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Transistors (195)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
Vs-gb90da60u	-	RFQ	9603	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4	GB90		625 W	Standard	SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Vs-gb90da60ugi	EAR99	8541.29.0095	160	Célibataire												NPT	600 V	147 A	2,8 V @ 15V, 100A	100 µA	Non
Vs-cpv362m4fpbf	-	RFQ	9826	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	19-sip (13 pistes), IMS-2	CPV362		23 W	Standard	IMS-2	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSCPV362M4FPBF	EAR99	8541.29.0095	160													-	600 V	8.8 A	1,7 V @ 15V, 4.8a	250 µA	Non	340 pf @ 30 V
VS-GT300FD060N	670.5450	RFQ	4047	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Acheter la Dernière	175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (4 + 8)	GT300		1250 W	Standard	Double int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGT300FD060N	EAR99	8541.29.0095	12	Onduleur à trois niveaux												Arête du Champ de Tranché	600 V	379 A	2,5 V @ 15V, 300A	250 µA	Non	23.3 NF @ 30 V
Vs-cpv364m4kpbf	-	RFQ	2726	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	19-sip (13 pistes), IMS-2	CPV364		63 W	Standard	IMS-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	160	Onduleur Triphasé												-	600 V	24 A	1,8 V @ 15V, 24A	250 µA	Non	1,6 nf @ 30 V
Vs-gb400th120u	-	RFQ	5555	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 4)	GB 400		2660 W	Standard	Double int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB400TH120U	EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												NPT	1200 V	660 A	3,6 V @ 15V, 400A	5 mA	Non	33,7 nf @ 30 V
VS-GT100TP120N	-	RFQ	7011	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Int-a-pak (3 + 4)	GT100		652 W	Standard	Int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGT100TP120N	EAR99	8541.29.0095	24	Demi-pont												Tranché	1200 V	180 A	2,35 V @ 15V, 100A	5 mA	Non	12.8 NF @ 30 V
VS-GT50TP120N	-	RFQ	9172	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Int-a-pak (3 + 4)	GT50		405 W	Standard	Int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGT50TP120N	EAR99	8541.29.0095	24	Demi-pont												Tranché	1200 V	100 A	2,35 V @ 15V, 50A	5 mA	Non	6.24 NF @ 30 V
GA200SA60U	-	RFQ	1337	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-		Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	GA200		500 W	Standard	SOT-227B	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Célibataire												-	600 V	200 A	1,9 V @ 15V, 100A	1 mA	Non	16,5 nf @ 30 V
CPV364M4U	-	RFQ	7732	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	19-sip (13 pistes), IMS-2	CPV364		63 W	Standard	IMS-2	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	160	Onduleur Triphasé												-	600 V	20 a	1,84 V @ 15V, 20A	250 µA	Non	2.1 NF @ 30 V
Vs-50mt060tft	61.7800	RFQ	8553	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Fred PT®	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module 20 MTP	50mt060		144 W	Standard	20 MTP	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	112-VS-50MT060TFT			1	Achèvement Pont												Arête du Champ de Tranché	600 V	55 A	2.1V @ 15V, 50A	40 µA	Non	3000 pf @ 25 V
Vs-gt400th120u	-	RFQ	5234	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 8)	GT400		2344 W	Standard	Double int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGT400TH120U	EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												Tranché	1200 V	750 A	2,35 V @ 15V, 400A	5 mA	Non	51.2 nf @ 30 V
VS-70MT060WHTAPBF	-	RFQ	6381	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module 12-mtp	70mt060		347 W	Standard	MTP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Vs70mt060whtapbf	EAR99	8541.29.0095	105	Demi-pont												NPT	600 V	100 A	3,4 V @ 15V, 140A	700 µA	Non	8 nf @ 30 V
Vs-gb75na60uf	-	RFQ	4811	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	GB75		447 W	Standard	SOT-227	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	160	Célibataire												NPT	600 V	109 A	2V @ 15V, 35A	50 µA	Non
VS-GB55NA120UX	-	RFQ	6073	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Hexfred®	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	GB55		431 W	Standard	SOT-227	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	160	Célibataire												NPT	1200 V	84 A		50 µA	Non
