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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ghxs030a120s-d1e | 106.8000 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Ghxs030 | Carbure de Silicium Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,7 V @ 30 A | 200 µA à 1200 V | 30 A | Monophasé | 1,2 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSID600A120S4B1 | - | ![]() | 1496 | 0,00000000 | Semiq | Amp + ™ | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C | Soutenir de châssis | Module | GSID600 | 3060 W | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Demi-pont | - | 1200 V | 1130 A | 2.1V @ 15V, 600A | 1 mA | Oui | 51 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gp2d008a065a | - | ![]() | 4230 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220-2 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1 45 V @ 30 A | 0 ns | 9 µA @ 650 V | - | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2T080A120U | 11.8700 | ![]() | 414 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Gp2t080a | Sicfet (carbure de silicium) | À 247-3 | télécharger | 1 (illimité) | 1560-GP2T080A120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 35A (TC) | 20V | 100MOHM @ 20A, 20V | 4V @ 10mA | 58 NC @ 20 V | + 25V, -10V | 1377 pf @ 1000 V | - | 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GCMX080B120S1-E1 | 23.3200 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | GCMX080 | Sicfet (carbure de silicium) | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1560-GCMX080B120S1-E1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Canal n | 1200 V | 30a (TC) | 20V | 100MOHM @ 20A, 20V | 4V @ 10mA | 58 NC @ 20 V | + 25V, -10V | 1336 pf @ 1000 V | - | 142W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gp3d015a120a | 7.9700 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semiq | Amp + ™ | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | Gp3d015 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1560-GP3D015A120A | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 15 A | 0 ns | 30 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | 962pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ghxs050b120s-d3 | 54.3400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Ghxs050 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1560-GHXS050B120S-D3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 2 indépendant | 1200 V | 101a (DC) | 1,7 V @ 50 A | 0 ns | 100 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ghxs050b065s-d3 | 33.7900 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Ghxs050 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1560-GHXS050B065S-D3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 2 indépendant | 650 V | 95A (DC) | 1,6 V @ 50 A | 0 ns | 125 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ghxs100b120s-d3 | 82.3100 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Ghxs100 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1560-GHXS100B120S-D3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 2 indépendant | 1200 V | 198a (DC) | 1,7 V @ 100 A | 0 ns | 200 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gsxf120a060s1-d3 | 38.6179 | ![]() | 6739 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Gsxf120 | Standard | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 600 V | 120a | 1,5 V @ 120 A | 105 ns | 25 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ghxs045a120s-d3 | 88,5000 | ![]() | 8493 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Ghxs045 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 1200 V | 45a | 1,7 V @ 45 A | 300 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ghxs020a060s-d3 | 37.6400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Ghxs020 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 600 V | 20A | 1,7 V @ 20 A | 200 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gsxd120a015s1-d3 | - | ![]() | 7234 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Obsolète | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Gsxd120 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 150 V | 120a | 880 MV @ 120 A | 3 Ma @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gp3d012a065b | 4.2300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semiq | Amp + ™ | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | Gp3d012 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1560-GP3D012A065B | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 12 A | 0 ns | 30 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 12A | 572pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gsxd160a012s1-d3 | - | ![]() | 3259 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Obsolète | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Gsxd160 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 120 V | 160a | 880 MV @ 160 A | 3 Ma @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gp3d050a065b | 11.0520 | ![]() | 4522 | 0,00000000 | Semiq | Amp + ™ | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | Gp3d050 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1560-GP3D050A065B | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,6 V @ 50 A | 125 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 135a | 1946pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gp3d006a065c | - | ![]() | 9430 | 0,00000000 | Semiq | * | Tube | Actif | Gp3d006 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gp3d005a120a | - | ![]() | 3055 | 0,00000000 | Semiq | * | Tube | Actif | Gp3d005 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1560-1244 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gp2d006a065c | - | ![]() | 2603 | 0,00000000 | Semiq | Amp + ™ | Tube | Abandonné à sic | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252-2l (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1560-1042-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,65 V @ 6 A | 0 ns | 60 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 316pf @ 1v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gsxf120a100s1-d3 | 39.6525 | ![]() | 3564 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Gsxf120 | Standard | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 1000 V | 120a | 2,35 V @ 120 A | 135 ns | 25 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gsxf030a120s1-d3 | - | ![]() | 8298 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Obsolète | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Gsxf030 | Standard | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | GSXF030A120S1D3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 1200 V | 30A | 2,35 V @ 30 A | 85 ns | 25 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSID100A120T2C1A | - | ![]() | 6323 | 0,00000000 | Semiq | Amp + ™ | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C | Soutenir de châssis | Module | GSID100 | 800 W | Redredeur de pont en trois phases | Module | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | Onduleur Triphasé | - | 1200 V | 200 A | 2.1V @ 15V, 100A | 1 mA | Oui | 13,7 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID100A120S5C1 | - | ![]() | 2783 | 0,00000000 | Semiq | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | GSID100 | 650 W | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1560-1229 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Onduleur Triphasé | - | 1200 V | 170 A | 2.1V @ 15V, 100A | 1 mA | Oui | 13,7 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA020A120MN-FD | - | ![]() | 7236 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | 223 W | To-3pn | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 20A, 10OHM, 15V | 425 ns | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 40 A | 60 A | 2,5 V @ 15V, 20A | 2,8MJ (ON), 480µJ (OFF) | 210 NC | 30ns / 150ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA030A135MN-FDR | - | ![]() | 5364 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | 329 W | To-3pn | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 30A, 5OHM, 15V | 450 ns | Arête du Champ de Tranché | 1350 V | 60 A | 90 A | 2,4 V @ 15V, 30A | 4.4MJ (ON), 1 18MJ (OFF) | 300 NC | 30ns / 145ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gsxd080a004s1-d3 | 39.3400 | ![]() | 64 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Gsxd080 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 45 V | 80A | 700 mV @ 80 A | 1 ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gsxd050a018s1-d3 | 31.8774 | ![]() | 9824 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Gsxd050 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 180 V | 50A | 920 MV @ 50 A | 3 Ma @ 180 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID150A120S5C1 | - | ![]() | 1331 | 0,00000000 | Semiq | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | GSID150 | 1087 W | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1560-1230 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Onduleur Triphasé | - | 1200 V | 285 A | 2.1V @ 15V, 150A | 1 mA | Oui | 21.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gsxf030a020s1-d3 | 27.8000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semiq | - | Tube | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Gsxf030 | Standard | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 200 V | 30A | 1 V @ 30 A | 60 ns | 25 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gp3d024a065u | 6.2290 | ![]() | 2211 | 0,00000000 | Semiq | Amp + ™ | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | Gp3d024 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 12A | 1,5 V @ 12 A | 0 ns | 30 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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