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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) Type Scr Silhouette Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
2N5191 STMicroelectronics 2N5191 -
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 ECAD 9390 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 225aa, à 126-3 2N51 40 W SOT-32-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 60 V 4 A 1 mA NPN 1,4 V @ 1A, 4A 25 @ 1.5a, 2v 2 MHz
STI260N6F6 STMicroelectronics Sti260n6f6 5.6200
RFQ
 ECAD 891 0,00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa STI260N MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 120A (TC) 10V 3MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 183 NC @ 10 V ± 20V 11400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STF16N50U STMicroelectronics STF16N50U -
RFQ
 ECAD 8397 0,00000000 Stmicroelectronics UltrafastMesh ™ Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET STF16 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fp télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 15A (TC) 10V 520 mohm @ 5a, 10v 4,5 V @ 100µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1950 PF @ 25 V - 30W (TC)
STP5NB60 STMicroelectronics STP5NB60 -
RFQ
 ECAD 9890 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-2769-5 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 5A (TC) 10V 2ohm @ 2,5a, 10v 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 30V 884 PF @ 25 V - 100W (TC)
STTH3003CW STMicroelectronics STTH3003CW 2.8600
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 ECAD 650 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif Par le trou À 247-3 STTH3003 Standard À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 300 V 15A 1,25 V @ 15 A 40 ns 40 µA à 300 V 175 ° C (max)
MJD122T4 STMicroelectronics MJD122T4 0,9300
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 ECAD 427 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MJD122 20 W Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 100 V 8 A 10 µA Npn - darlington 4V @ 80mA, 8A 1000 @ 4A, 4V -
TIP34C STMicroelectronics TIP34C -
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 ECAD 1470 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 TIP34 80 W À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 100 V 10 a 700 µA Pnp 4V @ 2,5A, 10A 20 @ 3A, 4V 3 MHz
STGD4M65DF2 STMicroelectronics Stgd4m65df2 1.2400
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 ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics M Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Stgd4 Standard 68 W Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 400V, 4A, 47OHM, 15V 133 ns Arête du Champ de Tranché 650 V 8 A 16 A 2.1V @ 15V, 4A 40 µJ (ON), 136µJ (OFF) 15.2 NC 12NS / 86NS
BD135 STMicroelectronics BD135 0,5000
RFQ
 ECAD 2876 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 225aa, à 126-3 BD135 1,25 W SOT-32-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 45 V 1,5 A 100NA (ICBO) NPN 500 mV à 50ma, 500mA 40 @ 150mA, 2V -
BUL38D STMicroelectronics Bul38d 1.4600
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 ECAD 27 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Bul38 80 W À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 450 V 5 a 250 µA NPN 1.1 V @ 750mA, 3A 10 @ 10mA, 5V -
TR136 STMicroelectronics TR136 -
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 ECAD 2863 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TR136 60 W À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 400 V 3 A - NPN 1V @ 500mA, 2A 10 @ 2a, 5v -
STI200N6F3 STMicroelectronics Sti200n6f3 -
RFQ
 ECAD 3107 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa STI200N MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak (à 262) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 60 V 120A (TC) 10V 3,8MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 101 NC @ 10 V ± 20V 6265 PF @ 25 V - 330W (TC)
E-ULN2001A STMicroelectronics E-ULN2001A -
RFQ
 ECAD 1913 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) ULN2001 - 16 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 50v 500mA - 7 npn darlington 1,6 V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
STBV42G STMicroelectronics Stbv42g -
RFQ
 ECAD 6777 0,00000000 Stmicroelectronics - Boîte Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) Stbv42 1 W To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 400 V 1 a 1 mA NPN 1,5 V @ 250mA, 750mA 10 @ 400mA, 5V -
2STF2360 STMicroelectronics 2STF2360 0,5900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa 2STF2360 1,4 w SOT-89-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 2 500 60 V 3 A 100NA (ICBO) Pnp 500 mV @ 150mA, 3A 160 @ 1A, 2V 130 MHz
STU7LN80K5 STMicroelectronics STU7LN80K5 2.1600
RFQ
