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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Structure | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | VGS (max) | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Nombre de Scr, Diodes |
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![]() | Murta30060r | 159.9075 | ![]() | 3583 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Murta30060 | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 600 V | 150a | 1,7 V @ 150 A | 25 µA à 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | FST16030 | 75.1110 | ![]() | 4188 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | À 249ab | Schottky | À 249ab | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FST16030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 160a (DC) | 750 MV @ 160 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | FR16GR02 | 8.5020 | ![]() | 4900 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR16GR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 16 A | 200 ns | 25 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRTA80040R | - | ![]() | 6035 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 40 V | 400A | 720 MV @ 400 A | 1 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRTA60020R | - | ![]() | 6358 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 20 V | 300A | 580 mV @ 300 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
FR40MR05 | 17.1300 | ![]() | 193 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1 V @ 40 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 40a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Murt10020 | - | ![]() | 9709 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Murt10020gn | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 50A | 1,3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF500200R | - | ![]() | 4952 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 250a | 920 MV @ 250 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S16MR | 4.5900 | ![]() | 5544 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | S16M | Polateté Standard et inverse | - | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S16mrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 16 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 16A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT60020 | 140.2020 | ![]() | 8188 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT60020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRTA40035L | - | ![]() | 1279 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 35 V | 200A | 600 mV @ 200 A | 3 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF400150R | - | ![]() | 9769 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 150 V | 200A | 880 MV @ 200 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRT300100 | 107.3070 | ![]() | 6200 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT300100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 150a | 880 MV @ 150 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF20080 | - | ![]() | 4037 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 100A | 840 MV @ 100 A | 1 ma @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FR85KR05 | 24.1260 | ![]() | 9264 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR85KR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,4 V @ 85 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MSRTA20060AD | 85.9072 | ![]() | 5387 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRTA200 | Standard | Tournée trois | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 600 V | 200A | 1,1 V @ 200 A | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSRT10060AD | 54.0272 | ![]() | 1569 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRT100 | Standard | Tournée trois | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 600 V | 100A | 1,1 V @ 100 A | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | GA080th65 | 2 0000 | ![]() | 9549 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SOT-227-2 | GA080 | Célibataire | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | 1242-1145 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 6,5 kV | 139 A | - | 100 mA | 80 A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRT60040L | - | ![]() | 7632 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 300A | 600 mV à 300 A | 5 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S70K | 9.8985 | ![]() | 6299 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S70KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 70 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 70a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30060CTR | 94.5030 | ![]() | 1364 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR30060 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR30060ctrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 60 V | 150a | 750 MV @ 150 A | 8 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR2X060A120 | 46.9860 | ![]() | 3440 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X060 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 120 V | 60A | 880 MV @ 60 A | 3 Ma @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRT30020 | 107.3070 | ![]() | 9571 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT30020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 150a | 750 MV @ 150 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | S70Q | 9.8985 | ![]() | 3541 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S70qgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1.1 V @ 70 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 70a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR75100 | 20.8845 | ![]() | 6153 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR75100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 840 MV @ 75 A | 5 ma @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | FST8360M | - | ![]() | 4354 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D61-3M | Schottky | D61-3M | télécharger | 1 (illimité) | FST8360MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 80A (DC) | 750 MV @ 80 A | 1,5 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBR40040CT | 98.8155 | ![]() | 1091 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR40040 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1037 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 200A | 650 mV @ 100 A | 5 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | Mur2520r | 10.1910 | ![]() | 2903 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Mur2520 | Polateté Standard et inverse | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Mur2520rgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 25 A | 75 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF60045R | - | ![]() | 5037 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 45 V | 300A (DC) | 650 MV @ 300 A | 10 ma @ 20 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GA04JT17-247 | - | ![]() | 7798 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | Tube | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sic (transistor de jonction en carbure de silicium) | À 247ab | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1700 V | 4A (TC) (95 ° C) | - | 480MOHM @ 4A | - | - | - | 106W (TC) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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