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PRODUITS SEMI-CONDUCTURS DISTRETS (184)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G5S06505CT | 4.6400 |  | 7560 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0v, 1MHz | |
 | G4S06506HT | 3,9000 | | 3697 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 9.7A | 181pf @ 0v, 1mhz | |
 | G4S06508DT | 4.6900 | | 5576 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0v, 1MHz | |
 | G4S06540PT | 24.1500 | | 8892 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 40 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 81.8a | 1860pf @ 0v, 1MHz |
2000+
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30 000 000
Unité de produit standard
2800+
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