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Transistors (100539)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
PSMN8R5-108ES127	-	RFQ	4809	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1
Dms2120lfwb-7	0.1710	RFQ	7520	Les diodes incorporent	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	Dms2120		MOSFET (Oxyde Métallique)			8-DFN3020B (3x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p			20 V	2.9A (TA)	1,8 V, 4,5 V	95MOHM @ 2,8A, 4,5 V	1,3 V à 250µA		± 12V	632 PF @ 10 V	Diode Schottky (isolé)	1.5W (TA)
2SC4227-T1-A	0,3300	RFQ	102	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323				150mw		SOT-323	télécharger	Non applicable				EAR99	8541.21.0075	3 000				12 dB													10V	65mA									NPN		40 @ 7mA, 3V	7 GHz	1,4 dB à 1Hz
UPA608T-T1-A	0 1700	RFQ	38	Renesas Electronics America Inc	*	En gros	Actif										-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	3 000
SQJ146ELP-T1_GE3	0,9400	RFQ	2030	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SQJ146		MOSFET (Oxyde Métallique)			PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)		742-SQJ146ELP-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n			40 V	74a (TC)	4,5 V, 10V	5,8MOHM @ 15A, 10V	2,2 V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 20V	1780 pf @ 25 V	-	75W (TC)
Ixtx400n15x4	44.1200	RFQ	1	Ixys	Ultra x4	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixtx400		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n			150 V	400A (TC)	10V	3,1MOHM @ 100A, 10V	4,5 V @ 1MA	430 NC @ 10 V	± 20V	14500 pf @ 25 V	-	1500W (TC)
Yjl03n06b	0,0360	RFQ	300	Technologie Yangjie	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif										-	Rohs conforme		Atteindre non affecté	4617-YJL03N06BTR	EAR99		3 000
HUF75631S3S	0,7000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	HUF75		MOSFET (Oxyde Métallique)			D²PAK (à 263AB)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			100 V	33A (TC)	10V	40 mohm @ 33a, 10v	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	± 20V	1220 PF @ 25 V	-	120W (TC)
76018	-	RFQ	7306	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète				-						-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Ntmfs5c450nlt1g	2.3300	RFQ	2	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERTDFN, 5 pistes	Ntmfs5		MOSFET (Oxyde Métallique)			5-DFN (5x6) (8-SOFL)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 500		Canal n			40 V	27A (TA), 110A (TC)	4,5 V, 10V	2,8MOHM @ 40A, 10V	2V à 250µA	35 NC @ 10 V	± 20V	2100 PF @ 20 V	-	3.7W (TA), 68W (TC)
Iku06n60r	0.4900	RFQ	1	Infineon Technologies	Trenchstop®	En gros	Actif	-	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		Standard		100 W		PG à 251-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1			400V, 6A, 23OHM, 15V												68 ns	Tranché	600 V	12 A	18 a	2.1V @ 15V, 6A	330 µJ	48 NC	12NS / 127NS
AOD208	-	RFQ	3936	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	AOD20		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252 (dpak)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n			30 V	18A (TA), 54A (TC)	4,5 V, 10V	4.4MOHM @ 20A, 10V	2,3 V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 20V	2210 PF @ 15 V	-	2.5W (TA), 62W (TC)
2SJ653	-	RFQ	5170	Sanyo	-	En gros	Obsolète	150 ° C	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220 ml	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-2SJ653-600057			1		Canal p			60 V	37a (TA)	4V, 10V	25MOHM @ 19A, 10V	2.6V @ 1MA	120 NC @ 10 V	± 20V	6500 PF @ 20 V	-	2W (TA), 35W (TC)
TK3P80E, RQ	1.1500	RFQ	4414	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n			800 V	3a (ta)	10V	4,9 ohm @ 1,5a, 10v	4V à 300µA	12 NC @ 10 V	± 30V	500 pf @ 25 V	-	80W (TC)
Stwa72n60dm6ag	10.3978	RFQ	3154	Stmicroelectronics	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Stwa72		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 Pistes longs	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-stwa72n60dm6ag	EAR99	8541.29.0095	600		Canal n			600 V	56a (TC)	10V	42MOHM @ 28A, 10V	4,75 V @ 250µA	98 NC @ 10 V	± 25V	4444 PF @ 100 V	-	390W (TC)
