SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Vce (on) (max) @ vge, ic
SUD25N04-25-T4-E3 Vishay Siliconix SUD25N04-25-T4-E3 -
RFQ
ECAD 6074 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sud25 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 25a (TC) 4,5 V, 10V 25MOHM @ 25A, 10V 3V à 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 510 PF @ 25 V - 3W (TA), 33W (TC)
NVMFSC0D9N04C onsemi Nvmfsc0d9n04c 6.0900
RFQ
ECAD 5820 0,00000000 onsemi Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn Nvmfsc0 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-DFN (5x6.15) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 40 V 48,9A (TA), 313A (TC) 10V 0,87MOHM @ 50A, 10V 3,5 V @ 250µA 86 NC @ 10 V ± 20V 6100 pf @ 25 V - 4.1W (TA), 166W (TC)
CPH6347-TL-HX onsemi CPH6347-TL-HX -
RFQ
ECAD 5191 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 CPH634 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 cmph - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 6a (ta) 1,8 V, 4,5 V 39MOHM @ 3A, 4,5 V 1,4 V @ 1MA 10,5 NC @ 4,5 V ± 12V 860 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
IPA95R750P7XKSA1 Infineon Technologies Ipa95r750p7xksa1 2.5300
RFQ
ECAD 485 0,00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET IPA95R750 MOSFET (Oxyde Métallique) PG à 220-FP télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 950 V 9A (TC) 10V 750mohm @ 4.5a, 10v 3,5 V @ 220µA 23 NC @ 10 V ± 20V 712 PF @ 400 V - 28W (TC)
SI4423DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4423DY-T1-GE3 1.2191
RFQ
ECAD 5647 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4423 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 20 V 10A (TA) 1,8 V, 4,5 V 7,5 mohm @ 14a, 4,5 V 900 mV à 600 µA 175 NC @ 5 V ± 8v - 1.5W (TA)
BUK9875-100A/CUX NXP USA Inc. BUK9875-100A / CUX -
RFQ
ECAD 9397 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif - 0000.00.0000 1
FDBL0210N80 onsemi Fdbl0210n80 5.8600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 onsemi PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 Powersfn Fdbl0210 MOSFET (Oxyde Métallique) 8 hpsof télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 80 V 240a (TC) 10V 2MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 169 NC @ 10 V ± 20V 10000 pf @ 40 V - 357W (TJ)
STL260N4F7 STMicroelectronics STL260N4F7 2.8500
RFQ
ECAD 8981 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ F7 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn STL260 MOSFET (Oxyde Métallique) Powerflat ™ (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-STL260N4F7TR EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 40 V 120A (TC) 10V 1,1mohm @ 24a, 10v 4V @ 250µA 72 NC @ 10 V ± 20V 5000 pf @ 25 V - 188W (TC)
DMP2108UCB6-7 Diodes Incorporated DMP2108UCB6-7 -
RFQ
ECAD 7038 0,00000000 Les diodes incorporent - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-ufbga, wlbga DMP2108 MOSFET (Oxyde Métallique) 840mw U-wlb1510-6 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 31-DMP2108UCB6-7TR EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 2.25a 55MOHM @ 1A, 4,5 V 1,1 V @ 250µA 2.1nc @ 4,5 V 269pf @ 10v -
NGB8206NSL3 onsemi NGB8206NSL3 0,5100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 onsemi * En gros Actif télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1
2SK2617ALS-CB11 onsemi 2SK2617ALS-CB11 1.3500
RFQ
ECAD 5 0,00000000 onsemi * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1
PMPB10UPX Nexperia USA Inc. PMPB10upx -
RFQ
ECAD 7435 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-UDFN PMPB10 MOSFET (Oxyde Métallique) DFN2020MD-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 12 V 10A (TA) 1,8 V, 4,5 V 11,5 mohm @ 10a, 4,5 V 900 mV à 250 µA 40 NC @ 4,5 V ± 8v 2200 pf @ 6 V - 1.7W (TA), 13MW (TC)
2SK543-4-TB-E onsemi 2SK543-4-TB-E 1 0000
RFQ
ECAD 9705 0,00000000 onsemi * En gros Actif - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0095 3 000
STU7NF25 STMicroelectronics STU7NF25 1,6000
RFQ
ECAD 5902 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa STU7NF25 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 250 V 8A (TC) 10V 420mohm @ 4a, 10v 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 72W (TC)
