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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFI520G | - |  | 4610 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFI520G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 7.2a (TC) | 10V | 270MOHM @ 4.3A, 10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | |||
 | SI7880ADP-T1-GE3 | 2.0808 | | 4171 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7880 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 5600 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | IRF830APBF | 1.5700 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF830 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRF830APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 3a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
 | SUM110N06-3M9H-E3 | - | | 8595 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 110a (TC) | 10V | 3,9MOHM @ 30A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 15800 pf @ 25 V | - | 3 75W (TA), 375W (TC) | |||||
 | SI4286DY-T1-GE3 | - | | 2105 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4286 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.9W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 40V | 7a | 32,5 mohm @ 8a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 10.5nc @ 10v | 375pf @ 20v | - | |||||||
 | SIHP150N60E-GE3 | 3.7200 | | 2067 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp150 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIHP150N60E-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 22A (TC) | 10V | 155MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1514 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | ||||
 | SI7629DN-T1-GE3 | 1.1100 | | 19 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7629 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 35A (TC) | 2,5 V, 10V | 4,6MOHM @ 20A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 177 NC @ 10 V | ± 12V | 5790 PF @ 10 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | IRF840AS | - | | 8638 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF840AS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1018 PF @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
| Irf610pbf | 0,9300 | | 28 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF610 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf610pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 3.3A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||
| SI4511DY-T1-GE3 | - | | 6407 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4511 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 20V | 7.2a, 4.6a | 14,5MOHM @ 9.6A, 10V | 1,8 V à 250µA | 18nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||||
| SI4396DY-T1-E3 | - | | 2864 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4396 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16A (TC) | 4,5 V, 10V | 11,5MOHM @ 10A, 10V | 2,6 V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1675 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.4W (TC) | ||||
 | IRL640L | - | | 9208 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRL640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262-3 | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRL640L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5v | 2V à 250µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | - | |||
 | IRFPS43N50K | - | | 6544 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 274aa | Irfps43 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Super-247 ™ (à 274aa) | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFPS43N50K | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 500 V | 47a (TC) | 10V | 90MOHM @ 28A, 10V | 5V @ 250µA | 350 NC @ 10 V | ± 30V | 8310 PF @ 25 V | - | 540W (TC) | |||
| SIR184DP-T1-RE3 | 1.2500 | | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir184 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 20.7A (TA), 73A (TC) | 7,5 V, 10V | 5,8MOHM @ 10A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1490 PF @ 30 V | - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||
| IRF9520SPBF | 1.6800 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRF9520SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 100 V | 6.8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10v | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
| SI4559ADY-T1-E3 | 1.5600 | | 103 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4559 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W, 3.4W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 60V | 5.3a, 3.9a | 58MOHM @ 4.3A, 10V | 3V à 250µA | 20nc @ 10v | 665pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||
 | Irfpf30pbf | 4.9000 | | 1859 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfpf30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfpf30pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 900 V | 3.6A (TC) | 10V | 3,7 ohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI3442BDV-T1-E3 | 0,5900 | | 32 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3442 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V | 57MOHM @ 4A, 4,5 V | 1,8 V à 250µA | 5 NC @ 4,5 V | ± 12V | 295 PF @ 10 V | - | 860mw (TA) | |||||
| SI4164DY-T1-GE3 | 1.6300 | | 14 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4164 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 3545 PF @ 15 V | - | 3W (TA), 6W (TC) | ||||
| SUM110N04-04-E3 | - | | 4463 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 110a (TC) | 10V | 3,5 mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 6800 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 250W (TC) | |||||
| Irfs9n60atrl | - | | 2136 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRFS9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
 | Irfr9110tr | - | | 6803 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 100 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| IRl630strr | - | | 5852 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL630 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5v | 2V à 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| IRF737LC | - | | 2980 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF737 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRF737LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3,7a, 10v | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
 | SIE816DF-T1-E3 | - | | 2616 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (L) | Sie816 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (L) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 60a (TC) | 10V | 7,4MOHM @ 19.8A, 10V | 4,4 V @ 250µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 30 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SQJ968EP-T1_GE3 | 1.1000 | | 1792 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ968 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 42W (TC) | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 60V | 23,5a (TC) | 33,6MOHM @ 4.8A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 18.5nc @ 10v | 714pf @ 30v | - | |||||||
| Irfr9220trlpbf | 2.2900 | | 170 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 200 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||
| Irfz48strl | - | | 1613 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz48 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 10V | 18MOHM @ 43A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||
| IRFZ14S | - | | 6398 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFZ14S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 10A (TC) | 10V | 200 mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
 | SQD50N06-09L_GE3 | 5.0200 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3065 PF @ 25 V | - | 136W (TC) |
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