FDMS2506SDC	-	RFQ	4733	onsemi	Dual Cool ™, PowerTrench®, SyncFet ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	FDMS25		MOSFET (Oxyde Métallique)			8-pqfn (5x6)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n			25 V	39A (TA), 49A (TC)	4,5 V, 10V	1 45 mohm @ 30a, 10v	3V @ 1MA	93 NC @ 10 V	± 20V	5945 PF @ 13 V	-	3.3W (TA), 89W (TC)
Dmp31d7ldw-7	0,0706	RFQ	6056	Les diodes incorporent	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Dmp31		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-363	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	DMPP31D7LDW-7DI	EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)					550mA (TA)		900MOHM @ 420mA, 10V	2,6 V @ 250µA				-
MMIX4B20N300	105.4600	RFQ	2	Ixys	Bimosfet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Module 24 mm, 9 leads	MMIX4B20			150 W	Standard	24-SMPD	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	20	Achèvement Pont															-	3000 V	34 A		3.2V @ 15V, 20A					Non
SQJ444EP-T1_BE3	1.3300	RFQ	9631	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8			MOSFET (Oxyde Métallique)			PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)		742-SQJ444EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n			40 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	3,2MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	80 NC @ 10 V	± 20V	5000 pf @ 25 V	-	68W (TC)
PBLS2023D, 115	0 1200	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif				Pbls20						télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000
BCX54-16E6327	0,0800	RFQ	105	Infineon Technologies	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa				2 W		PG-Sot89-4-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1																	45 V	1 a						100NA (ICBO)				500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 2V	100 MHz
OP533,005	0,3375	RFQ	5733	Semi-conduurs de ween	*	Plateau	Actif				OP533		-				-		1 (illimité)				0000.00.0000	1													-
Irf9z34nstrrpbf	-	RFQ	4590	Redressleur International	Hexfet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	800		Canal p			55 V	19A (TC)	10V	100MOHM @ 10A, 10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 68W (TC)
PSMN7R8-120PSQ	-	RFQ	2412	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I2pak	télécharger					EAR99	8541.29.0095	177		Canal n			120 V	70A (TC)	10V	7,9MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	167 NC @ 10 V	± 20V	9473 PF @ 60 V	-	349W (TC)
IXFN44N50Q	-	RFQ	6857	Ixys	HiperFet ™, Q CLASSE	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn44		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n			500 V	44a (TC)	10V	120 MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	± 20V	7000 pf @ 25 V	-	500W (TC)
FP50R12W2T7PBPSA1	84.1750	RFQ	2139	Infineon Technologies	EasyPim ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module				20 MW	Redredeur de pont en trois phases	Ag-Easy2b	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	18	Onduleur Triphasé															Arête du Champ de Tranché	1200 V	50 a		1,6 V @ 15V, 35A				5 µA	Oui	11.1 NF @ 25 V
Fdp13an06a0_nl	-	RFQ	4876	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			60 V	10.9a (TA), 62A (TC)	6v, 10v	13,5 mohm @ 62a, 10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1350 pf @ 25 V	-	115W (TC)
DMC2710UV-7	0.4400	RFQ	5	Les diodes incorporent	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	DMC2710		MOSFET (Oxyde Métallique)	460mw (TA)		SOT-563	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	N et p-canal p Complémentaire				20V	1.1A (TA), 800mA (TA)		400MOHM @ 600mA, 4,5 V, 700MOHM @ 430mA, 4,5 V	1V @ 250µA	0,6nc @ 4,5 V, 0,7nc @ 4,5 V		42pf @ 16v, 49pf @ 16v	-
FDMS9409-F085	-	RFQ	7923	onsemi	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	FDMS94		MOSFET (Oxyde Métallique)			Power56	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n			40 V	65A (TC)	10V	3,2MOHM @ 65A, 10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	± 20V	3130 pf @ 20 V	-	100W (TJ)
2N5210rlra	0,0400	RFQ	36	onsemi	*	En gros	Actif										télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.21.0095	2 000

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