STB60NF06T4 STMicroelectronics STB60NF06T4 2.1300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STB60 MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 60 V 60a (TC) 10V 16MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 V ± 20V 1810 PF @ 25 V - 110W (TC)
FS200T12A1T4BOSA1 Infineon Technologies FS200T12A1T4BOSA1 -
RFQ
ECAD 7984 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Obsolète - - - FS200T12 - - - 1 (illimité) Atteindre non affecté SP000840730 OBSOLÈTE 0000.00.0000 1 - - -
IRF630A_CP001 Fairchild Semiconductor Irf630a_cp001 0,4000
RFQ
ECAD 227 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif IRF630 - - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 1 -
R6015ENJTL Rohm Semiconductor R6015enjtl 4.0000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab R6015 MOSFET (Oxyde Métallique) Lpts télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 15A (TC) 10V 290MOHM @ 6.5A, 10V 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20V 910 PF @ 25 V - 40W (TC)
TK4A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4A80E, S4X 1.2300
RFQ
ECAD 9274 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 150 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 4a (ta) 10V 3,5 ohm @ 2a, 10v 4V @ 400µA 15 NC @ 10 V ± 30V 650 pf @ 25 V - 35W (TC)
RFP8P05 Fairchild Semiconductor RFP8P05 1 0000
RFQ
ECAD 1742 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 50 V 8A (TC) 300mohm @ 8a, 10v 4V @ 250µA 80 NC @ 20 V -
STW13N60M2 STMicroelectronics STW13N60M2 -
RFQ
ECAD 1427 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Plus Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW13N MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 25V 580 pf @ 100 V - 110W (TC)
BUK953R5-60E,127 Nexperia USA Inc. BUK953R5-60E, 127 -
RFQ
ECAD 4741 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 60 V 120A (TC) 5v, 10v 3,4MOHM @ 25A, 10V 2.1V @ 1MA 95 NC @ 5 V ± 10V 13490 pf @ 25 V - 293W (TC)
PMN45EN,135 Nexperia USA Inc. PMN45en, 135 -
RFQ
ECAD 2305 0,00000000 Nexperia USA Inc. TRENCHMOS ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-74, SOT-457 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 30 V 5.2a (TC) 4,5 V, 10V 40 mohm @ 3a, 10v 2v @ 1MA 6.1 NC @ 4,5 V 20V 495 PF @ 25 V - 1,75W (TC)
FQB7N30TM Fairchild Semiconductor FQB7N30TM 0,7800
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 300 V 7a (TC) 10V 700mohm @ 3,5a, 10v 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 610 PF @ 25 V - 3.13W (TA), 85W (TC)
PMXB56EN147 NXP USA Inc. PMXB56en147 -
RFQ
ECAD 1146 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0095 5 000
IRFSL4310ZPBF Infineon Technologies Irfsl4310zpbf -
RFQ
ECAD 2861 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa MOSFET (Oxyde Métallique) À 262 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté SP001557618 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 100 V 120A (TC) 10V 6MOHM @ 75A, 10V 4V à 150µA 170 NC @ 10 V ± 20V 6860 pf @ 50 V - 250W (TC)
SQJQ142E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ142E-T1_GE3 2.5200
RFQ
ECAD 1641 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 8 x 8 SQJQ142 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 8 x 8 - Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SQJQ142E-T1_GE3TR EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 40 V 460a (TC) 10V 1.24MOHM @ 20A, 10V 3,5 V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 20V 6975 PF @ 25 V - 500W (TC)
2SK544E-AC onsemi 2SK544E-AC 0,0700
RFQ
ECAD 19 0,00000000 onsemi * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0095 1
RRS040P03FRATB Rohm Semiconductor Rrs040p03fratb 0,3489
RFQ
ECAD 2760 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) RRS040 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 4a (ta) 4V, 10V 75MOHM @ 4A, 10V 2,5 V @ 1MA 5.2 NC @ 5 V ± 20V 480 PF @ 10 V - 2W (ta)
IXTH30N25L2 IXYS IXTH30N25L2 19.6670
RFQ
ECAD 8977 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTH30N25L2 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 30a (TC) 10V 140mohm @ 15a, 10v 4,5 V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 355W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock