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Produits semi-conduurs discrètes (2160)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Structure Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes
MBRF50020R GeneSiC Semiconductor MBRF50020R -
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 ECAD 2304 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 20 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30060R GeneSiC Semiconductor MBRF30060R -
RFQ
 ECAD 2029 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab MBRF3006 Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 60 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA600100A GeneSiC Semiconductor MSRTA600100A 109.2000
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 ECAD 3207 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Module 3 md MSRTA600100 Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1000 V 600A (DC) 1,2 V @ 600 A 25 µA à 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N1190A GeneSiC Semiconductor 1N1190A 10.3200
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 ECAD 102 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N1190 Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1043 EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
MBRT12045 GeneSiC Semiconductor MBRT12045 75.1110
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 ECAD 8752 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRT12045GN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 45 V 60A 750 MV @ 60 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR16JR02 GeneSiC Semiconductor FR16JR02 8.5020
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 ECAD 4354 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Polateté Standard et inverse Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR16JR02GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 900 mV @ 16 A 250 ns 25 µA à 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRT40060R GeneSiC Semiconductor MBRT40060R 118.4160
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 ECAD 9407 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MBRT40060 Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRT40060RGN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 60 V 200A 800 mV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR6G02 GeneSiC Semiconductor FR6G02 4.9020
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 ECAD 2412 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR6G02GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,4 V @ 6 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
MBRH30020L GeneSiC Semiconductor MBRH30020L -
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 ECAD 7488 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 20 V 580 mV @ 300 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
S300Z GeneSiC Semiconductor S300Z 85.1955
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 ECAD 9287 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AB, DO-9, Stud S300 Standard DO-205AB (DO-9) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S300ZGN EAR99 8541.10.0080 8 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 2000 V 1,2 V @ 300 A 10 µA à 1600 V -60 ° C ~ 180 ° C 300A -
GKN130/04 GeneSiC Semiconductor GKN130 / 04 35.0777
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 ECAD 6161 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud GKN130 Standard DO-205AA (DO-8) - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,5 V @ 60 A 22 Ma @ 400 V -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
S70G GeneSiC Semiconductor S70G 9.8985
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 ECAD 7991 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S70GGN EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1.1 V @ 70 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 70a -
MBRTA80080 GeneSiC Semiconductor MBRTA80080 -
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 ECAD 4035 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 18 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 80 V 400A 840 MV @ 400 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60020CT GeneSiC Semiconductor MBR60020CT 129.3585
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 ECAD 2532 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR60020 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR60020CTGN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 20 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X060A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A100 46.9860
RFQ
 ECAD 5960 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc MBR2X060 Schottky SOT-227 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 52 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 100 V 60A 840 MV @ 60 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
MURF30060R GeneSiC Semiconductor MURF30060R -
RFQ
 ECAD 6383 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Standard À 244 - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 600 V 150a 1,7 V @ 150 A 150 ns 25 µA à 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D 32.7300
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 ECAD 4427 0,00000000 Semi-conducteur Génie G3R ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 G3R45 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-G3R45MT17D EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1700 V 61a (TC) 15V 58MOHM @ 40A, 15V 2,7 V @ 8mA 182 NC @ 15 V ± 15V 4523 PF @ 1000 V - 438W (TC)
GA060TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA060th65-227SP 2 0000
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 ECAD 7997 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module GA060 Célibataire télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.30.0080 10 6,5 kV 104 A - 100 mA 60 A 1 SCR
MURT30020 GeneSiC Semiconductor Murt30020 118.4160
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 ECAD 1294 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Murt30020GN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 200 V 150a 1,3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2X030A02 GeneSiC Semiconductor Mur2x030a02 36.7500
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 ECAD 3579 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Mur2x030 Standard SOT-227 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1305 EAR99 8541.10.0080 52 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 200 V 30A 1 V @ 30 A 60 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
1N6098 GeneSiC Semiconductor 1N6098 24.1300
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 ECAD 5218 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N6098 Schottky Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1107 EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 700 mV @ 50 A 5 ma @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 50A -
GKN130/14 GeneSiC Semiconductor GKN130 / 14 35.2952
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 ECAD 8168 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud GKN130 Standard DO-205AA (DO-8) - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1400 V 1,5 V @ 60 A 22 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
MUR2X030A06 GeneSiC Semiconductor Mur2x030a06 -
RFQ
 ECAD 5864 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Standard SOT-227 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1306 EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 600 V 30A 1,5 V @ 30 A 60 ns 25 µA à 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor Mur20005ct -
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 ECAD 3712 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Jumelle de tournée Standard Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur20005ctgn EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 50 V 100A 1,3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20035RL GeneSiC Semiconductor Mbrh20035rl -
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 ECAD 8217 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D-67 Schottky, polaté inversée D-67 - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 35 V 600 mV @ 200 A 3 Ma @ 200 V 200A -
FR12K05 GeneSiC Semiconductor FR12K05 6.9975
RFQ
 ECAD 5931 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR12K05GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 800 V 800 mV @ 12 A 500 ns 25 µA à 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
S320J GeneSiC Semiconductor S320J 63.8625
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 ECAD 6900 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AB, DO-9, Stud S320 Standard DO-205AB (DO-9) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S320JGN EAR99 8541.10.0080 8 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60 ° C ~ 180 ° C 320A -
MBR30060CT GeneSiC Semiconductor MBR30060CT 94.5030
RFQ
 ECAD 4668 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR30060 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR30060CTGN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 150a 750 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH12080R GeneSiC Semiconductor MBRH12080R 60.0375
RFQ
 ECAD 1217 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 MBRH12080 Schottky, polaté inversée D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRH12080RGN EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 80 V 840 MV @ 120 A 4 ma @ 20 V 120a -
MSRT100120AD GeneSiC Semiconductor MSRT100120AD 54.0272
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 ECAD 5144 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT100 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1200 V 100A 1,1 V @ 100 A 10 µA à 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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