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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Statt de Portée | Noms Autres | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
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![]() | G5S12020H | - | ![]() | 6564 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G5S12020H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24.6a | 1320pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06506A | - | ![]() | 2926 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06506A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 22.6a | 424pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06508B | - | ![]() | 7094 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S06508B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 14A (DC) | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G3S12010D | - | ![]() | 7559 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G3S12010D | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 33.2a | 765pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S6506Z | - | ![]() | 7394 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | 8-DFN (4,9x5,75) | Vendeur indéfini | 4436-G5S6506Z | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30.5a | 395pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G4S06506AT | - | ![]() | 7515 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G4S06506AT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 11.6a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S06550 | - | ![]() | 4844 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06550 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 50 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 130a | 4400pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G5S12002H | - | ![]() | 8748 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G5S12002H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7.5a | 170pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S06510DT | - | ![]() | 2481 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G5S06510DT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 38a | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S06503C | - | ![]() | 3687 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G3S06503C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 3 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 11.5a | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G4S06530BT | - | ![]() | 8456 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G4S06530BT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 39A (DC) | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G5S06510QT | - | ![]() | 2093 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | 4 Powertsfn | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | 4-DFN (8x8) | Vendeur indéfini | 4436-G5S06510QT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 53a | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S12040PP | - | ![]() | 5820 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12040PP | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 1200 V | 115A (DC) | 1,7 V @ 40 A | 0 ns | 100 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G3S12010C | - | ![]() | 4786 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G3S12010C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 33.2a | 765pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G3S06520A | - | ![]() | 1139 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06520A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 56,5a | 1170pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S12015P | - | ![]() | 5432 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S12015P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 42a | 1379pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G4S06510PT | - | ![]() | 2628 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G4S06510PT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 31.2a | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G5S06510HT | - | ![]() | 1209 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G5S06510HT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 0 ns | -55 ° C ~ 175 ° C | 23.8a | - | |||||
![]() | G3S1201H | - | ![]() | 7009 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G3S1201H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 16.5a | 765pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S12015 | - | ![]() | 8703 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12015 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 55A | 1370pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | GAS06520H | - | ![]() | 9313 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-GAS06520H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | 1390pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06520P | - | ![]() | 8397 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06520P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 60A | 1170pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06510P | - | ![]() | 9563 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06510P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 32.8a | 690pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G3S06512B | - | ![]() | 9651 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S06512B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 27a (DC) | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G3S06004J | - | ![]() | 5027 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | Onglet isolé à 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220iso | Vendeur indéfini | 4436-G3S06004J | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 11A | 181pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G4S12020D | - | ![]() | 4037 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G4S12020D | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 75a | 2600pf @ 0v, 1mhz | |||
![]() | G5S12005D | - | ![]() | 5253 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G5S12005D | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 21A | 424pf @ 0v, 1MHz | |||
![]() | G5S12040B | - | ![]() | 8630 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G5S12040B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 62A (DC) | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G3S12010B | - | ![]() | 1370 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S12010B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 39A (DC) | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | G5S06506DT | - | ![]() | 9863 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G5S06506DT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0v, 1MHz |
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