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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test
STPSC20H12DY	7.3344	RFQ	1	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, EcoPack®2	Tube	Acheter la Dernière			Par le trou	À 220-2		STPSC20			Sic (Carbure de Silicium) Schottky		À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-17163	EAR99	8541.10.0080	50		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)																													1200 V		1,5 V @ 20 A	0 ns	120 µA à 1200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	20A	1650pf @ 0v, 1MHz
Bat54kfilm	0,4800	RFQ	64	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	SC-79, SOD-523		Bat54			Schottky		SOD-523	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																													40 V		900 mV à 100 mA	5 ns	1 µA @ 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C	300mA	10pf @ 1v, 1MHz
STPS1170AF	0,4200	RFQ	4	Stmicroelectronics	Ecopack®	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA PLATS À PLAT		STPS1170			Schottky		Smaflat	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	10 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																													170 V		890 MV @ 2 A		1,5 µA à 170 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
STPS30M60CR	1.2800	RFQ	959	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		STPS30			Schottky		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																												1 paire la commune de cathode	60 V	15A	590 MV @ 15 A		80 µA @ 60 V	150 ° C (max)
STFH12N105K5	2.5549	RFQ	5300	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		STFH12			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-STFH12N105K5	EAR99	8541.29.0095	920			Canal n										1050 V	8A (TC)	10V	1OHM @ 4A, 10V	5V @ 100µA	18,4 NC @ 10 V	± 30V	559 pf @ 100 V	-	29W (TC)
STPSC15H12WL	9.3300	RFQ	635	Stmicroelectronics	Ecopack®2	Tube	Actif			Par le trou	DO-247-2 (Tête Droite)		STPSC15			Sic (Carbure de Silicium) Schottky		Do-247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-17640	EAR99	8541.10.0080	30		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)																													1200 V		1,5 V @ 15 A	0 ns	90 µA à 1200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	15A	1200pf @ 0v, 1mhz
STTH3010GY-TR	3.0700	RFQ	4997	Stmicroelectronics	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		STTH3010			Standard		D²pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																													1000 V		2 V @ 30 A	100 ns	15 µA à 1000 V	-40 ° C ~ 175 ° C	30A	-
STS4DNFS30	1.4800	RFQ	1	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		STS4D			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n										30 V	4.5a (TC)	5v, 10v	55MOHM @ 2A, 10V	1V @ 250µA	4.7 NC @ 5 V	± 20V	330 pf @ 25 V	Diode Schottky (isolé)	2W (TC)
STB13NM50N	-	RFQ	1069	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		STB13N			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n										500 V	12A (TC)	10V	320 mohm @ 6a, 10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	± 25V	960 pf @ 50 V	-	100W (TC)
ACST6-8SR	-	RFQ	7678	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		-	Par le trou	À 262-3 Courtes Pistes, I²PAK		Acst6					I2pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	50	Célibataire				25 mA																		Logique - Porte sensible	800 V	1,5 A	1,5 V	45A, 50A	10 mA
STF35N60DM2	6.0300	RFQ	280	Stmicroelectronics	MDMESH ™ DM2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		STF35			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-16358-5	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n										600 V	28a (TC)	10V	110MOHM @ 14A, 10V	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	± 25V	2400 PF @ 100 V	-	40W (TC)
STTH4R02S	0,5900	RFQ	2000	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AB, SMC		STTH4R02			Standard		SMC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2 500		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																													200 V		1.05 V @ 4 A	30 ns	3 µA @ 200 V	175 ° C (max)	4A	-
STW40N20	-	RFQ	3482	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		STW40N			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-4427-5	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n										200 V	40A (TC)	10V	45MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 25 V	-	160W (TC)
STFH40N60M2	4.2920	RFQ	6550	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ m2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		STFH40			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	920			Canal n										600 V	34A (TC)	10V	88MOHM @ 17A, 10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	± 25V	2500 pf @ 100 V	-	40W (TC)
