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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Courant - Hold (IH) (Max) | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) | Type Scr | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | STW75N60DM6 | 13.7100 | ![]() | 375 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM6 | Tube | Actif | - | Par le trou | À 247-3 | STW75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal n | 600 V | 72A (TC) | - | - | - | ± 25V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF25N60M2-EP | 2.8600 | ![]() | 360 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M2-EP | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-15886-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 18A (TC) | 10V | 188MOHM @ 9A, 10V | 4,75 V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 25V | 1090 pf @ 100 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGD18N40LZ-1 | - | ![]() | 8467 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STGD18 | Logique | 125 W | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | 300 V, 10A, 5V | - | 420 V | 25 A | 40 A | 1,7 V @ 4,5 V, 10A | - | 29 NC | 650 ns / 13,5 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ulq2003d1013tty | 1.0200 | ![]() | 45 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | ULQ2003 | - | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 50v | 500mA | - | 7 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | 1000 @ 350mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP20N60M2-EP | 1.1551 | ![]() | 8280 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M2-EP | Tube | Actif | - | Par le trou | À 220-3 | STP20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 13A (TC) | 10V | - | - | ± 25V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS16150CR | - | ![]() | 7756 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | STPS16150 | Schottky | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 8a | 920 MV @ 8 A | 3 µA @ 150 V | 175 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ferd15s50djf-tr | 0,9200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 8 powervdfn | Ferd15 | Ferd (Diode de redressdeur d'effet de champion) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 480 MV @ 10 A | 650 µA à 50 V | 150 ° C (max) | 15A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP7N60M2 | 1.4700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II Plus | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP7N60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2,5a, 10v | 4V @ 250µA | 8,8 NC @ 10 V | ± 25V | 271 PF @ 100 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stgb10m65df2 | 2.2700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STGB10 | Standard | 115 W | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 400 V, 10A, 22OHM, 15V | 96 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 20 a | 40 A | 2V @ 15V, 10A | 120 µJ (ON), 270 µJ (OFF) | 28 NC | 19ns / 91ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGB50H65FB2 | 1.3018 | ![]() | 1371 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STGB50 | Standard | 272 W | D²pak (à 263) | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 497-STGB50H65FB2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 400V, 50A, 4,7 ohms, 15v | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 86 A | 150 a | 2V @ 15V, 50A | 910 µJ (ON), 580µJ (OFF) | 151 NC | 28NS / 115NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stgp3nb60f | - | ![]() | 8981 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Stgp3 | Standard | 68 W | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480v, 3a, 10hm, 15v | 45 ns | - | 600 V | 6 A | 24 A | 2,4 V @ 15V, 3A | 125µJ (off) | 16 NC | 12,5ns / 105ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS140AFN | 0,4200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | STPS140 | Schottky | Encoche Smaflat | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 550 mV @ 1 a | 12 µA @ 40 V | 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | X0115 ml | 0.4900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 000 | 5 mA | 600 V | 800 mA | 800 mV | 7a, 7.6a | 150 µA | 1,7 V | 500 mA | 1 µA | Porte sensible | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STGP100N30 | 6.1000 | ![]() | 849 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STGP100 | Standard | 250 W | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 180V, 25A, 10OHM, 15V | - | 330 V | 90 A | 2,5 V @ 15V, 50A | - | - / 134ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STL19N60M2 | 1.3035 | ![]() | 6010 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m2 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL19 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (8x8) HV | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 11a (TC) | 10V | 4V @ 250µA | 21,5 NC @ 10 V | ± 25V | 791 PF @ 100 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH60P03SW | 3.7100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | STTH60 | Standard | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-4416-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,5 V @ 30 A | 100 µA @ 300 V | 175 ° C (max) | 60A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU95N4F3 | - | ![]() | 3599 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Stu95 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 40 V | 80A (TC) | 10V | 6,5 mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SCTWA90N65G2V-4 | 38.0100 | ![]() | 2556 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sctwa90 | Sicfet (carbure de silicium) | HIP247 ™ Longs | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 497-SCTWA90N65G2V-4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 119a (TC) | 24MOHM @ 50A, 18V | 5V @ 1MA | 157 NC @ 18 V | + 22V, -10V | 3380 PF @ 400 V | - | 565W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT20N120 | 17.0800 | ![]() | 127 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sct20 | Sicfet (carbure de silicium) | HIP247 ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-15170 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 20A (TC) | 20V | 290MOHM @ 10A, 20V | 3,5 V @ 1MA | 45 NC @ 20 V | + 25V, -10V | 650 pf @ 400 V | - | 175W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL28N60DM2 | 2.2424 | ![]() | 8075 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | STL28 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (8x8) HV | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 175MOHM @ 10.5A, 10V | 5V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 25V | 1500 pf @ 100 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS20M80CFP | - | ![]() | 2374 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STPS20 | Schottky | À 220fpab | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 10A | 740 MV @ 10 A | 30 µA @ 80 V | 175 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC394 | - | ![]() | 7799 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | En gros | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN | BC394 | 400 MW | À 18 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | 180 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 400 MV à 5MA, 50mA | 30 @ 10mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Std10n60m6 | 0,9022 | ![]() | 2348 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-Pak (à 252) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 497-STD10N60M6TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 6.4a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.2a, 10v | 4,75 V @ 250µA | 8,8 NC @ 10 V | ± 25V | 338 PF @ 100 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stl64dn4f7ag | 0,8186 | ![]() | 4480 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL64 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 57W (TC) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 497-stl64dn4f7agtr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 40A (TC) | 8,5 mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250µA | 9.8nc @ 10v | 637pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS20SM80CT | - | ![]() | 8132 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | STPS20 | Schottky | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 10A | 780 MV @ 10 A | 25 µA @ 80 V | 175 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stwa57n65m5 | 10.7700 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STWA57 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-13604-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 42A (TC) | 10V | 63MOHM @ 21A, 10V | 5V @ 250µA | 98 NC @ 10 V | ± 25V | 4200 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC20H065CWY | 9.3400 | ![]() | 600 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, EcoPack®2 | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | STPSC20 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 10A | 1,75 V @ 10 A | 100 µA @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYT60P-1000 | - | ![]() | 8377 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | SOD-93-2 | BYT60 | Standard | SOD-93 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 1000 V | 60A | 1,9 V @ 60 A | 170 ns | 100 µA à 1000 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | E-l6210 | - | ![]() | 1818 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 70 ° C (TA) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | L6210 | Schottky | 16 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-8816-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 1,2 V @ 1 A | 1 ma @ 40 V | 2 A | Monophasé | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW70N65M2 | 8.6953 | ![]() | 2833 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal n | 650 V | 63a (TC) | 10V | 46MOHM @ 31,5A, 10V | 4V @ 250µA | 117 NC @ 10 V | ± 25V | 5140 PF @ 100 V | - | 446W (TC) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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