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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Sti400n4f6	5.0400	RFQ	1	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Sti400n	MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n		40 V	120A (TC)	10V	1,7MOHM @ 60A, 10V	4,5 V @ 250µA	377 NC @ 10 V	± 20V	20000 pf @ 25 V	-	300W (TC)
TN1515-600B-TR	1.8100	RFQ	10	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	TN1515			Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	2 500				40 mA												600 V	15 A	1,3 V	150a, 165a	15 mA	1,6 V	9.5 A	5 µA	Norme de rénovation
T1610T-8I	3.0400	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	T1610			À 220aB isolé	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	50	Célibataire			25 mA											Logique - Porte sensible	800 V	16 A	1,3 V	120a, 126a	10 mA
Bulb903edt4	-	RFQ	3547	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	-	-	Bulbe903			-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000																																				-	NPN	-	-	-
STPS340SY	0,8600	RFQ	5	Stmicroelectronics	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	DO-214AB, SMC	STPS340	Schottky		SMC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2 500		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								40 V		630 mV @ 3 a		20 µA @ 40 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	-
STP26N60DM6	4.0100	RFQ	2354	Stmicroelectronics	MDMESH ™ DM6	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP26	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-18499	EAR99	8541.29.0095	350			Canal n		600 V	18A (TC)	10V	195MOHM @ 9A, 10V	4,75 V @ 250µA	24 NC @ 10 V	± 25V	940 PF @ 100 V	-	130W (TC)
STPS40170CG	-	RFQ	9658	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STPS401	Schottky		D2pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1 paire la commune de cathode	170 V	20A	920 MV @ 20 A		30 µA à 170 V	175 ° C (max)
STPS130A	0 4700	RFQ	18	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	DO-214AC, SMA	STPS130	Schottky		SMA (DO-214AC)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	5 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								30 V		550 mV @ 1 a		10 µA @ 30 V	150 ° C (max)	1A	-
STP8NM60N	-	RFQ	2310	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP8N	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n		600 V	7a (TC)	10V	650mohm @ 3,5a, 10v	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 25V	560 pf @ 50 V	-	70W (TC)
STH6N95K5-2	2.8400	RFQ	9290	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ k5	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STH6	MOSFET (Oxyde Métallique)		H2pak-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n		950 V	6A (TC)	10V	1,25 ohm @ 3a, 10v	5V @ 100µA	13 NC @ 10 V	± 30V	450 pf @ 100 V	-	110W (TC)
STTH5R06FP	1.3500	RFQ	673	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		Par le trou	To-220-2 EXCEPLAGE, ONGLET ISOLÉ	STTH5	Standard		À 220fpac	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								600 V		2,9 V @ 5 A	40 ns	20 µA @ 600 V	175 ° C (max)	5A	-
STPS60150CT	2.8400	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		Par le trou	À 220-3	STPS60150	Schottky		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1 paire la commune de cathode	150 V	30A	940 MV @ 30 A		15 µA à 150 V	175 ° C (max)
STB21NM50N	-	RFQ	8194	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB21N	MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n		500 V	18A (TC)	10V	190MOHM @ 9A, 10V	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	± 25V	1950 PF @ 25 V	-	140W (TC)
Sty60NK30Z	12.7300	RFQ	380	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Sty60	MOSFET (Oxyde Métallique)		Max247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n		300 V	60a (TC)	10V	45MOHM @ 30A, 10V	4,5 V @ 100µA	220 NC @ 10 V	± 30V	7200 pf @ 25 V	-	450W (TC)
STB60NF06LT4	2.0900	RFQ	3018	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB60	MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n		60 V	60a (TC)	5v, 10v	14MOHM @ 30A, 10V	1V @ 250µA	66 NC @ 4,5 V	± 15V	2000 pf @ 25 V	-	110W (TC)
BD677A	1 4000	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3	BD677		40 W	SOT-32-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																																		60 V	4 A	500 µA	Npn - darlington	2,8 V @ 40mA, 2A	750 @ 2A, 3V	-
STH110N10F7-6	-	RFQ	5678	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	STH110	MOSFET (Oxyde Métallique)		H2PAK-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n		100 V	110a (TC)	10V	6,5 mohm @ 55a, 10v	4,5 V @ 250µA	72 NC @ 10 V	± 20V	5117 PF @ 50 V	-	150W (TC)
STF18N55M5	3.2100	RFQ	142	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF18	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n		550 V	16A (TC)	10V	192MOHM @ 8A, 10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	± 25V	1260 pf @ 100 V	-	25W (TC)
BU941P	-	RFQ	6463	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	BU941		155 W	À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30																																		400 V	15 A	100 µA	Npn - darlington	2V @ 300mA, 12A	300 @ 5A, 10V	-
STB20N90K5	6.7300	RFQ	995	Stmicroelectronics	MDMESH ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB20	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n		900 V	20A (TC)	10V	250 mohm @ 10a, 10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	± 30V	1500 pf @ 100 V	-	250W (TC)
STTH10LCD06CT	1.3539	RFQ	7555	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		Par le trou	À 220-3	STTH10	Standard		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1 paire la commune de cathode	600 V	5A	2 V @ 5 A	50 ns	1 µA @ 600 V	175 ° C (max)
Stwa67n60dm6	6.6739	RFQ	5820	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STWA67	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247 Pistes longs	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-stwa67n60dm6	EAR99	8541.29.0095	600			Canal n		600 V	58A (TC)	10V	54MOHM @ 23,5A, 10V	4,75 V @ 250µA	72,5 NC @ 10 V	± 25V	3400 PF @ 100 V	-	431W (TC)
STP7N95K3	3.1400	RFQ	499	Stmicroelectronics	SuperMesh3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP7N95	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-8792-5	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n		950 V	7.2a (TC)	10V	1,35 ohm @ 3,6a, 10v	5V @ 100µA	34 NC @ 10 V	± 30V	1031 PF @ 100 V	-	150W (TC)
STPS41L60CG-TR	2.6200	RFQ	15	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STPS41	Schottky		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1 paire la commune de cathode	60 V	20A	600 mV @ 20 A		600 µA @ 60 V	150 ° C (max)
2N3440	-	RFQ	7429	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N34		1 W	To-39	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	100																																		250 V	1 a	50 µA	NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	15 MHz
STSJ50NH3LL	-	RFQ	9546	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SIAC (0,154 ", 3,90 mm de grand) Exposé de tampon	STSJ50	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n		30 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	10,5 mohm @ 6a, 10v	1V @ 250µA	12 NC @ 4,5 V	± 16V	965 PF @ 25 V	-	3W (TA), 50W (TC)
Bulbe128-1	0,7000	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Bulbe128		70 W	À 262	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																																		400 V	4 A	250 µA	NPN	500 mV @ 1A, 4A	14 @ 2a, 5v	-
STF5N52U	-	RFQ	2060	Stmicroelectronics	UltrafastMesh ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF5N	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n		525 V	4.4a (TC)	10V	1,5 ohm @ 2,2a, 10v	4,5 V @ 50µA	16.9 NC @ 10 V	± 30V	529 pf @ 25 V	-	25W (TC)
STPS41L45CG-TR	2.1700	RFQ	7458	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STPS41	Schottky		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1 paire la commune de cathode	45 V	20A	530 MV @ 20 A		1,2 ma @ 45 V	150 ° C (max)
Ferd20h60cts	1 0000	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		Par le trou	À 220-3	Ferd20	Ferd (Diode de redressdeur d'effet de champion)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1 paire la commune de cathode	60 V	10A	575 MV @ 10 A		200 µA @ 60 V	175 ° C (max)