STPS8L30B	-	RFQ	3229	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		STPS8L			Schottky		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	75		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																													30 V		490 MV @ 8 A		1 ma @ 30 V	150 ° C (max)	8a	-
STTH6012W	6.0100	RFQ	8018	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif			Par le trou	DO-247-2 (Tête Droite)		STTH6012			Standard		Do-247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-5161-5	EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																													1200 V		2,25 V @ 60 A	125 ns	30 µA à 1200 V	175 ° C (max)	60A	-
STGIB20M60S-XZ	17.4875	RFQ	2643	Stmicroelectronics	SLLIMM - 2E	En gros	Actif			Par le trou	Module 26-Powerdip (1 146 ", 29,10 mm)	Igbt	STGIB20						-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-STGIB20M60S-XZ	EAR99	8542.39.0001	156	Onduleur Triphasé									25 A	600 V	1600 VRM
Stgp10h60df	1.8300	RFQ	3235	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		STGP10	Standard			115 W	À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50						400 V, 10A, 10OHM, 15V																												107 ns					Arête du Champ de Tranché	600 V	20 a	40 A	1,95 V @ 15V, 10A	83 µJ (ON), 140 µJ (OFF)	57 NC	19,5ns / 103ns
STAC1214-350	208.7250	RFQ	9371	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif	115 V		Support de surface	STAC780-4F		STAC1214		1,2 GHz ~ 1,4 GHz	LDMOS (Double), Source Commune		STAC780-4F	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-STAC1214-350			80	2 N-Canal			1 µA			30 mA	350W	14 dB																				-																		50 V
Z0103DN 5AA4	-	RFQ	3379	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa		Z0103					SOT-223	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	1 000	Célibataire				7 Ma																		Logique - Porte sensible	400 V	1 a	1,3 V	8a, 8.5a	3 mA
STPS30H60CR	1.9900	RFQ	998	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		STPS30H60			Schottky		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																												1 paire la commune de cathode	60 V	15A	660 MV @ 15 A		60 µA @ 60 V	175 ° C (max)
STB6N60M2	1.6700	RFQ	9308	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II Plus	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		STB6N60			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n										600 V	4.5a (TC)	10V	1,2 ohm @ 2 25a, 10v	4V @ 250µA	8 NC @ 10 V	± 25V	232 pf @ 100 V	-	60W (TC)
STAC0912-250	-	RFQ	3674	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	80 V		Soutenir de châssis	STAC265B		STAC0912		960 MHz ~ 1 215 GHz	LDMOS		STAC265B	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	90				2µA				285W	16,3 dB																				-
PD55025S-E	29.6600	RFQ	8338	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif	40 V			Paders Powerso-10 Exposé		PD55025		500 MHz	LDMOS		Powerso-10rf (Tête Droite)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50				7a			200 mA	25W	14,5 dB																				-																		12,5 V
STP8NK85Z	-	RFQ	9098	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		STP8N			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n										850 V	6.7A (TC)	10V	1,4 ohm @ 3 35a, 10v	4,5 V @ 100µA	60 NC @ 10 V	± 30V	1870 pf @ 25 V	-	150W (TC)
Stgw40v60df	4.2900	RFQ	9469	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		STGW40	Standard			283 W	À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-13766-5	EAR99	8541.29.0095	30						400V, 40A, 10 ohms, 15v																												41 ns					Arête du Champ de Tranché	600 V	80 A	160 A	2.3 V @ 15V, 40A	456µJ (ON), 411µJ (OFF)	226 NC	52ns / 208ns
Std11nm50n	2.1500	RFQ	1753	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Std11			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n										500 V	8.5A (TC)	10V	470MOHM @ 4.5A, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 25V	547 pf @ 50 V	-	70W (TC)
STPSC5H12D	4.2700	RFQ	3	Stmicroelectronics	Ecopack®2	Tube	Actif			Par le trou	À 220-2		STPSC5			Sic (Carbure de Silicium) Schottky		À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-17167	EAR99	8541.10.0080	1 000		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)																													1200 V		1,5 V @ 5 A	0 ns	30 µA à 1200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	5A	450pf @ 0v, 1MHz
STL12N65M2	1.9300	RFQ	252	Stmicroelectronics	MDMESH ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn		STL12			MOSFET (Oxyde Métallique)		Powerflat ™ (5x6) HV	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n										650 V	5A (TC)	10V	750mohm @ 3a, 10v	4V @ 250µA	12,5 NC @ 10 V	± 25V	410 PF @ 100 V	-	48W (TC)
STP18N60M6	1.2427	RFQ	1998	Stmicroelectronics	MDMESH ™ M6	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		STP18			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n										600 V	13A (TC)	10V	280mohm @ 6.5a, 10v	4,75 V @ 250µA	16,8 NC @ 10 V	± 25V	650 pf @ 100 V	-	110W (TC)