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Produits semi-conduurs discrètes (2160)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max)
MBR50045CT GeneSiC Semiconductor MBR50045CT -
RFQ
 ECAD 5053 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Jumelle de tournée Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 45 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT20040 GeneSiC Semiconductor MBRT20040 102.9600
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1018 EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 40 V 100A 750 MV @ 100 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
KBPC25005W GeneSiC Semiconductor KBPC25005W 2.2995
RFQ
 ECAD 3128 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, KBPC-W KBPC25005 Standard Kbpc-w télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 12,5 A 5 µA @ 50 V 25 A Monophasé 50 V
S300ER GeneSiC Semiconductor S300er 63.8625
RFQ
 ECAD 4379 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AB, DO-9, Stud S300 Polateté Standard et inverse DO-205AB (DO-9) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S300ergn EAR99 8541.10.0080 8 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 300 V 1,2 V @ 300 A 10 µA à 100 V -60 ° C ~ 200 ° C 300A -
MSRT100100D GeneSiC Semiconductor MSRT100100D 87.1935
RFQ
 ECAD 4135 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT100 Standard Tournée trois télécharger Rohs3 conforme 1242-MSRT100100D EAR99 8541.10.0080 40 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1000 V 100A 1,1 V @ 100 A 10 µA à 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3892 GeneSiC Semiconductor 1N3892 9.3000
RFQ
 ECAD 652 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud 1N3892 Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1035 EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
S300E GeneSiC Semiconductor S300E 63.8625
RFQ
 ECAD 8223 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AB, DO-9, Stud S300 Standard DO-205AB (DO-9) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S300EGN EAR99 8541.10.0080 8 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 300 V 1,2 V @ 300 A 10 µA à 100 V -60 ° C ~ 200 ° C 300A -
GBJ25M GeneSiC Semiconductor GBJ25M 0,9795
RFQ
 ECAD 5052 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, GBJ GBJ25 Standard GBJ télécharger Rohs3 conforme 1242-GBJ25M EAR99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 12,5 A 10 µA à 1000 V 25 A Monophasé 1 kv
S40Y GeneSiC Semiconductor S40y 8.4675
RFQ
 ECAD 8792 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S40ygn EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1600 V 1.1 V @ 40 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 160 ° C 40a -
GA50JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247 -
RFQ
 ECAD 5672 0,00000000 Semi-conducteur Génie - Tube Obsolète 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sic (transistor de jonction en carbure de silicium) À 247 télécharger 1 (illimité) 1242-1247 EAR99 8541.29.0095 30 - 1700 V 100A (TC) - 25MOHM @ 50A - - - 583W (TC)
MBR40080CT GeneSiC Semiconductor MBR40080CT 98.8155
RFQ
 ECAD 1784 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR40080 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR40080CTGN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 80 V 200A 840 MV @ 200 A 5 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D 4.7400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur Génie G3R ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 G3R350 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-G3R350MT12D EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 11a (TC) 15V 420mohm @ 4a, 15v 2.69 V @ 2MA 12 NC @ 15 V ± 15V 334 PF @ 800 V - 74W (TC)
MSRT250140A GeneSiC Semiconductor MSRT250140A 54.2296
RFQ
 ECAD 9385 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT250140 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1400 V 250a (DC) 1,2 V @ 250 A 15 µA à 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80020R GeneSiC Semiconductor MBRTA80020R -
RFQ
 ECAD 1303 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 18 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 20 V 400A 720 MV @ 400 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF12035R GeneSiC Semiconductor MBRF12035R -
RFQ
 ECAD 4524 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 35 V 60A 700 mV @ 60 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH12045 GeneSiC Semiconductor MBRH12045 60.0375
RFQ
 ECAD 1810 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRH12045GN EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 45 V 650 MV @ 120 A 4 ma @ 20 V 120a -
1N3293A GeneSiC Semiconductor 1N3293A 33.5805
RFQ
 ECAD 2493 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud 1N3293 Standard DO-205AA (DO-8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N3293AGN EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,5 V @ 100 A 17 ma @ 600 V -40 ° C ~ 200 ° C 100A -
FST12040 GeneSiC Semiconductor FST12040 70.4280
RFQ
 ECAD 2307 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis À 249ab Schottky À 249ab télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FST12040GN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 40 V 120A (DC) 650 MV @ 120 A 2 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR70D05 GeneSiC Semiconductor FR70D05 17.5905
RFQ
 ECAD 9746 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR70D05GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 1,4 V @ 70 A 500 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
MURF10060R GeneSiC Semiconductor Murf10060r -
RFQ
 ECAD 7750 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Standard À 244ab - 1 (illimité) Murf10060rgn EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 600 V 50A 1,7 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF200100R GeneSiC Semiconductor MBRF200100R -
RFQ
 ECAD 9738 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 100 V 60A 840 MV @ 60 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR20G02 GeneSiC Semiconductor FR20G02 9.0510
RFQ
 ECAD 6241 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR20G02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
MSRT100120D GeneSiC Semiconductor MSRT100120D 87.1935
RFQ
 ECAD 5976 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT100 Standard Tournée trois télécharger Rohs3 conforme 1242-MSRT100120D EAR99 8541.10.0080 40 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1200 V 100A 1,1 V @ 100 A 10 µA à 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
S6B GeneSiC Semiconductor S6B 3.8625
RFQ
 ECAD 7546 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S6bgn EAR99 8541.10.0080 250 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 100 V 1.1 V @ 6 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
MBR500150CT GeneSiC Semiconductor MBR500150CT -
RFQ
 ECAD 8447 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Jumelle de tournée Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 150 V 250a 880 MV @ 250 A 3 Ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80035 GeneSiC Semiconductor MBRTA80035 -
RFQ
 ECAD 8625 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 18 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 35 V 400A 720 MV @ 400 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
150K100A GeneSiC Semiconductor 150k100a 35.5695
RFQ
 ECAD 8311 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud 150k100 Standard DO-205AA (DO-8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 150K100AGN EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1000 V 1,33 V @ 150 A 24 Ma @ 1000 V -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
S150JR GeneSiC Semiconductor S150jr 35.5695
RFQ
 ECAD 1323 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud S150 Polateté Standard et inverse DO-205AA (DO-8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S150jrgn EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
GBPC1508T GeneSiC Semiconductor GBPC1508T 2.4180
RFQ
 ECAD 8094 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Carrés, GBPC GBPC1508 Standard GBPC télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA @ 800 V 15 A Monophasé 800 V
MBRF30060 GeneSiC Semiconductor MBRF30060 -
RFQ
 ECAD 2330 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab MBRF3006 Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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