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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRT50030 | - | ![]() | 4648 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT50030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | 1N1202A | 4.2345 | ![]() | 8639 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1202 | Standard | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1042 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 12 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||
![]() | 1N1188A | 6.3770 | ![]() | 6241 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1188 | Standard | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1N1188AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 40 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 40a | - | ||||
MURH7020 | 49.5120 | ![]() | 5054 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | D-67 | Standard | D-67 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 70a | - | ||||||
![]() | 1N3208R | 7.0650 | ![]() | 9958 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3208R | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1N3208RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,5 V @ 15 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||
![]() | S85gr | 11.8980 | ![]() | 7575 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | S85g | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S85Grgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,1 V @ 85 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 85a | - | ||||
![]() | Murta60040r | 188.1435 | ![]() | 1280 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Murta60040 | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Murta60040rgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 400 V | 300A | 1,5 V @ 300 A | 220 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||
![]() | MBR2X060A045 | 52.2000 | ![]() | 1523 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X060 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1300 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 45 V | 120a | 700 mV @ 60 A | 1 ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | Mbrta60020rl | - | ![]() | 7830 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 20 V | 300A | 580 mV @ 300 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBRTA800150 | - | ![]() | 3664 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 400A | 880 MV @ 400 A | 5 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBRT50030R | - | ![]() | 9524 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT50030RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 30 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBRT50045R | - | ![]() | 8302 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT50045RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 45 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBR8060 | 21.1680 | ![]() | 3813 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR8060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 MV @ 80 A | 5 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 80A | - | |||||
![]() | GKN130 / 08 | 35.0777 | ![]() | 6934 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-205AA, DO-8, Stud | GKN130 | Standard | DO-205AA (DO-8) | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,5 V @ 60 A | 22 Ma @ 800 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 165a | - | |||||
![]() | MURH7005 | - | ![]() | 3695 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 | Standard | D-67 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 70a | - | |||||
![]() | S40J | 6.3770 | ![]() | 5569 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S40jgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 40 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 40a | - | |||||
![]() | S12jr | 4.2345 | ![]() | 5517 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | S12J | Polateté Standard et inverse | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S12jrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 12 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | - | ||||
![]() | MBR2X120A080 | 51.8535 | ![]() | 1508 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X120 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 80 V | 120a | 840 MV @ 120 A | 1 ma @ 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | GKN240 / 14 | 59.1766 | ![]() | 5389 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-205AB, DO-9, Stud | GKN240 | Standard | DO-205AB (DO-9) | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1400 V | 1,4 V @ 60 A | 60 mA @ 1400 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 320A | - | |||||
![]() | MBR200200CTR | 90.1380 | ![]() | 5931 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR200200 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 200 V | 100A | 920 MV @ 100 A | 3 Ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | FR16B05 | 8.1330 | ![]() | 5774 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR16B05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,4 V @ 16 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||
![]() | MBRF30030R | - | ![]() | 5710 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | MBRF3003 | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 30 V | 150a | 700 mV @ 150 A | 1 ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | FST16035 | 80.0400 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | À 249ab | Schottky | À 249ab | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1085 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 35 V | 160a | 750 MV @ 160 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | 1N5828 | 12.4155 | ![]() | 6466 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N5828 | Schottky | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1N5828GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 500 mV @ 15 A | 10 ma @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | ||||
![]() | MBRT60030R | 140.2020 | ![]() | 7277 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MBRT60030 | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT60030RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 30 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | MBRH20045R | 75.0900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | D-67 | MBRH20045 | Schottky, polaté inversée | D-67 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1061 | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 700 mV @ 200 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200A | - | ||||
![]() | MBRT12040 | 75.1110 | ![]() | 9638 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT12040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 60A | 750 MV @ 60 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBRF12045 | - | ![]() | 6183 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 60A | 700 mV @ 60 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBRF300150 | - | ![]() | 6350 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | MBRF3001 | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 150a | 880 MV @ 150 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBRH12020 | 60.0375 | ![]() | 5487 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky | D-67 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRH12020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 650 MV @ 120 A | 4 ma @ 20 V | 120a | - |
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