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Produits semi-conduurs discrètes (2160)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max)
MBRTA600150R GeneSiC Semiconductor MBRTA600150R -
RFQ
 ECAD 7109 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 18 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 150 V 300A 880 MV @ 300 A 4 Ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
S40JR GeneSiC Semiconductor S40jr 6.3770
RFQ
 ECAD 6074 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud S40J Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S40jrgn EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1.1 V @ 40 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
MBRT60080R GeneSiC Semiconductor MBRT60080R 140.2020
RFQ
 ECAD 4847 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MBRT60080 Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRT60080RGN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 80 V 300A 880 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR3520 GeneSiC Semiconductor MBR3520 14.3280
RFQ
 ECAD 1221 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Schottky Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR3520GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 20 V 680 MV @ 35 A 1,5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
GBPC5010W GeneSiC Semiconductor GBPC5010W 4.0155
RFQ
 ECAD 6532 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, GBPC-W GBPC5010 Standard GBPC-W télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 A 5 µA à 1000 V 50 a Monophasé 1 kv
S12MR GeneSiC Semiconductor S12MR 4.2345
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 ECAD 1370 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud S12M Polateté Standard et inverse Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S12mrgn EAR99 8541.10.0080 250 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1000 V 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 12A -
BR68 GeneSiC Semiconductor BR68 0,7425
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 ECAD 3583 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, BR-6 Standard BR-6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) BR68GN EAR99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 800 V 6 A Monophasé 800 V
MBRT30040RL GeneSiC Semiconductor MBRT30040RL -
RFQ
 ECAD 9587 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 40 V 150a 600 mV @ 150 A 3 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20035CTR GeneSiC Semiconductor MBR20035CTR 90.1380
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 ECAD 8159 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR20035 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR20035ctrgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 35 V 200A (DC) 650 mV @ 100 A 5 ma @ 20 V
MSRTA300140D GeneSiC Semiconductor MSRTA300140D 159.9075
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 ECAD 2740 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Module MSRTA300 Standard - télécharger Rohs3 conforme 1242-MSRTA300140D EAR99 8541.10.0080 24 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1400 V 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C
GBU4G GeneSiC Semiconductor GBU4G 1.4500
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 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, GBU GBU4 Standard GBU télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V 4 A Monophasé 400 V
GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H 11.8000
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 ECAD 291 0,00000000 Semi-conducteur Génie SIC SCHOTTKY MPS ™ Tube Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1242-GD15MPS17H EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1700 V 1,8 V @ 15 A 0 ns 20 µA à 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 36A 1082pf @ 1v, 1MHz
GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D 17.3000
RFQ
 ECAD 170 0,00000000 Semi-conducteur Génie SIC SCHOTTKY MPS ™ Tube Actif Par le trou À 247-3 Gd2x Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-3 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1242-GD2X30MPS12D EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 55A (DC) 1,8 V @ 30 A 20 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTRL -
RFQ
 ECAD 7338 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Jumelle de tournée Schottky Jumelle de tournée - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 20 V 300A 580 mV @ 300 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D 6.5200
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 ECAD 8130 0,00000000 Semi-conducteur Génie G3R ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 G3R160 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-G3R160MT12D EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 22A (TC) 15V 192MOHM @ 10A, 15V 2,69 V @ 5mA 28 NC @ 15 V ± 15V 730 pf @ 800 V - 123W (TC)
MBRT12020 GeneSiC Semiconductor MBRT12020 75.1110
RFQ
 ECAD 9986 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRT12020GN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 20 V 60A 750 MV @ 60 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40045DL GeneSiC Semiconductor MBRT40045DL 88.1588
RFQ
 ECAD 2897 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MBRT40045 Schottky Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 45 V 200A (DC) 580 MV @ 200 A 5 Ma @ 45 V -40 ° C ~ 100 ° C
MUR2X030A10 GeneSiC Semiconductor Mur2x030a10 -
RFQ
 ECAD 4565 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Standard SOT-227 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1307 EAR99 8541.10.0080 13 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 1000 V 30A 2,35 V @ 30 A 85 ns 25 µA à 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C
G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J 17.9800
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Semi-conducteur Génie G3R ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca G3R40 Sicfet (carbure de silicium) À 263-7 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-G3R40MT12J EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 1200 V 75A (TC) 15V 48MOHM @ 35A, 15V 2,69 V @ 10mA 106 NC @ 15 V ± 15V 2929 PF @ 800 V - 374W (TC)
1N3671AR GeneSiC Semiconductor 1N3671ar 4.2345
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 ECAD 3922 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud 1N3671ar Polateté Standard et inverse Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1036 EAR99 8541.10.0080 250 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 800 V 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
FR16K05 GeneSiC Semiconductor FR16K05 8.2245
RFQ
 ECAD 6816 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 800 V 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA à 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MUR7040R GeneSiC Semiconductor Mur7040r 17.7855
RFQ
 ECAD 2508 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Mur7040 Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur7040rgn EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,3 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 70a -
1N1184AR GeneSiC Semiconductor 1N1184AR 6.3770
RFQ
 ECAD 4538 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N1184AR Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N1184argn EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 100 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 40a -
MURF40010 GeneSiC Semiconductor Murf40010 -
RFQ
 ECAD 6036 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Standard À 244 - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 100 V 200A 1 V @ 200 A 150 ns 25 µA à 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR40GR02 GeneSiC Semiconductor FR40GR02 13.8360
RFQ
 ECAD 6032 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1054 EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1 V @ 40 A 200 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
MURT30005R GeneSiC Semiconductor Murt30005r -
RFQ
 ECAD 4624 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Murt30005rgn EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 50 V 150a 1,3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3208 GeneSiC Semiconductor 1N3208 7.0650
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 ECAD 3482 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N3208 Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N3208GN EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 50 V 1,5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
FR30A02 GeneSiC Semiconductor FR30A02 10.4070
RFQ
 ECAD 1833 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR30A02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220 1.3770
RFQ
 ECAD 2249 0,00000000 Semi-conducteur Génie SIC SCHOTTKY MPS ™ Tube Actif Par le trou À 220-2 GC02MPS12 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1242-1323 EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 2 A 0 ns 2 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A 127pf @ 1v, 1MHz
MUR30060CTR GeneSiC Semiconductor Mur30060ctr 118.4160
RFQ
 ECAD 2020 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée Mur30060 Standard Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur30060ctrgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 600 V 150a 1,7 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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