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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Courant - Max | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Résistance @ si, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBPC25005T | 2.5335 | ![]() | 3216 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Carrés, GBPC | GBPC25005 | Standard | GBPC | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA @ 50 V | 25 A | Monophasé | 50 V | |||||||||||
![]() | MBR2X120A120 | 51.8535 | ![]() | 1302 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X120 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 120 V | 120a | 880 MV @ 120 A | 3 Ma @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | KBL406G | 0,5385 | ![]() | 6670 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbl | KBL406 | Standard | Kbl | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | KBL406GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 600 V | 4 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||
![]() | MBR200100CTR | 90.1380 | ![]() | 6071 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR200100 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR200100CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 100 V | 200A (DC) | 840 MV @ 100 A | 5 ma @ 20 V | ||||||||||
![]() | MBRF50045R | - | ![]() | 7242 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 45 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | Murt20020 | 104.4930 | ![]() | 4592 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Murt20020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 100A | 1,3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
KBPC5002T | 2.5875 | ![]() | 9290 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Carrés, KBPC-T | KBPC5002 | Standard | Kbpc-t | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 5 µA @ 200 V | 50 a | Monophasé | 200 V | ||||||||||||
![]() | MBRT30045 | 107.3070 | ![]() | 5037 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1088 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 150a | 750 MV @ 150 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | Murf20005r | - | ![]() | 4184 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Standard | À 244 | - | 1 (illimité) | Murf20005rgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 50 V | 100A | 1,3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | KBPC5001W | 2.5875 | ![]() | 5691 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, KBPC-W | KBPC5001 | Standard | Kbpc-w | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 5 µA @ 100 V | 50 a | Monophasé | 100 V | |||||||||||
![]() | MURF20010 | - | ![]() | 7594 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Standard | À 244 | - | 1 (illimité) | MURF20010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 100A | 1,3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | UFT14010 | - | ![]() | 7822 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 249ab | Standard | À 249ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 70a | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MBR40020CTL | - | ![]() | 1361 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 200A | 580 MV @ 200 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | KBL603G | - | ![]() | 4714 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbl | Standard | Kbl | télécharger | 1 (illimité) | KBL603GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 200 V | 6 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||||
![]() | FR12M05 | 6.9975 | ![]() | 5296 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 800 mV @ 12 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | 1N1190R | 6.2320 | ![]() | 8920 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1190R | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1030 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 35a | - | |||||||||
![]() | GBPC5006W | 4.0155 | ![]() | 7989 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC5006 | Standard | GBPC-W | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,2 V @ 25 A | 5 µA @ 600 V | 50 a | Monophasé | 600 V | |||||||||||
![]() | KBPC1504W | 2.1795 | ![]() | 5268 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, KBPC-W | KBPC1504 | Standard | Kbpc-w | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA @ 400 V | 15 A | Monophasé | 400 V | |||||||||||
![]() | KBPC50005W | 2.5875 | ![]() | 9569 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, KBPC-W | KBPC50005 | Standard | Kbpc-w | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 5 µA @ 50 V | 50 a | Monophasé | 50 V | |||||||||||
![]() | KBJ2506G | 0,8955 | ![]() | 9814 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBJ | KBJ2506 | Standard | Kbj | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | KBJ2506GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1,05 V @ 12,5 A | 10 µA @ 600 V | 25 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||
![]() | GBPC50005W | 4.0155 | ![]() | 7032 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC50005 | Standard | GBPC-W | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,2 V @ 25 A | 5 µA @ 50 V | 50 a | Monophasé | 50 V | |||||||||||
![]() | MBRH24060 | 76.4925 | ![]() | 1741 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky | D-67 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 780 MV @ 240 A | 1 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 240a | - | |||||||||||
![]() | MUR20020CT | 101.6625 | ![]() | 4523 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Mur20020 | Standard | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Mur20020ctgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 100A | 1,3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
KBPC3501T | 2.4720 | ![]() | 9697 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Carrés, KBPC-T | KBPC3501 | Standard | Kbpc | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 17,5 A | 5 µA @ 100 V | 35 A | Monophasé | 100 V | ||||||||||||
![]() | S70 ANS | 10.2225 | ![]() | 8638 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | S70y | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S70yrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1600 V | 1.1 V @ 70 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 70a | - | |||||||||
![]() | MSRTA6001 | 109.2000 | ![]() | 8289 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Module 3 md | - | Tournée trois | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | MSRTA6001GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | - | 1600 V | 600A (DC) | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | GA01PNS150-201 | 561.0000 | ![]() | 5655 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | DO-201D, axial | GA01PNS150 | DO-2010 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1347 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 1 a | 22pf @ 1v, 1mhz | Broche - simple | 15000v | - | ||||||||||||
![]() | Murta200120 | 145.3229 | ![]() | 8517 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 100A | 2,6 V @ 100 A | 25 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | GBU10G | 1.6300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GBU | GBU10 | Standard | GBU | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | GBU10GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 400 V | 10 a | Monophasé | 400 V | ||||||||||
![]() | BR31 | 0,5700 | ![]() | 5959 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, BR-3 | Standard | BR-3 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | BR31GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 1,5 A | 10 µA à 100 V | 3 A | Monophasé | 100 V |
Volume de RFQ moyen quotidien
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