 ECAD 9484 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa Stu7ln80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-16498-5 EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 800 V 5A (TC) 10V 1,15 ohm @ 2,5a, 10v 5V @ 100µA 12 NC @ 10 V ± 30V 270 pf @ 100 V - 85W (TC)
STTH112RL STMicroelectronics Stth112rl 0,6400
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial STTH112 Standard DO-41 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 5 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1200 V 1,9 V @ 1 A 75 ns 5 µA à 1200 V 175 ° C (max) 1A -
STPS1L40M STMicroelectronics STPS1L40M 0,6000
RFQ
 ECAD 1948 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface Do-216aa STPS1 Schottky Stmite télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 12 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 460 mV @ 1 a 63 µA @ 40 V 150 ° C (max) 1A -
STPS3L60QRL STMicroelectronics Stps3l60qrl 0,2105
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif Par le trou DO-204AC, DO-15, axial STPS3 Schottky Do-15 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 6 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 60 V 620 MV @ 3 A 60 µA @ 60 V 150 ° C (max) 3A -
STI5N52U STMicroelectronics STI5N52U -
RFQ
 ECAD 3407 0,00000000 Stmicroelectronics UltrafastMesh ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Sti5n MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 525 V 4.4a (TC) 10V 1,5 ohm @ 2,2a, 10v 4,5 V @ 50µA 16.9 NC @ 10 V ± 30V 529 pf @ 25 V - 70W (TC)
STP9N80K5 STMicroelectronics STP9N80K5 1.4205
RFQ
 ECAD 7504 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP9N80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 800 V 7a (TC) 10V 900mohm @ 3,5a, 10v 5V @ 100µA 12 NC @ 10 V ± 30V 340 PF @ 100 V - 110W (TC)
STGWA30N120KD STMicroelectronics STGWA30N120KD -
RFQ
 ECAD 2201 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Stgwa30 Standard 220 W À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 960V, 20A, 10OHM, 15V 84 ns - 1200 V 60 A 100 A 3,85 V @ 15V, 20A 2,4mj (on), 4,3mj (off) 105 NC 36ns / 251ns
STPS20120CB-TR STMicroelectronics STPS20120CB-TR 0,3260
RFQ
 ECAD 7020 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 STPS20120 Schottky Dpak - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 497-STPS20120CB-TR EAR99 8541.10.0080 2 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 120 V 10A 920 MV @ 10 A 10 na @ 120 V 175 ° C
STP33N60DM6 STMicroelectronics STP33N60DM6 5.4000
RFQ
 ECAD 7145 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ M6 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Stp33 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 25a (TC) 10V 128MOHM @ 12.5A, 10V 4,75 V @ 250µA 35 NC @ 10 V ± 25V 1500 pf @ 100 V - 190W (TC)
STPS15L30CB-TR STMicroelectronics STPS15L30CB-TR 1.9300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 STPS15 Schottky Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 2 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 30 V 7.5a 480 MV @ 7,5 A 1 ma @ 30 V 150 ° C (max)
STB21NM60N-1 STMicroelectronics STB21NM60N-1 -
RFQ
 ECAD 1868 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa STB21N MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-5728 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 17A (TC) 10V 220 mOhm @ 8,5a, 10v 4V @ 250µA 66 NC @ 10 V ± 25V 1900 pf @ 50 V - 140W (TC)
TN2010H-6I STMicroelectronics TN20H-6i 1.3900
RFQ
 ECAD 6661 0,00000000 Stmicroelectronics Ecopack®2 Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TN2010 À 220aB isolé - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 497-TN20H-6I EAR99 8541.30.0080 50 40 mA 600 V 20 a 1,3 V 180a, 197a 10 mA 1,6 V 13 A 5 µA Norme de rénovation
PD57002-E STMicroelectronics PD57002-E -
RFQ
 ECAD 1219 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète 65 V Paders Powerso-10 Exposé PD57002 960 MHz LDMOS 10 Powerso télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 250mA 10 mA 2W 15 dB - 28 V
STPSC2H065BY-TR STMicroelectronics STPSC2H065BY-T-T-TR 0,8336
RFQ
 ECAD 7620 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, EcoPack®2 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 STPSC2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky Dpak - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 497-STPSC2H065BY-T-T-TR EAR99 8541.10.0080 2 500 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,55 V @ 2 A 0 ns 20 µA à 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 2A 135pf @ 0v, 1MHz
STPSC20H12DY STMicroelectronics STPSC20H12DY 7.3344
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, EcoPack®2 Tube Acheter la Dernière Par le trou À 220-2 STPSC20 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-17163 EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,5 V @ 20 A 0 ns 120 µA à 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 20A 1650pf @ 0v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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