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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Hold (IH) (Max) | Condition de test | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) | Type Scr | Silhouette | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test |
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![]() | STK820 | 2.7900 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Polarpak® | STK8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Polarpak® | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 21A (TA) | 4,5 V, 10V | 7,3MOHM @ 10.5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 9,5 NC @ 4,5 V | ± 16V | 1425 pf @ 25 V | - | 5.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTW69-1200N | 6.9900 | ![]() | 494 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Par le trou | Top-3 | BTW69 | Top3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-13986-5 | EAR99 | 8541.30.0080 | 30 | 100 mA | 1,2 kV | 50 a | 1,3 V | 700a, 763a | 50 mA | 1,6 V | 31 A | 10 µA | Norme de rénovation | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STAC2943 | 109.0400 | ![]() | 37 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Boîte | Obsolète | 130 V | STAC177B | STAC294 | 30 MHz | Mosfet | STAC177B | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 40a | 250 mA | 350W | 25 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP80N10F7 | - | ![]() | 4993 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 80A (TC) | 10V | 10MOHM @ 40A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 50 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU5N52K3 | - | ![]() | 7772 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3 ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STU5N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 525 V | 4.4a (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2,2a, 10v | 4,5 V @ 50µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 545 PF @ 100 V | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP10NK60Z | 3.4600 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 10A (TC) | 10V | 750mohm @ 4.5a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 30V | 1370 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD15N65M5 | 5.0500 | ![]() | 5074 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 650 V | 11a (TC) | 10V | 340mohm @ 5.5a, 10v | 5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 25V | 816 pf @ 100 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stgya50m120df3 | 10.0000 | ![]() | 1924 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Stgya50 | Standard | 535 W | Max247 ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 497-STGYA50M120DF3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 50A, 10OHM, 15V | 325 ns | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 100 A | 200 A | 2.2 V @ 15V, 50A | 2MJ (on), 3,2mj (off) | 194 NC | 38ns / 258ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS1150AFN | - | ![]() | 5447 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Ecopack®2 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | STPS1150 | Schottky | Smaflat | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-stps1150afntr | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 820 mV @ 1 a | 1 µA à 150 V | 175 ° C (max) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP7N80K5 | 2.5600 | ![]() | 2999 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh5 ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP7N80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-13589-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 6A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 3a, 10v | 5V @ 100µA | 13.4 NC @ 10 V | ± 30V | 360 pf @ 100 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGIPQ3H60T-HLS | 7.4069 | ![]() | 7118 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SLLIMM ™ | Tube | Actif | Par le trou | Module 26-Powerdip (0,573 ", 14,50 mm) | Igbt | Stgipq3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.39.0001 | 360 | Onduleur Triphasé | 3 A | 600 V | 1500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sts8dn6lf6ag | 1.7200 | ![]() | 3261 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | STS8DN6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.2W | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 60V | 8a (ta) | 24MOHM @ 4A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 27nc @ 10v | 1340pf @ 25v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGB15H60DF | 2.5900 | ![]() | 390 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STGB15 | Standard | 115 W | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 400V, 15A, 10OHM, 15V | 103 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 30 A | 60 a | 2V @ 15V, 15A | 136µJ (ON), 207µJ (OFF) | 81 NC | 24,5ns / 118ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sti35n65m5 | - | ![]() | 5606 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Sti35n | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 27a (TC) | 10V | 98MOHM @ 13,5A, 10V | 5V @ 250µA | 83 NC @ 10 V | ± 25V | 3750 PF @ 100 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD85035STR-E | 30.8300 | ![]() | 9481 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 40 V | Powerso-10rf Pad Exposé de la | PD85035 | 870 MHz | LDMOS | Powerso-10rf (Tête Droite) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -1138-PD85035STR-ETR | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 8a | 350 mA | 15W | 17 dB | - | 13,6 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU7N60DM2 | 0,6796 | ![]() | 5557 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STU7N60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 6A (TC) | 10V | 900MOHM @ 3A, 10V | 4,75 V @ 250µA | 7,5 NC @ 10 V | ± 25V | 324 pf @ 100 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pd54008tr-e | 10.5270 | ![]() | 1847 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 25 V | Powerso-10rf Pad Exposé pour (2 leads FORMES) | PD54008 | 500 MHz | LDMOS | Powerso-10rf (Plomb Formé) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 5A | 150 mA | 8W | 11,5 dB | - | 7,5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH30RQ06G2Y-TR | 2.7100 | ![]() | 8361 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, EcoPack®2 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STTH30 | Standard | D2pak hv | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2,95 V @ 30 A | 55 ns | 40 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGIB30M60S-E | 18.9254 | ![]() | 9833 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SLLIMM ™ | Tube | Actif | Par le trou | Module 26-Powerdip (1 146 ", 29,10 mm) | Igbt | STGIB30 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.39.0001 | 156 | Onduleur Triphasé | 35 A | 600 V | 1500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Acs102-6t1-tr | 0,6000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | ACS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | ACS102 | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 500 | Célibataire | 20 mA | Alternative - Snubberless | 600 V | 200 mA | 900 mV | 7.3a, 7.6a | 5 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCTH70N120G2V-7 | 31.3814 | ![]() | 9609 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca | Sicfet (carbure de silicium) | H2PAK-7 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 1200 V | 90a (TC) | 18V | 30MOHM @ 50A, 18V | 4,9 V @ 1MA | 150 NC @ 18 V | + 22V, -10V | 3540 PF @ 800 V | - | 469W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T835H-8i | 1.3400 | ![]() | 2185 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Série h | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | T835 | À 220aB isolé | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 497-T835H-8I | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Célibataire | 35 mA | Alternative - Snubberless | 800 V | 8 A | 1,3 V | 80a, 84a | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stgfw20v60df | 2.9100 | ![]() | 504 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | Stgfw20 | Standard | 52 W | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20A, 15V | 40 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 40 A | 80 A | 2.2V @ 15V, 20A | 200 µJ (ON), 130 µJ (OFF) | 116 NC | 38ns / 149ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD2902 | - | ![]() | 4416 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Boîte | Obsolète | 65 V | M113 | SD2902 | 400 MHz | Mosfet | M113 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 2.5a | 25 mA | 15W | 13,5 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stp3n80k5 | 1.5700 | ![]() | 847 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh5 ™ | Tube | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Stp3n80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 2.5a (TC) | 10V | 3,5 ohm @ 1a, 10v | 5V @ 100µA | 9,5 NC @ 10 V | ± 30V | 130 pf @ 100 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Let9120 | - | ![]() | 7638 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Plateau | Obsolète | 80 V | M246 | Let9120 | 860 MHz | LDMOS | M246 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 18a | 400 mA | 150W | 18 dB | - | 32 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACS120-7SB | 1.1800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | ASD ™ | Tube | Actif | -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | ACS120 | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 75 | Célibataire | 45 Ma | Logique - Porte sensible | 700 V | 2 A | 1 V | 20a, 11a | 10 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS15H100CH | - | ![]() | 4582 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STPS15 | Schottky | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 7.5a | 800 mV à 7,5 A | 3 µA à 100 V | 175 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Acst1635-8fp | 2.1800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | TSA | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | ACST1635 | À 220fpab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Célibataire | 30 mA | Standard | 800 V | 16 A | 1 V | 140a, 147a | 35 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW62N65M5 | 14.4700 | ![]() | 4549 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ V | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW62 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 46A (TC) | 10V | 49MOHM @ 23A, 10V | 5V @ 250µA | 142 NC @ 10 V | ± 25V | 6420 PF @ 100 V | - | 330W (TC) |
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