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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Murta30060 | 159.9075 | ![]() | 5731 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 150a | 1,7 V @ 150 A | 25 µA à 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBRH12060 | 60.0375 | ![]() | 2959 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky | D-67 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRH12060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 MV @ 120 A | 4 ma @ 20 V | 120a | - | ||||||
![]() | MBR60100R | 21.3105 | ![]() | 9025 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR60100 | Schottky, polaté inversée | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR60100RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 840 MV @ 60 A | 5 ma @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | ||||
![]() | FR6JR02 | 5.1225 | ![]() | 5751 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR6JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,4 V @ 6 A | 250 ns | 25 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | ||||
![]() | MBRT60040 | 140.2020 | ![]() | 1945 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT60040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | 1N3767R | 6.2320 | ![]() | 5351 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3767R | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1N3767RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 900 V | 1,2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 35a | - | ||||
![]() | MBR7520R | 21.9195 | ![]() | 6349 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR7520 | Schottky, polaté inversée | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR7520RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 650 mV @ 75 A | 5 ma @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75a | - | ||||
![]() | 1N3767 | 6.2320 | ![]() | 3763 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3767 | Standard | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1N3767GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 900 V | 1,2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 35a | - | ||||
![]() | MURH7005R | - | ![]() | 6199 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 | Standard | D-67 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 70a | - | |||||
![]() | S85MR | 11.8980 | ![]() | 8567 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | S85m | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S85MRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,1 V @ 85 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 85a | - | ||||
![]() | FR85B05 | 23.1210 | ![]() | 5846 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR85B05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,4 V @ 85 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | ||||
![]() | MBRF30045R | - | ![]() | 7219 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | MBRF3004 | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 45 V | 150a | 700 mV @ 150 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | FST7360M | - | ![]() | 4808 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 35a | 750 MV @ 35 A | 1 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
1N1190A | 10.3200 | ![]() | 102 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1190 | Standard | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1043 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 40 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 40a | - | |||||
![]() | MBRH30020RL | - | ![]() | 1249 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky | D-67 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 580 mV @ 300 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 300A | - | |||||||
![]() | MBRT30080 | - | ![]() | 8591 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT30080GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 150a | 880 MV @ 150 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBR30040CTL | - | ![]() | 4948 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Schottky | Jumelle de tournée | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 150a | 600 mV @ 150 A | 3 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBRF12030 | - | ![]() | 3993 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 60A | 700 mV @ 60 A | 1 ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBR40030CT | 98.8155 | ![]() | 5540 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR40030 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR40030CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 200A | 650 MV @ 200 A | 5 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | FR30AR02 | 10.5930 | ![]() | 6700 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR30AR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,4 V @ 30 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 30A | - | ||||
![]() | Murt10060r | 93.0525 | ![]() | 9440 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Murt10060 | Polateté Standard et inverse | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Murt10060rgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 600 V | 50A | 1,7 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||
![]() | MBR7530 | 20.8845 | ![]() | 8336 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR7530GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 650 mV @ 75 A | 5 ma @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75a | - | |||||
![]() | FR85DR02 | 24.1260 | ![]() | 5504 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR85DR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,4 V @ 85 A | 200 ns | 25 µA à 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | ||||
![]() | MURF10020R | - | ![]() | 9568 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Standard | À 244 | - | 1 (illimité) | Murf10020rgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 200 V | 50A | 1,3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | Mbrta60030 | - | ![]() | 6638 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 300A | 700 mV @ 300 A | 1 ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | FR12JR05 | 6.8085 | ![]() | 8043 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR12JR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 800 mV @ 12 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||
![]() | MBRF60040 | - | ![]() | 6189 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 300A (DC) | 650 MV @ 300 A | 10 ma @ 20 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||
![]() | Murt30010 | 118.4160 | ![]() | 5586 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Murt30010gn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 150a | 1,3 V @ 150 A | 100 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | FR70BR02 | 17.7855 | ![]() | 6342 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR70BR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,4 V @ 70 A | 200 ns | 25 µA à 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 70a | - | ||||
![]() | GKR130 / 16 | 35.6397 | ![]() | 4222 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-205AA, DO-8, Stud | GKR130 | Standard | DO-205AA (DO-8) | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1600 V | 1,5 V @ 60 A | 22 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 165a | - |
Volume de RFQ moyen quotidien
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