SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Actualiser Tension Tension - isolement Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f
MSRTA20080D GeneSiC Semiconductor MSRTA20080D 142.3575
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ECAD 2531 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Module MSRTA200 Standard - télécharger Rohs3 conforme 1242-MSRTA20080D EAR99 8541.10.0080 24 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 800 V 200A 1,1 V @ 200 A 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
S320JR GeneSiC Semiconductor S320JR 62.2080
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ECAD 6119 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AB, DO-9, Stud S320 Polateté Standard et inverse DO-205AB (DO-9) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S320JRGN EAR99 8541.10.0080 8 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60 ° C ~ 180 ° C 320A -
GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H 5.9100
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ECAD 484 0,00000000 Semi-conducteur Génie SIC SCHOTTKY MPS ™ Tube Actif Par le trou À 247-2 GD30MPS06 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-2 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1242-GD30MPS06H EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 49a 735pf @ 1v, 1MHz
FST8360SM GeneSiC Semiconductor FST8360SM -
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ECAD 2491 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D61-3SM Schottky D61-3SM télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté FST8360SMGN EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 80A (DC) 750 MV @ 80 A 1,5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2X060A02 GeneSiC Semiconductor Mur2x060a02 47.1200
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ECAD 6244 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Mur2x060 Standard SOT-227 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1309 EAR99 8541.10.0080 52 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 200 V 60A 1 V @ 60 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBRH240200 GeneSiC Semiconductor MBRH240200 76.4925
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ECAD 7854 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 920 MV @ 240 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 240a -
1N4588 GeneSiC Semiconductor 1N4588 35.5695
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ECAD 3219 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud 1N4588 Standard DO-205AA (DO-8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N4588GN EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 200 V 1,5 V @ 150 A 9.5 Ma @ 200 V -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
GB25MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB25MPS17-247 -
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ECAD 1657 0,00000000 Semi-conducteur Génie SIC SCHOTTKY MPS ™ Tube Obsolète Par le trou À 247-2 GB25MPS17 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-2 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1242-1344 EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1700 V 1,8 V @ 25 A 0 ns 10 µA à 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 52a 2350pf @ 1v, 1MHz
MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor MBR12060CTR 68.8455
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ECAD 4537 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR12060 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1083 EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 120A (DC) 750 MV @ 60 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH15045RL GeneSiC Semiconductor MBRH15045RL -
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ECAD 8770 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D-67 Schottky, polaté inversée D-67 - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 45 V 600 mV @ 150 A 5 Ma @ 45 V 150a -
MBR2X060A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A200 46.9860
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ECAD 5106 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc MBR2X060 Schottky SOT-227 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 52 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 200 V 60A 920 MV @ 60 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
MUR20040CT GeneSiC Semiconductor Mur20040ct 101.6625
RFQ
ECAD 6926 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée Mur20040 Standard Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur20040ctgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 400 V 100A 1,3 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKR13012 GeneSiC Semiconductor GKR13012 37.6023
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ECAD 8899 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud GKR130 Standard DO-205AA (DO-8) - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1200 V 1,5 V @ 60 A 22 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
MBRF12020R GeneSiC Semiconductor MBRF12020R -
RFQ
ECAD 6666 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 20 V 60A 700 mV @ 60 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURH7010 GeneSiC Semiconductor MURH7010 49.5120
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ECAD 2594 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Standard D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA à 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 70a -
MURF30010R GeneSiC Semiconductor Murf30010r -
RFQ
ECAD 3095 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Standard À 244 - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 100 V 150a 1 V @ 150 A 25 µA à 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80030 GeneSiC Semiconductor MBRTA80030 -
RFQ
ECAD 9680 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 18 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 30 V 400A 720 MV @ 400 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR30010CTR GeneSiC Semiconductor Mur30010ctr 118.4160
RFQ
ECAD 3859 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée Mur30010 Standard Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur30010ctrgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 100 V 150a 1,3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-263 53.7500
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ECAD 37 0,00000000 Semi-conducteur Génie - Tube Actif Support de surface À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca - GA20SICP12 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1194 EAR99 8541.29.0095 50 - 20 a 1,2 kV -
MBR2X080A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A100 53.8500
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc MBR2X080 Schottky SOT-227 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1302 EAR99 8541.10.0080 52 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 100 V 80A 840 MV @ 80 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
MURT20005 GeneSiC Semiconductor Murt20005 -
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ECAD 2304 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Murt20005gn EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 50 V 100A 1,3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR300150CTR GeneSiC Semiconductor MBR300150CTR 94.5030
RFQ
ECAD 1189 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR300150 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 150 V 150a 880 MV @ 150 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
MSRT100140AD GeneSiC Semiconductor MSRT100140AD 54.0272
RFQ
ECAD 4745 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT100 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1400 V 100A 1,1 V @ 100 A 10 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT150140AD GeneSiC Semiconductor MSRT150140AD 71.6012
RFQ
ECAD 9567 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT150 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1400 V 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST8320SM GeneSiC Semiconductor FST8320SM -
RFQ
ECAD 6365 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D61-3SM Schottky D61-3SM télécharger 1 (illimité) FST8320SMGN EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 20 V 80A (DC) 650 mV @ 80 A 1,5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR7010 GeneSiC Semiconductor Mur7010 17.5905
RFQ
ECAD 4310 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur7010gn EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 70a -
S85BR GeneSiC Semiconductor S85br 15.0400
RFQ
ECAD 198 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud S85b Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S85brgn EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 100 V 1,1 V @ 85 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 85a -
1N2133AR GeneSiC Semiconductor 1N2133AR 8.9025
RFQ
ECAD 9934 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N2133AR Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N2133argn EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 300 V 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 60A -
MBRF60080 GeneSiC Semiconductor MBRF60080 -
RFQ
ECAD 5290 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 80 V 300A 840 MV @ 250 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURH7040 GeneSiC Semiconductor MURH7040 49.5120
RFQ
ECAD 9358 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Standard D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,3 V @ 70 A 90 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 155 ° C 70a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock