SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id VGS (max) FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - DC inverse (VR) (max) Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO)
P3D06010E2 PN Junction Semiconductor P3D06010E2 4.1600
RFQ
ECAD 8153 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Ruban Adhésif (tr) Actif À 252-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06010e2tr 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 44 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 28a
P3M06060K3 PN Junction Semiconductor P3M06060K3 10.3800
RFQ
ECAD 9755 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3L télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3M06060K3 1 Canal n 650 V 48a 15V 79MOHM @ 20A, 15V 2.2 V @ 20mA (TYP) + 20V, -8V - 188w
P3M12160K4 PN Junction Semiconductor P3M12160K4 8.8300
RFQ
ECAD 9289 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-4 Sicfet (carbure de silicium) À 247-4L télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3M12160K4 1 Canal n 1200 V 19A 15V 192MOHM @ 10A, 15V 2,4 V @ 2,5mA (TYP) + 21V, -8V - 110W
P3D06006F2 PN Junction Semiconductor P3D06006F2 2 5000
RFQ
ECAD 2548 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Tube Actif À 220f-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220f-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06006f2 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 30 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A
P3M06300D8 PN Junction Semiconductor P3M06300D8 4.9800
RFQ
ECAD 7160 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3M Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface Dfn8 * 8 Sicfet (carbure de silicium) Dfn8 * 8 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3m06300d8tr 1 Canal n 650 V 9A 15V 500 MOHM @ 4.5A, 15V 2.2 V @ 5mA + 20V, -8V - 32W
P3D06010G2 PN Junction Semiconductor P3D06010G2 4.1600
RFQ
ECAD 5972 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Ruban Adhésif (tr) Actif À 263-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06010g2tr 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 44 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A
P3D06006G2 PN Junction Semiconductor P3D06006G2 2 5000
RFQ
ECAD 3063 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Ruban Adhésif (tr) Actif À 263-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06006g2tr 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 30 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 21A
P3D06004E2 PN Junction Semiconductor P3D06004E2 2.1000
RFQ
ECAD 8434 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Ruban Adhésif (tr) Actif À 252-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06004e2tr 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 20 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A
P3M171K0G7 PN Junction Semiconductor P3M171K0G7 6.1000
RFQ
ECAD 7429 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca Sicfet (carbure de silicium) D2pak-7 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3M171K0G7 EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1700 V 7a 15V 1,4 ohm @ 2a, 15v 2.2 V @ 2MA (TYP) + 19v, -8v - 100W
P3M12160K3 PN Junction Semiconductor P3M12160K3 8.8300
RFQ
ECAD 8824 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3L télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3M12160K3 EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1200 V 19A 15V 192MOHM @ 10A, 15V 2,4 V @ 2,5mA (TYP) + 21V, -8V - 110W
P3M06060K4 PN Junction Semiconductor P3M06060K4 10.3800
RFQ
ECAD 7995 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-4 Sicfet (carbure de silicium) À 247-4L télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3M06060K4 1 Canal n 650 V 48a 15V 79MOHM @ 20A, 15V 2,4 V @ 5mA (TYP) + 20V, -8V - 188w
P3D06006I2 PN Junction Semiconductor P3D06006I2 2 5000
RFQ
ECAD 8790 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Tube Actif À 220i-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220i-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06006i2 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 30 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 18a
P3D06040K3 PN Junction Semiconductor P3D06040K3 13.8400
RFQ
ECAD 2820 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P6d Tube Actif À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06040k3 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 100 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 106a
P3M173K0K3 PN Junction Semiconductor P3M173K0K3 5.0800
RFQ
ECAD 6554 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3L télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3M173K0K3 1 Canal n 1700 V 4A 15V 3,6 ohm @ 600mA, 15v 2,2 V @ 600µA (TYP) + 19v, -8v - 63W
P3D06004T2 PN Junction Semiconductor P3D06004T2 2.1000
RFQ
ECAD 2096 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Tube Actif À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06004t2 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 20 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A
P3D12005E2 PN Junction Semiconductor P3D12005E2 4.5000
RFQ
ECAD 1816 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Ruban Adhésif (tr) Actif À 252-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d12005e2tr 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 0 ns 44 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 19A
P3D06020F2 PN Junction Semiconductor P3D06020F2 8.8400
RFQ
ECAD 7762 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Tube Actif À 220f-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220f-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06020f2 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 29A
P3D06008I2 PN Junction Semiconductor P3D06008I2 3.3300
RFQ
ECAD 4460 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Tube Actif À 220i-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220i-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06008i2 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 36 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 21A
P3D06002G2 PN Junction Semiconductor P3D06002G2 2.1000
RFQ
ECAD 4224 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Ruban Adhésif (tr) Actif À 263-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06002g2tr 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 10 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 7a
P3M171K0F3 PN Junction Semiconductor P3M171K0F3 6.1000
RFQ
ECAD 2987 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220f-2 Sicfet (carbure de silicium) À 220f-2l télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3M171K0F3 1 Canal n 1700 V 5.5a 15V 1,4 ohm @ 2a, 15v 2.2 V @ 2MA (TYP) + 19v, -8v - 51W
P3D12030K2 PN Junction Semiconductor P3D12030K2 14.9200
RFQ
ECAD 2635 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Tube Actif À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d12030k2 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 0 ns 65 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 57A
P3M12025K3 PN Junction Semiconductor P3M12025K3 28.7400
RFQ
ECAD 2069 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3L télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3M12025K3 1 Canal n 1200 V 113a 15V 35MOHM @ 50A, 15V 2,4 V @ 17,7mA (TYP) + 21V, -10V - 524W
P3D06016I2 PN Junction Semiconductor P3D06016I2 7.7800
RFQ
ECAD 2155 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Tube Actif À 220i-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220i-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06016i2 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 45 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 28a
P3D06020P3 PN Junction Semiconductor P3D06020P3 8.8400
RFQ
ECAD 6681 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Tube Actif Sic (Carbure de Silicium) Schottky To-3pf-3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3D06020P3 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 44 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 40a
P3M06040K3 PN Junction Semiconductor P3M06040K3 12.1700
RFQ
ECAD 2030 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3L télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3M06040K3 EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 650 V 68a 15V 50MOHM @ 40A, 15V 2,4 V @ 7,5mA (TYP) + 20V, -8V - 254W
P3D06002E2 PN Junction Semiconductor P3D06002E2 0,9100
RFQ
ECAD 5306 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Ruban Adhésif (tr) Actif À 252-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d06002e2tr 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 10 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 9A
P3M06040K4 PN Junction Semiconductor P3M06040K4 12.1700
RFQ
ECAD 2233 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-4 Sicfet (carbure de silicium) À 247-4L télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3M06040K4 1 Canal n 650 V 68a 15V 50MOHM @ 40A, 15V 2,4 V @ 7,5mA (TYP) + 20V, -8V - 254W
P3D06020K3 PN Junction Semiconductor P3D06020K3 8.8400
RFQ
ECAD 2386 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Tube Actif À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3D06020K3 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 44 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 82a
P3M171K0K3 PN Junction Semiconductor P3M171K0K3 6.1000
RFQ
ECAD 5311 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247-3L télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-P3M171K0K3 1 Canal n 1700 V 6A 15V 1,4 ohm @ 2a, 15v 2.2 V @ 2MA (TYP) + 19v, -8v - 68W
P3D12010T2 PN Junction Semiconductor P3D12010T2 6.5400
RFQ
ECAD 6876 0,00000000 Semi-conducteur de jonction pn P3d Tube Actif À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre Affeté 4237-p3d12010t2 1 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 31A
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock