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Image	Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	ECAD	Quantité disponible	Poids (kg)	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
	VS-ENZ025C60N	64.7100	RFQ		10	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	*	Boîte	Actif									télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	112-VS-ENZ025C60N	EAR99	8541.29.0095	100
	VS-GP400TD60S	-	RFQ		1185	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 8)	GP400		1563 W	Standard	Double int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												Pt, tranché	600 V	758 A	1,52 V @ 15V, 400A	200 µA	Non
	Vs-cpv364m4upbf	-	RFQ		4578	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	19-sip (13 pistes), IMS-2	CPV364		63 W	Standard	IMS-2	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	160													-	600 V	20 a	2.1V @ 15V, 10A	250 µA	Non	2.1 NF @ 30 V
	Vs-gb200th120u	-	RFQ		9330	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 4)	GB 200		1316 W	Standard	Double int-a-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB200TH120U	EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												-	1200 V	330 A	3,6 V @ 15V, 200A	5 mA	Non	16,9 nf @ 30 V
	Vs-gt400th120n	-	RFQ		2344	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Double int-a-pak (3 + 8)	GT400		2119 W	Standard	Double int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGT400TH120N	EAR99	8541.29.0095	12	Demi-pont												Tranché	1200 V	600 A	2.15V @ 15V, 400A	5 mA	Non	28,8 nf @ 25 V
	Vs-gb05xp120ktpbf	-	RFQ		5750	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module 12-mtp	GB05		76 W	Standard	MTP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSGB05XP120KTPBF	EAR99	8541.29.0095	105	Onduleur Triphasé												-	1200 V	12 A	-	250 µA	Oui
	Cpv362m4f	-	RFQ		7380	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	19-sip (13 pistes), IMS-2	CPV362		23 W	Standard	IMS-2	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	160	Onduleur Triphasé												-	600 V	8.8 A	1 66 V @ 15V, 8.8A	250 µA	Non	340 pf @ 30 V
	Vs-cpv363m4upbf	-	RFQ		3479	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	19-sip (13 pistes), IMS-2	CPV363		36 W	Standard	IMS-2	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	160													-	600 V	13 A	2.2v @ 15v, 6.8a	250 µA	Non	1.1 nf @ 30 V
	Vs-gt150ts065s	100 8500	RFQ		6108	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	Fred PT®	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module			789 W	Standard		-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		112-VS-GT150TS065S			15	Onduleur de Demi-pont												Tranché	650 V	372 A		150 µA	Non
	CPV363M4U	-	RFQ		1226	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	19-sip (13 pistes), IMS-2	CPV363		36 W	Standard	IMS-2	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	160	Onduleur Triphasé												-	600 V	13 A	2V @ 15V, 13A	250 µA	Non	1.1 nf @ 30 V
	VS-FA40SA50LC	24.7261	RFQ		2509	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	FA40	MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	VSFA40SA50LC	EAR99	8541.29.0095	160		Canal n	500 V	40A (TC)	10V	130mohm @ 23A, 10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	± 20V	6900 pf @ 25 V	-	543W (TC)
	Vs-cpv363m4kpbf	-	RFQ		3037	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	19-sip (13 pistes), IMS-2	CPV363		36 W	Standard	IMS-2	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	160													-	600 V	11 A	2.1V @ 15V, 6A	250 µA	Non	740 PF @ 30 V
	GB35XF120K	-	RFQ		4628	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-		Obsolète	150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Econo2	GB35		284 W	Standard	-	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	14	Onduleur Triphasé												NPT	1200 V	50 a	3V @ 15V, 50A	100 µA	Non	3 475 NF @ 30 V
	VS-GP250SA60S	-	RFQ		7566	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	GP250		893 W	Standard	SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Célibataire												Pt, tranché	600 V	380 A	1,3 V @ 15V, 100A	100 µA	Non
	VS-GT100TP60N	79.2400	RFQ		24	0,00000000	Vishay General Semiconductor - Division Diodes	-	En gros	Actif	175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Int-a-pak (3 + 4)	GT100		417 W	Standard	Int-a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	24	Demi-pont												Tranché	600 V	160 A	2.1V @ 15V, 100A	5 mA	Non	7.71 NF @ 30 V

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