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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type igbt | Vce (on) (max) @ vge, ic |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SUD25N04-25-T4-E3 | - | ![]() | 6074 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 25a (TC) | 4,5 V, 10V | 25MOHM @ 25A, 10V | 3V à 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 510 PF @ 25 V | - | 3W (TA), 33W (TC) | |||||||
![]() | Nvmfsc0d9n04c | 6.0900 | ![]() | 5820 | 0,00000000 | onsemi | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | Nvmfsc0 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 48,9A (TA), 313A (TC) | 10V | 0,87MOHM @ 50A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 25 V | - | 4.1W (TA), 166W (TC) | |||||||
![]() | CPH6347-TL-HX | - | ![]() | 5191 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | CPH634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 cmph | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 39MOHM @ 3A, 4,5 V | 1,4 V @ 1MA | 10,5 NC @ 4,5 V | ± 12V | 860 pf @ 10 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||
![]() | Ipa95r750p7xksa1 | 2.5300 | ![]() | 485 | 0,00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | IPA95R750 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG à 220-FP | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 950 V | 9A (TC) | 10V | 750mohm @ 4.5a, 10v | 3,5 V @ 220µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 712 PF @ 400 V | - | 28W (TC) | |||||||
![]() | SI4423DY-T1-GE3 | 1.2191 | ![]() | 5647 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4423 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 10A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 7,5 mohm @ 14a, 4,5 V | 900 mV à 600 µA | 175 NC @ 5 V | ± 8v | - | 1.5W (TA) | |||||||||
![]() | BUK9875-100A / CUX | - | ![]() | 9397 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdbl0210n80 | 5.8600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | onsemi | PowerTrench® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 Powersfn | Fdbl0210 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 hpsof | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 80 V | 240a (TC) | 10V | 2MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 169 NC @ 10 V | ± 20V | 10000 pf @ 40 V | - | 357W (TJ) | |||||||
![]() | STL260N4F7 | 2.8500 | ![]() | 8981 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ F7 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL260 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-STL260N4F7TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 10V | 1,1mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 5000 pf @ 25 V | - | 188W (TC) | ||||||
![]() | DMP2108UCB6-7 | - | ![]() | 7038 | 0,00000000 | Les diodes incorporent | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, wlbga | DMP2108 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 840mw | U-wlb1510-6 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 31-DMP2108UCB6-7TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 2.25a | 55MOHM @ 1A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 2.1nc @ 4,5 V | 269pf @ 10v | - | ||||||||
![]() | NGB8206NSL3 | 0,5100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2617ALS-CB11 | 1.3500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB10upx | - | ![]() | 7435 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UDFN | PMPB10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DFN2020MD-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 10A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 11,5 mohm @ 10a, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 40 NC @ 4,5 V | ± 8v | 2200 pf @ 6 V | - | 1.7W (TA), 13MW (TC) | |||||||
![]() | 2SK543-4-TB-E | 1 0000 | ![]() | 9705 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | STU7NF25 | 1,6000 | ![]() | 5902 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STU7NF25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 250 V | 8A (TC) | 10V | 420mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 25 V | - | 72W (TC) | |||||||
![]() | STB60NF06T4 | 2.1300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 60a (TC) | 10V | 16MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 1810 PF @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||
![]() | FS200T12A1T4BOSA1 | - | ![]() | 7984 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | - | - | FS200T12 | - | - | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP000840730 | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | Irf630a_cp001 | 0,4000 | ![]() | 227 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | IRF630 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||
![]() | R6015enjtl | 4.0000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | R6015 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Lpts | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 15A (TC) | 10V | 290MOHM @ 6.5A, 10V | 4V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 910 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||
![]() | TK4A80E, S4X | 1.2300 | ![]() | 9274 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | 150 ° C | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220sis | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 4a (ta) | 10V | 3,5 ohm @ 2a, 10v | 4V @ 400µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 650 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||
![]() | RFP8P05 | 1 0000 | ![]() | 1742 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 50 V | 8A (TC) | 300mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250µA | 80 NC @ 20 V | - | |||||||||||||||
![]() | STW13N60M2 | - | ![]() | 1427 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II Plus | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW13N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 600 V | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 25V | 580 pf @ 100 V | - | 110W (TC) | |||||||
![]() | BUK953R5-60E, 127 | - | ![]() | 4741 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 5v, 10v | 3,4MOHM @ 25A, 10V | 2.1V @ 1MA | 95 NC @ 5 V | ± 10V | 13490 pf @ 25 V | - | 293W (TC) | ||||||||
![]() | PMN45en, 135 | - | ![]() | 2305 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 000 | Canal n | 30 V | 5.2a (TC) | 4,5 V, 10V | 40 mohm @ 3a, 10v | 2v @ 1MA | 6.1 NC @ 4,5 V | 20V | 495 PF @ 25 V | - | 1,75W (TC) | ||||||||
![]() | FQB7N30TM | 0,7800 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 300 V | 7a (TC) | 10V | 700mohm @ 3,5a, 10v | 5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 610 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA), 85W (TC) | ||||||||||
![]() | PMXB56en147 | - | ![]() | 1146 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 5 000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfsl4310zpbf | - | ![]() | 2861 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001557618 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 120A (TC) | 10V | 6MOHM @ 75A, 10V | 4V à 150µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 6860 pf @ 50 V | - | 250W (TC) | |||||||
![]() | SQJQ142E-T1_GE3 | 2.5200 | ![]() | 1641 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | SQJQ142 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQJQ142E-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 460a (TC) | 10V | 1.24MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 6975 PF @ 25 V | - | 500W (TC) | |||||||
![]() | 2SK544E-AC | 0,0700 | ![]() | 19 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
Rrs040p03fratb | 0,3489 | ![]() | 2760 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | RRS040 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 4a (ta) | 4V, 10V | 75MOHM @ 4A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 5.2 NC @ 5 V | ± 20V | 480 PF @ 10 V | - | 2W (ta) | |||||||||
![]() | IXTH30N25L2 | 19.6670 | ![]() | 8977 | 0,00000000 | Ixys | L2 ™ Lineaire | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Ixth30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 (ixth) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 238-IXTH30N25L2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 250 V | 30a (TC) | 10V | 140mohm @ 15a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 355W (TC) |
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