Vs-gt200ts065s	115.8100	RFQ	3012	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Fred PT®	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module			1 kW	Standard		-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		112-VS-GT200TS065S			15	Onduleur de Demi-pont												Tranché	650 V	476 A		200 µA	Non
VS-50MT060WHTAPBF	-	RFQ	2346	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module 12-mtp	50mt060		658 W	Standard	MTP	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Vs50mt060whtapbf	EAR99	8541.29.0095	15	Demi-pont												-	600 V	114 A	3,2 V @ 15V, 100A	400 µA	Non	7.1 NF @ 30 V
Vs-gt75lp120n	-	RFQ	6088	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Int-a-pak	GT75		543 W	Standard	Int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	24	Demi-pont												-	1200 V	150 A	2,35 V @ 15V, 75A	5 mA	Non	5,52 nf @ 25 V
VS-20MT120UFP	-	RFQ	4450	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module 16-mtp	20mt120		240 W	Standard	MTP	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VS20MT120UFP	EAR99	8541.29.0095	105	ONDULEUR DE PONT ACHET												NPT	1200 V	40 A	4.66 V @ 15V, 40A	250 µA	Non	3,79 nf @ 30 V
Vs-gb150th120u	-	RFQ	6104	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 4)	GB150		1147 W	Standard	Double int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB150TH120U	EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												-	1200 V	280 A	3.6V @ 15V, 150A	5 mA	Non	12.7 NF @ 30 V
VS-GA200TH60S	-	RFQ	8699	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 4)	GA200		1042 W	Standard	Double int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGA200TH60S	EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												-	600 V	260 A	1,9 V @ 15V, 200A (TYP)	5 µA	Non	13.1 nf @ 25 V
VS-GT105LA120UX	-	RFQ	3465	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	GT105		463 W	Standard	SOT-227	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	160	Célibataire												NPT	1200 V	134 A		75 µA	Non
Cpv363m4k	-	RFQ	3068	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	19-sip (13 pistes), IMS-2	CPV363		36 W	Standard	IMS-2	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	160	Onduleur Triphasé												-	600 V	11 A	2V @ 15V, 11A	250 µA	Non	740 PF @ 30 V
Cpv364m4f	-	RFQ	6788	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-		Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	19-sip (13 pistes), IMS-2	CPV364		63 W	Standard	IMS-2	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	84	Onduleur Triphasé												-	600 V	27 A	1,6 V @ 15V, 27A	250 µA	Non	2.2 NF @ 30 V
VS-GB75SA120UP	-	RFQ	1928	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	GB75		658 W	Standard	SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		VSGB75SA120UP	EAR99	8541.29.0095	180	Célibataire												NPT	1200 V		3,8 V @ 15V, 75A	250 µA	Non
VS-GB300AH120N	-	RFQ	2164	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (5)	GB 300		2500 W	Standard	Double int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB300AH120N	EAR99	8541.29.0095	12	Célibataire												-	1200 V	620 A	1,9 V @ 15V, 300A (TYP)	5 mA	Non	21 nf @ 25 V
50mt060wh	-	RFQ	2289	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-		Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module 12-mtp	50mt060		658 W	Standard	12 MTP	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	15	Demi-pont												Pt	600 V	114 A	3,2 V @ 15V, 100A	400 µA	Non	7.1 NF @ 30 V
FB180SA10	-	RFQ	8744	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	FB180	MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n	100 V	180a (TC)	10V	6,5MOHM @ 108A, 10V	4V @ 250µA	380 NC @ 10 V	± 20V	10700 pf @ 25 V	-	480W (TC)
VS-GA250SA60S	-	RFQ	3119	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4	GA250		961 W	Standard	SOT-227	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Célibataire												-	600 V	400 A	1 66 V @ 15V, 200A	1 mA	Non	16.25 NF @ 30 V
VS-FC420SA15	25.6600	RFQ	2260	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	FC420	MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n	150 V	400A (TC)	10V	2 75MOHM @ 200A, 10V	5.4V @ 1MA	250 NC @ 10 V	± 20V	13700 pf @ 25 V	-	909W (TC)
Vs-gb400th120n	-	RFQ	8302	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 4)	GB 400		2604 W	Standard	Double int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB400TH120N	EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												-	1200 V	800 A	1,9 V @ 15V, 400A (TYP)	5 mA	Non	32,7 nf @ 25 V

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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