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Produits semi-conduurs discrètes (6390)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP4LN80K5 | 1 5500 |  | 9 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ k5 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP4LN80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 3A (TC) | 10V | 2.6OHM @ 1A, 10V | 5V @ 100µA | 3,7 NC @ 10 V | ± 30V | 122 PF @ 100 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Std35n3lh5 | - | | 9747 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ V | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std35 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 16MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 6 NC @ 4,5 V | ± 20V | 725 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Std4nk80z-1 | 2.0500 | | 4 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Std4nk80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 800 V | 3A (TC) | 10V | 3,5 ohm @ 1,5a, 10v | 4,5 V @ 50µA | 22,5 NC @ 10 V | ± 30V | 575 PF @ 25 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STP180N55F3 | - | | 4572 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP180 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 120A (TC) | 10V | 3,8MOHM @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 6800 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STPS3H100AF | 0,5900 | | 38 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | STPS3 | Schottky | Sod128flat | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 760 MV @ 3 A | 1,5 µA à 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STW74NF30 | 3.4335 | | 9069 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW74 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal n | 300 V | 60a (TC) | 10V | 45MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 164 NC @ 10 V | ± 20V | 5930 pf @ 25 V | - | 320W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STGIPN3H60T-H | 9.0800 | | 36 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SLLIMM ™ | Tube | Actif | Par le trou | Module 26-Powerdip (0,846 ", 21,48 mm) | Igbt | Stgipn3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 17 | 3 phase | 3 A | 600 V | 1000vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2STF2280 | 0,3500 | | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 2STF22 | 1,4 w | SOT-89 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 500 | 80 V | 2 A | 1 mA | Pnp | 250 MV à 100MA, 1A | 140 @ 100mA, 2V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ST2310DHI | - | | 7190 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | Isowatt-218-3 | ST2310 | 55 W | Isowatt-218 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | 600 V | 12 A | 1 mA | NPN | 3V @ 1,75A, 7A | 5.5 @ 7A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2STF1360 | 0,6200 | | 9970 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 2STF1360 | 1,4 w | SOT-89-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 500 | 60 V | 3 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 150mA, 3A | 160 @ 1A, 2V | 130 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STF8NM60N | - | | 1257 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF8N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 7a (TC) | 10V | 650mohm @ 3,5a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 25V | 560 pf @ 50 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STW220NF75 | - | | 3806 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW220 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-4124-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal n | 75 V | 120A (TC) | 10V | 4,4 mohm @ 60a, 10v | 4V @ 250µA | 430 NC @ 10 V | ± 20V | 12500 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Std45nf75t4 | 1.9500 | | 34 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std45 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 75 V | 40A (TC) | 10V | 24MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 1760 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Stgipq4c60t-hz | 9.7100 | | 9342 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SLLIMM NANO - 2E | Tube | Actif | Par le trou | Module 26-Powerdip (0,846 ", 21,48 mm) | Igbt | Stgipq4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-stgipq4c60t-hz | EAR99 | 8542.39.0001 | 360 | Onduleur Triphasé | 6 A | 600 V | 1500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STB150NF04 | 3.6200 | | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB150N | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 40 V | 80A (TC) | 10V | 7MOHM @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 3650 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STP270N8F7 | 5.7200 | | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP270 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-13654-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 180a (TC) | 10V | 2,5 mohm @ 90a, 10v | 4V @ 250µA | 193 NC @ 10 V | ± 20V | 13600 pf @ 50 V | - | 315W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Std22nf06ag | - | | 1298 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-Pak (à 252) | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 24a (TC) | 10V | 40 mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 690 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STH175N4F6-2AG | 2.1500 | | 622 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STH175 | MOSFET (Oxyde Métallique) | H2pak-2 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 10V | 2,4 mohm @ 60a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 7735 PF @ 20 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STB33N60M6 | 2.7429 | | 1977 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB33 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 497-STB33N60M6TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 25a (TC) | 10V | 125 mOhm @ 12,5a, 10v | 4,75 V @ 250µA | 33,4 NC @ 10 V | ± 25V | 1515 pf @ 100 V | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STW69N65M5 | 12.5700 | | 574 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW69 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 58A (TC) | 10V | 45MOHM @ 29A, 10V | 5V @ 250µA | 143 NC @ 10 V | ± 25V | 6420 PF @ 100 V | - | 330W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | FERD20S100STS | 0,9600 | | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | Ferd20 | Ferd (Diode de redressdeur d'effet de champion) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 780 MV @ 10 A | 100 µA à 100 V | 175 ° C (max) | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STD170N4F7AG | - | | 7319 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std17 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 80A (TC) | 10V | 2,8MOHM @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 4350 pf @ 25 V | - | 172W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PD85006-E | - | | 6587 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 40 V | Paders Powerso-10 Exposé | PD85006 | 870 MHz | LDMOS | 10 Powerso | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2A | 200 mA | 6W | 17 dB | - | 13,6 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP80NF06 | 3.2000 | | 715 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tube | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 80A (TC) | 10V | 8MOHM @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 3850 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STB25NM50N | - | | 1722 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB25N | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 22A (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250µA | 84 NC @ 10 V | ± 25V | 2565 PF @ 25 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STPS1L60ZF | 0 4500 | | 15 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | STPS1 | Schottky | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 MV @ 2 A | 50 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STB80N20M5 | 6.9600 | | 9248 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 200 V | 61a (TC) | 10V | 23MOHM @ 30.5A, 10V | 5V @ 250µA | 104 NC @ 10 V | ± 25V | 4329 PF @ 50 V | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STTH60RQ06WL | 3.8600 | | 583 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | STTH60 | Standard | DO-247 LL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-STTH60RQ06WL | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2,95 V @ 60 A | 65 ns | 80 µA @ 600 V | 175 ° C (max) | 60A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STS1NK60Z | 0,9500 | | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | STS1NK60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 250mA (TC) | 10V | 15OHM @ 400mA, 10V | 4,5 V @ 50µA | 6,9 NC @ 10 V | ± 30V | 94 PF @ 25 V | - | 2W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STTH30R04PI | - | | 1640 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | DOP3I-2 ISOLÉ (Plombs Droites) | STTH30 | Standard | Dop3i | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 45 V @ 30 A | 100 ns | 15 µA à 400 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 30A | - |
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