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Produits semi-conduurs Discets (191)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Statt de Portée | Noms Autres | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G5S06506CT | - |  | 9063 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G5S06506CT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0v, 1MHz | |||
 | G3S06530 | - | | 9182 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06530 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 30 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | - | 92a | 2010pf @ 0v, 1mhz | |||
 | G3S06516B | - | | 9651 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S06516B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 25,5a (DC) | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G4S06515PT | - | | 2277 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G4S06515PT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 39a | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
 | G5S12008A | - | | 6670 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12008A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24.8a | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
 | G5S06504HT | - | | 6825 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G5S06504HT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 9.7A | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
| G4S12020BM | - | | 3557 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G4S12020BM | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 33.2a (DC) | 1,6 V @ 10 A | 0 ns | 30 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G3S06520H | - | | 4715 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G3S06520H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 26a | 1170pf @ 0v, 1MHz | |||
| G5S06504CT | - | | 9367 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G5S06504CT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 13.8a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
 | G5S06508DT | - | | 8838 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G5S06508DT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 32a | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
| G3S12010BM | - | | 9513 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S12010BM | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 19.8A (DC) | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G5S06502AT | - | | 5626 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S06502AT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 9.6a | 124pf @ 0v, 1MHz | |||
| G3S06510B | - | | 3673 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S06510B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 27a (DC) | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G5S12020A | - | | 4021 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12020A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 63,5a | 1320pf @ 0v, 1MHz | |||
| G3S06504B | - | | 6442 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S06504B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 9A (DC) | 1,7 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G4S06508HT | - | | 4162 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G4S06508HT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 18.5a | 395pf @ 0v, 1MHz | |||
| G3S17010B | - | | 1903 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S17010B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1700 V | 29.5a (DC) | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G3S06506B | - | | 3981 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S06506B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 14A (DC) | 1,7 V @ 3 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
 | G3S06006J | - | | 8410 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | Onglet isolé à 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220iso | Vendeur indéfini | 4436-G3S06006J | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 21.5A | 424pf @ 0v, 1MHz | |||
| G3S12050P | - | | 8723 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S12050P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 150 A | 0 ns | 100 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 117a | 7500pf @ 0v, 1MHz | |||
| G3S12040B | - | | 8295 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S12040B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 64,5a (DC) | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G4S06520BT | - | | 6147 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G4S06520BT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 31.2A (DC) | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G4S06506HT | - | | 3318 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G4S06506HT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 9.7A | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
 | G4S06515QT | - | | 4219 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | 4 Powertsfn | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | 4-DFN (8x8) | Vendeur indéfini | 4436-G4S06515QT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 53a | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
| G4S12020A | - | | 4610 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Vendeur indéfini | 4436-G4S12020A | 1 | |||||||||||||||
| G3S12002A | - | | 4962 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S12002A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7a | 136pf @ 0v, 1mhz | |||
| G3S12005A | - | | 1389 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S12005A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 22a | 475pf @ 0v, 1mhz | |||
| G4S06508QT | - | | 8199 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | 4 Powertsfn | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | 4-DFN (8x8) | Vendeur indéfini | 4436-G4S06508QT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 34a | 395pf @ 0v, 1MHz | |||
| G3S17005P | - | | 4173 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S17005P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1700 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 29.5a | 780pf @ 0v, 1mhz | |||
| G4S06508DT | - | | 1344 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G4S06508DT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0v, 1MHz |
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