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Produits semi-conduurs discrètes (16626)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Condition de test	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C
Irfs52n15dtrrp	-	RFQ	8720	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		IRFS52		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n					150 V	51A (TC)	10V	32MOHM @ 36A, 10V	5V @ 250µA	89 NC @ 10 V	± 30V	2770 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 230W (TC)
Irfr3911trlpbf	-	RFQ	3802	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n					100 V	14A (TC)	10V	115MOHM @ 8.4A, 10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	± 20V	740 PF @ 25 V	-	56W (TC)
Irfr3707trlpbf	-	RFQ	3196	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001573356	EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n					30 V	61a (TC)	4,5 V, 10V	13MOHM @ 15A, 10V	3V à 250µA	19 NC @ 4,5 V	± 20V	1990 PF @ 15 V	-	87W (TC)
Irfr540ztrrpbf	-	RFQ	1043	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001557092	EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n					100 V	35A (TC)	10V	28,5MOHM @ 21A, 10V	4V @ 50µA	59 NC @ 10 V	± 20V	1690 pf @ 25 V	-	91W (TC)
IRlr8743pbf	-	RFQ	7033	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75			Canal n					30 V	160a (TC)	4,5 V, 10V	3,1MOHM @ 25A, 10V	2,35 V @ 100µA	59 NC @ 4,5 V	± 20V	4880 PF @ 15 V	-	135W (TC)
IDH16G65C5XKSA1	-	RFQ	8089	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Abandonné à sic		Par le trou	À 220-2		IDH16		Sic (Carbure de Silicium) Schottky		PG à 220-2-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	500		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)																650 V	1,7 V @ 16 A	0 ns	550 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	16A	470pf @ 1v, 1MHz
Irgp4078dpbf	-	RFQ	3646	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			Standard		278 W	À 247AC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001540792	EAR99	8541.29.0095	25				400 V, 50A, 10OHM, 15V																					Tranché	600 V	74 A	150 A	2.2 V @ 15V, 50A	1,1mj (off)	92 NC	- / 116ns
IRG4PC50UD-MP	-	RFQ	8412	Infineon Technologies	Hexfred®	Sac	Obsolète	-	Par le trou	À 247-3		Irg4pc50	Standard		200 W	À 247AC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25				-																75 ns					-	600 V	55 A	220 A	2v @ 15v, 27a	-	270 NC	-
Irgr4045dtrrpbf	-	RFQ	6126	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Irgr4045	Standard		77 W	D-pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001533062	EAR99	8541.29.0095	3 000				400V, 6A, 47OHM, 15V																74 ns					Tranché	600 V	12 A	18 a	2V @ 15V, 6A	56µJ (ON), 122µJ (OFF)	19,5 NC	27NS / 75NS
Irgs4064dtrlpbf	-	RFQ	4903	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			Standard		101 W	D²pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001535958	EAR99	8541.29.0095	800				400 V, 10A, 22OHM, 15V																62 ns					Tranché	600 V	20 a	40 A	1,91 V @ 15V, 10A	29µJ (ON), 200µJ (OFF)	32 NC	27NS / 79NS
Irgp4266-epbf	-	RFQ	8996	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			Standard		450 W	À 247ad	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001549758	EAR99	8541.29.0095	25				400V, 75A, 10OHM, 15V																					-	650 V	140 a	300 A	2.1V @ 15V, 75A	3,2mj (on), 1,7mj (off)	210 NC	80ns / 200ns
Irgp4640dpbf	-	RFQ	7707	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Irgp4640	Standard		250 W	À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25				400V, 24A, 10 ohms, 15v																89 ns					-	600 V	65 A	72 A	1,9 V @ 15V, 24A	115 µJ (ON), 600 µJ (OFF)	75 NC	41ns / 104ns
Irams12up60a-2	-	RFQ	7604	Infineon Technologies	Imotion ™	Tube	Obsolète		Par le trou	Module 23-Powersip, 19 pistes, Plombs Formes	Igbt						télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	80	3 phase				12 A	600 V	2000 VRM
Irgr4045dpbf	-	RFQ	1766	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Irgr4045	Standard		77 W	D-pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75				400V, 6A, 47OHM, 15V																74 ns					Tranché	600 V	12 A	18 a	2V @ 15V, 6A	56µJ (ON), 122µJ (OFF)	19,5 NC	27NS / 75NS
Auirgp4062d1-e	5.2766	RFQ	7344	Infineon Technologies	-	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Auirgp4062	Standard		217 W	À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001511102	EAR99	8541.29.0095	25				400V, 24A, 10 ohms, 15v																102 ns					Tranché	600 V	55 A	72 A	1,77 V @ 15V, 24A	532 µJ (ON), 311 µJ (OFF)	77 NC	19ns / 90ns
Auirf7484qtr	-	RFQ	2059	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)				MOSFET (Oxyde Métallique)		8-so	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n					40 V	14A (TA)	7v	10MOHM @ 14A, 7V	2V à 250µA	100 nc @ 7 V	± 8v	3520 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
