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Produits semi-conduurs Discets (191)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Statt de Portée | Noms Autres | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G5S12010D | - |  | 2941 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G5S12010D | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30.9a | 825pf @ 0v, 1MHz | |||
 | G3S06510A | - | | 4908 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S06510A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 35a | 690pf @ 0v, 1MHz | |||
| G4S06515AT | - | | 9527 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G4S06515AT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 36A | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
 | G5S12008C | - | | 2665 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G5S12008C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 28.9a | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
| G5S12005A | - | | 4686 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12005A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20.5a | 424pf @ 0v, 1MHz | |||
 | G52YT | - | | 7769 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | Sma | Vendeur indéfini | 4436-G52YT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5.8a | 116.75pf @ 0v, 1MHz | |||
 | GAS06520P | - | | 6670 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-GAS06520P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 66,5a | 1390pf @ 0v, 1MHz | |||
| G5S12005C | - | | 1555 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G5S12005C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20,95a | 424pf @ 0v, 1MHz | |||
| G5S12015A | - | | 6081 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12015A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 53a | 1370pf @ 0v, 1MHz | |||
 | G3S06508H | - | | 7687 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G3S06508H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 14A | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
 | G5S12030BM | - | | 9456 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G5S12030BM | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 55A (DC) | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C |
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Unité de produit standard
2800+
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