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Transistors (100539)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
2SK1313-01L-E Renesas Electronics America Inc 2SK1313-01L-E 2.0900
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 ECAD 281 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * En gros Actif - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1
PJMB210N65EC_R2_00601 Panjit International Inc. PJMB210N65EC_R2_00601 2.2700
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 ECAD 276 0,00000000 Panjit International Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab PJMB210 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 3757-PJMB210N65EC_R2_00601CT EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 650 V 19A (TC) 10V 210MOHM @ 9.5A, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 V ± 30V 1412 pf @ 400 V - 150W (TC)
NTD78N03R-035 onsemi NTD78N03R-035 0,2100
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 ECAD 2 0,00000000 onsemi * En gros Actif télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
DSC7101R0L Panasonic Electronic Components Dsc7101r0l -
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 ECAD 6638 0,00000000 Composants Électroniques Panasoniques - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa DSC7101 1 W Minip3-f2-b - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 000 80 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 400 mV @ 30mA, 300mA 130 @ 150mA, 10V 150 MHz
2SC4935-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4935-Y, Q (J -
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 ECAD 8469 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SC4935 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 3 A 1µA (ICBO) NPN 600mV @ 200mA, 2A 70 @ 500mA, 2V 80 MHz
JANSH2N2221AUB/TR Microchip Technology Jansh2n2221aub / tr 165.5408
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 ECAD 6209 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/255 Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C Support de surface 3 mm, pas de plomb 500 MW Ub - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-Jansh2N2221AUB / TR EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 mA 50na NPN 1V @ 50mA, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
SQA401EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA401EJ-T1_GE3 0,6300
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 ECAD 2854 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 SQA401 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SC-70-6 Single télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 3.75A (TC) 2,5 V, 4,5 V 125 mohm @ 2,4a, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 5,5 NC @ 4,5 V ± 12V 330 pf @ 10 V - 13.6W (TC)
APTC80A10SCTG Microchip Technology APTC80A10SCTG 151.4613
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 ECAD 3935 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP4 Aptc80 MOSFET (Oxyde Métallique) 416W SP4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 N-Canal (Demi-pont) 800 V 42a 100MOHM @ 21A, 10V 3,9 V @ 3MA 273nc @ 10v 6761pf @ 25v -
PJD8NA50_L2_00001 Panjit International Inc. Pjd8na50_l2_00001 -
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 ECAD 6138 0,00000000 Panjit International Inc. - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 PJD8N MOSFET (Oxyde Métallique) À 252 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 3757-pjd8na50_l2_00001dkr EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 500 V 8a (ta) 10V 900MOHM @ 4A, 10V 4V @ 250µA 16.2 NC @ 10 V ± 30V 826 pf @ 25 V - 130W (TC)
TSM60NB099PW C1G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW C1G 15.1800
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 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 38A (TC) 10V 99MOHM @ 11,7A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 329W (TC)
DMN2041UVT-7 Diodes Incorporated DMN2041UVT-7 0 4600
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 ECAD 2 0,00000000 Les diodes incorporent Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 DMN2041 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.1W TSOT-26 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 5.8A (TA) 28MOHM @ 8.2A, 4,5 V 900 mV à 250 µA 9.1nc @ 4,5 V 689pf @ 10v -
NTD5865NT4G onsemi Ntd5865nt4g -
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 ECAD 8423 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 NTD58 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 43A (TC) 10V 18MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1261 PF @ 25 V - 71W (TC)
BUK9Y53-100B,115 Nexperia USA Inc. Buk9y53-100b, 115 1.1000
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 ECAD 31 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SC-100, SOT-669 Buk9y53 MOSFET (Oxyde Métallique) LFPAK56, Power-SO8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 500 Canal n 100 V 23A (TC) 4,5 V, 10V 49MOHM @ 10A, 10V 2v @ 1MA 18 NC @ 5 V ± 15V 2130 pf @ 25 V - 75W (TC)
IRGP4640PBF International Rectifier Irgp4640pbf 1 9000
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 ECAD 10 0,00000000 Redressleur International - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 250 W À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 1 400V, 24A, 10 ohms, 15v - 600 V 65 A 72 A 1,9 V @ 15V, 24A 100 µJ (ON), 600 µJ (OFF) 75 NC 40ns / 105ns