Irgs4045dtrrpbf	-	RFQ	4316	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			Standard		77 W	D²pak	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800				400V, 6A, 47OHM, 15V																74 ns					-	600 V	12 A	18 a	2V @ 15V, 6A	56µJ (ON), 122µJ (OFF)	19,5 NC	27NS / 75NS
Auirf4905	6.4600	RFQ	4	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Auirf4905		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal p					55 V	42A (TC)	10V	20 mohm @ 42a, 10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	± 20V	3500 pf @ 25 V	-	200W (TC)
Irfb4137pbf	5.0600	RFQ	941	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		IRFB4137		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001554580	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					300 V	38A (TC)	10V	69MOHM @ 24A, 10V	5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	± 20V	5168 PF @ 50 V	-	341W (TC)
Irfp4137pbf	6.8300	RFQ	5247	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		IRFP4137		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n					300 V	38A (TC)	10V	69MOHM @ 24A, 10V	5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	± 20V	5168 PF @ 50 V	-	341W (TC)
Irfh4210trpbf	-	RFQ	7078	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN				MOSFET (Oxyde Métallique)		PQFN (5x6)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n					25 V	45A (TA)	4,5 V, 10V	1 35 mohm @ 50a, 10v	2,1 V @ 100µA	74 NC @ 10 V	± 20V	4812 PF @ 13 V	-	3.6W (TA), 104W (TC)
IPB65R225C7ATMA1	-	RFQ	2290	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Ipb65r		MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 263-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n					650 V	11a (TC)	10V	225MOHM @ 4.8A, 10V	4V à 240µA	20 nc @ 10 V	± 20V	996 PF @ 400 V	-	63W (TC)
Irfb7534pbf	2.5400	RFQ	9	Infineon Technologies	Hexfet®, Strongirfet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		IRFB7534		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					60 V	195a (TC)	6v, 10v	2,4 mohm @ 100a, 10v	3,7 V @ 250µA	279 NC @ 10 V	± 20V	10034 PF @ 25 V	-	294W (TC)
Irfp7530pbf	3.6100	RFQ	652	Infineon Technologies	Hexfet®, Strongirfet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		IRFP7530		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001560520	EAR99	8541.29.0095	25			Canal n					60 V	195a (TC)	6v, 10v	2MOHM @ 100A, 10V	3,7 V @ 250µA	411 NC @ 10 V	± 20V	13703 PF @ 25 V	-	341W (TC)
Irfs7537trlpbf	2.3100	RFQ	4168	Infineon Technologies	Hexfet®, Strongirfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		IRFS7537		MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 263-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n					60 V	173a (TC)	6v, 10v	3,3MOHM @ 100A, 10V	3,7 V @ 150µA	210 NC @ 10 V	± 20V	7020 PF @ 25 V	-	230W (TC)
Irfs7540trlpbf	2.3200	RFQ	240	Infineon Technologies	Hexfet®, Strongirfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		IRFS7540		MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 263-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n					60 V	110a (TC)	6v, 10v	5.1MOHM @ 65A, 10V	3,7 V @ 100µA	130 NC @ 10 V	± 20V	4555 PF @ 25 V	-	160W (TC)
Irfs7730trlpbf	2.0637	RFQ	800	Infineon Technologies	Hexfet®, Strongirfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		IRFS7730		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²PAK (à 263AB)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n					75 V	195a (TC)	6v, 10v	2,6MOHM @ 100A, 10V	3,7 V @ 250µA	407 NC @ 10 V	± 20V	13660 pf @ 25 V	-	375W (TC)
Irfu7540pbf	-	RFQ	4301	Infineon Technologies	Hexfet®, Strongirfet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		IRFU7540		MOSFET (Oxyde Métallique)		Ipak (à-251aa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001565384	EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n					60 V	90a (TC)	6v, 10v	4,8MOHM @ 66A, 10V	3,7 V @ 100µA	130 NC @ 10 V	± 20V	4360 PF @ 25 V	-	140W (TC)
Auirfn8405tr	1.4978	RFQ	3725	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		Auirfn8405		MOSFET (Oxyde Métallique)		PQFN (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n					40 V	95a (TC)	10V	2MOHM @ 50A, 10V	3,9 V @ 100µA	117 NC @ 10 V	± 20V	5142 PF @ 25 V	-	3.3W (TA), 136W (TC)
IPB100N06S205ATMA4	-	RFQ	8865	Infineon Technologies	Optimos ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		IPB100		MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à263-3-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n					55 V	100A (TC)	10V	4,7MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	± 20V	5110 PF @ 25 V	-	300W (TC)