	± 20V	210 pf @ 30 V	-	1W (TA), 1,7W (TC)
Irfbf20spbf	2.1000	RFQ	489	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbf20	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfbf20spbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	900 V	1.7A (TC)	10V	8OHM @ 1A, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	490 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 54W (TC)
SIR874DP-T1-GE3	-	RFQ	1844	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir874	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	25 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	9.4MOHM @ 10A, 10V	2,2 V @ 250µA	27 NC @ 10 V	± 20V	985 PF @ 15 V	-	3.9W (TA), 29,8W (TC)
Irfr9210trlpbf	-	RFQ	6808	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR9210	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	200 V	1.9A (TC)	10V	3ohm @ 1.1a, 10v	4V @ 250µA	8,9 NC @ 10 V	± 20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SI4472DY-T1-GE3	-	RFQ	5108	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4472	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	150 V	7.7a (TC)	8v, 10v	45MOHM @ 5A, 10V	4,5 V @ 250µA	43 NC @ 10 V	± 20V	1735 PF @ 50 V	-	3.1W (TA), 5.9W (TC)
Irli620gpbf	-	RFQ	6358	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	IRli620	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* Irli620gpbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	200 V	4A (TC)	4V, 5V	800MOHM @ 2,4A, 5V	2V à 250µA	16 NC @ 10 V	± 10V	360 pf @ 25 V	-	30W (TC)
Sub75p03-07-e3	-	RFQ	8289	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sub75	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal p	30 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	7MOHM @ 30A, 10V	3V à 250µA	240 NC @ 10 V	± 20V	9000 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 187W (TC)
Sud50n04-8m8p-4be3	1.2900	RFQ	5539	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sud50	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	-		1 (illimité)		742-Sud50N04-8M8P-4BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	40 V	14A (TA), 50A (TC)	4,5 V, 10V	8,8MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	56 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 20 V	-	3.1W (TA), 48.1W (TC)
SUD20N10-66L-BE3	0,8500	RFQ	8550	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sud20	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger		1 (illimité)		742-Sud20n10-66l-Be3tr	EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	100 V	16.9A (TC)	4,5 V, 10V	66MOHM @ 6.6A, 10V	3V à 250µA	30 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 50 V	-	2.1W (TA), 41,7W (TC)
SI4904DY-T1-E3	2.2300	RFQ	10	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4904	MOSFET (Oxyde Métallique)	3.25W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		40V	8a		16MOHM @ 5A, 10V	2V à 250µA	85nc @ 10v		2390pf @ 20v	-
2N5545JTXL01	-	RFQ	9006	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	To-71-6	2N5545			To-71	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	40		-								-
SIB411DK-T1-E3	-	RFQ	8734	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-75-6	Sib411	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-75-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	9A (TC)	1,8 V, 4,5 V	66MOHM @ 3,3A, 4,5 V	1V @ 250µA	15 NC @ 8 V	± 8v	470 pf @ 10 V	-	2.4W (TA), 13W (TC)
SIB410DK-T1-GE3	-	RFQ	9766	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-75-6	Sib410	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-75-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	9A (TC)	1,8 V, 4,5 V	42MOHM @ 3,8A, 4,5 V	1V @ 250µA	15 NC @ 8 V	± 8v	560 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 13W (TC)
SI4459BDY-T1-GE3	1.1800	RFQ	3	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4459	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-so	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	30 V	20,5A (TA), 27,8A (TC)	4,5 V, 10V	4,9MOHM @ 15A, 10V	2,2 V @ 250µA	84 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	3490 PF @ 15 V	-	3.1W (TA), 5.6W (TC)
Siha20n50e-e3	2.9400	RFQ	6914	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Siha20	MOSFET (Oxyde Métallique)		Emballage complet à 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	500 V	19A (TC)	10V	184MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	± 30V	1640 PF @ 100 V	-	34W (TC)
SIHB4N80E-GE3	1.1723	RFQ	9370	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sihb4	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	800 V	4.3A (TC)	10V	1.27OHM @ 2A, 10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	± 30V	622 PF @ 100 V	-	69W (TC)

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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