BC212LB_J35Z onsemi BC212LB_J35Z -
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 ECAD 2882 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BC212 350 MW To-92-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 2 000 50 V 100 mA 15NA (ICBO) Pnp 600 mV @ 5mA, 100mA 60 @ 2MA, 5V -
2N5407 Microchip Technology 2N5407 23.7671
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 ECAD 6618 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif - Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 7,5 W To-5 - Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 100 V 5 a - Pnp - - -
R6018JNXC7G Rohm Semiconductor R6018JNXC7G 5.0700
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 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET R6018 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 18A (TC) 15V 286MOHM @ 9A, 15V 7V @ 4.2mA 42 NC @ 15 V ± 30V 1300 pf @ 100 V - 72W (TC)
2N5885 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N5885 PBFREE -
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 ECAD 4046 0,00000000 Centre des semi-conduurs Centraux - Tube Acheter la Dernière -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 200 W To-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 60 V 25 A 2MA NPN 4V @ 6.25A, 25A 20 @ 10A, 4V 4 MHz
IXGA8N100 IXYS Ixga8n100 -
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 ECAD 8391 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixga8 Standard 54 W À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 800 V, 8A, 120OHM, 15V Pt 1000 V 16 A 32 A 2,7 V @ 15V, 8A 2,3MJ (off) 26,5 NC 15NS / 600NS
STGW20V60DF STMicroelectronics Stgw20v60df 3.9100
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 ECAD 637 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STGW20 Standard 167 W À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-13763-5 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 15V 40 ns Arête du Champ de Tranché 600 V 40 A 80 A 2.2V @ 15V, 20A 200 µJ (ON), 130 µJ (OFF) 116 NC 38ns / 149ns
IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies IAUS165N08S5N029ATMA1 4.5700
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 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 Powersmd, Aile du Mouette IAUS165 MOSFET (Oxyde Métallique) Pg-hsog-8-1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 800 Canal n 80 V 165a (TC) 6v, 10v 2,9MOHM @ 80A, 10V 3,8 V @ 108µA 90 NC @ 10 V ± 20V 6370 PF @ 40 V - 167W (TC)
D44C5 Solid State Inc. D44c5 0,5000
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 ECAD 100 0,00000000 Solid State Inc. - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 30 W À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini 2383-D44C5 EAR99 8541.10.0080 10 45 V 4 A 10 µA NPN 500 mV @ 50mA, 1A 100 @ 200mA, 1v 50 MHz
APT17F120J Microchip Technology APT17F120J 34.0700
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 ECAD 9357 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 8 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Apt17f120 MOSFET (Oxyde Métallique) Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1200 V 18A (TC) 10V 580MOHM @ 14A, 10V 5V @ 2,5mA 300 NC @ 10 V ± 30V 9670 PF @ 25 V - 545W (TC)
MTP75N06HD onsemi MTP75N06HD 1.0700
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 ECAD 9803 0,00000000 onsemi * En gros Actif - Rohs3 conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini 2156-MTP75N06HD EAR99 8541.29.0095 1
NTTFS5826NLTAG onsemi Nttfs5826nltag 0,8500
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 ECAD 7800 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN NTTFS5826 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-WDFN (3.3x3.3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 500 Canal n 60 V 8a (ta) 4,5 V, 10V 24MOHM @ 7.5A, 10V 3V à 250µA 25 NC @ 10 V ± 20V 850 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 19W (TC)
DMN601TK-7 Diodes Incorporated Dmn601tk-7 0,3700
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 ECAD 67 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-523 DMN601 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-523 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 60 V 300mA (TA) 5v, 10v 2OHM @ 500mA, 10V 2,5 V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 150mw (TA)
JANKCBM2N3700 Microchip Technology Jankcbm2n3700 -
RFQ
 ECAD 1716 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/391 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN 500 MW À 18 (à 206aa) - Atteindre non affecté 150-JANKCBM2N3700 100 80 V 1 a 10na NPN 500 mV à 50ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3429EDV-T1-GE3 0 4700
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 ECAD 2398 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3429 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 8A (TA), 8A (TC) 1,8 V, 4,5 V 21MOHM @ 4A, 4,5 V 1V @ 250µA 118 NC @ 10 V ± 8v 4085 PF @ 50 V - 4.2W (TC)
MCH6644-C-TL-E onsemi MCH6644-C-TL-E 0,1000
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 ECAD 75 0,00000000 onsemi * En gros Actif - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0095 3 000
PCISL9R860W onsemi PCisl9r860w -
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 ECAD 1386 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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