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Produits semi-conduurs discrètes (2160)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max)
MBRF200100R GeneSiC Semiconductor MBRF200100R -
RFQ
 ECAD 9738 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 100 V 60A 840 MV @ 60 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR20G02 GeneSiC Semiconductor FR20G02 9.0510
RFQ
 ECAD 6241 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR20G02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
MSRT100120D GeneSiC Semiconductor MSRT100120D 87.1935
RFQ
 ECAD 5976 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT100 Standard Tournée trois télécharger Rohs3 conforme 1242-MSRT100120D EAR99 8541.10.0080 40 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1200 V 100A 1,1 V @ 100 A 10 µA à 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
S6B GeneSiC Semiconductor S6B 3.8625
RFQ
 ECAD 7546 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S6bgn EAR99 8541.10.0080 250 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 100 V 1.1 V @ 6 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
MBR500150CT GeneSiC Semiconductor MBR500150CT -
RFQ
 ECAD 8447 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Jumelle de tournée Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 150 V 250a 880 MV @ 250 A 3 Ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80035 GeneSiC Semiconductor MBRTA80035 -
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 ECAD 8625 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 18 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 35 V 400A 720 MV @ 400 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
S150JR GeneSiC Semiconductor S150jr 35.5695
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 ECAD 1323 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud S150 Polateté Standard et inverse DO-205AA (DO-8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S150jrgn EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
GBPC1508T GeneSiC Semiconductor GBPC1508T 2.4180
RFQ
 ECAD 8094 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Carrés, GBPC GBPC1508 Standard GBPC télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA @ 800 V 15 A Monophasé 800 V
MBRF30060 GeneSiC Semiconductor MBRF30060 -
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 ECAD 2330 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab MBRF3006 Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC1510T GeneSiC Semiconductor GBPC1510T 2.4180
RFQ
 ECAD 2180 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, GBPC GBPC1510 Standard GBPC télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA à 1000 V 15 A Monophasé 1 kv
KBPC5010T GeneSiC Semiconductor KBPC5010T 4.2700
RFQ
 ECAD 331 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Carrés, KBPC-T KBPC5010 Standard Kbpc-t télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA à 1000 V 50 a Monophasé 1 kv
KBPC50005T GeneSiC Semiconductor KBPC50005T 2.5875
RFQ
 ECAD 9886 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Carrés, KBPC-T KBPC50005 Standard Kbpc télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 50 V 50 a Monophasé 50 V
GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J -
RFQ
 ECAD 1326 0,00000000 Semi-conducteur Génie - Tube Actif GD05MPS - 1242-GD05MPS17J EAR99 8541.10.0080 1
KBP204 GeneSiC Semiconductor KBP204 0,3750
RFQ
 ECAD 8785 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, KBP Standard Kbp télécharger Rohs conforme 1 (illimité) KBP204GN EAR99 8541.10.0080 2 000 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 50 V 2 A Monophasé 400 V
KBPC3502T GeneSiC Semiconductor KBPC3502T 2.4720
RFQ
 ECAD 9006 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Carrés, KBPC-T KBPC3502 Standard Kbpc télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17,5 A 5 µA @ 200 V 35 A Monophasé 200 V
KBU6D GeneSiC Semiconductor Kbu6d 1.7600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu Kbu6 Standard Kbu télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 A 10 µA @ 200 V 6 A Monophasé 200 V
FST10080 GeneSiC Semiconductor FST10080 65.6445
RFQ
 ECAD 1968 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis À 249ab Schottky À 249ab télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 80 V 100A 840 MV @ 100 A 2 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT150120AD GeneSiC Semiconductor MSRT150120AD 71.6012
RFQ
 ECAD 8971 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT150 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1200 V 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA à 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3211 GeneSiC Semiconductor 1N3211 7.0650
RFQ
 ECAD 1199 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N3211 Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N3211GN EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 300 V 1,5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
MBR20040CT GeneSiC Semiconductor MBR20040CT 90.1380
RFQ
 ECAD 2790 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR20040 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR20040CTGN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 40 V 200A (DC) 650 mV @ 100 A 5 ma @ 20 V
GBU10K GeneSiC Semiconductor GBU 10K 1.6300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, GBU GBU10 Standard GBU télécharger Rohs conforme 1 (illimité) GBU10KGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 800 V 10 a Monophasé 800 V
FR20AR02 GeneSiC Semiconductor FR20AR02 9.3555
RFQ
 ECAD 8191 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR20AR02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor MBR200100CTS -
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 ECAD 8978 0,00000000 Semi-conducteur Génie - Tube Obsolète Monte à vis SOT-227-4 Schottky SOT-227 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1133 EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 100 V 200A (DC) 950 MV @ 100 A 10 µA @ 80 V -40 ° C ~ 175 ° C
FR6AR05 GeneSiC Semiconductor FR6AR05 8.5020
RFQ
 ECAD 9169 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Polateté Standard et inverse Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR6AR05GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1,4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 36.7400
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 ECAD 4850 0,00000000 Semi-conducteur Génie - Tube Actif 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca GA20JT12 Sic (transistor de jonction en carbure de silicium) À 263-7 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 - 1200 V 45A (TC) - 60mohm @ 20A - - 3091 PF @ 800 V - 282W (TC)
MBRT30060R GeneSiC Semiconductor MBRT30060R 107.3070
RFQ
 ECAD 1357 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MBRT30060 Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRT30060RGN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 60 V 150a 800 mV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA40080A GeneSiC Semiconductor MSRTA40080A 60 2552
RFQ
 ECAD 5207 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRTA40080 Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 800 V 400A (DC) 1,2 V @ 400 A 25 µA à 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
S300D GeneSiC Semiconductor S300D 63.8625
RFQ
 ECAD 2518 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AB, DO-9, Stud S300 Standard DO-205AB (DO-9) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S300DGN EAR99 8541.10.0080 8 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 200 V 1,2 V @ 300 A 10 µA à 100 V -60 ° C ~ 200 ° C 300A -
MBRTA50030R GeneSiC Semiconductor MBRTA50030R -
RFQ
 ECAD 3671 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 18 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 30 V 250a 700 mV @ 250 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH30030L GeneSiC Semiconductor MBRH30030L -
RFQ
 ECAD 6258 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 580 mV @ 300 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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