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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Courant - Hold (IH) (Max) | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) | Type Scr | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | Stwa70n60dm2 | 8.0580 | ![]() | 2755 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STWA70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 Pistes longs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal n | 600 V | 66a (TC) | 10V | 42MOHM @ 33A, 10V | 5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 25V | 5508 PF @ 100 V | - | 446W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH20R04FP | - | ![]() | 7839 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 EXCHET | STTH20 | Standard | À 220fpac | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,7 V @ 20 A | 45 ns | 20 µA @ 400 V | 175 ° C (max) | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN815-800H | 0,4373 | ![]() | 7785 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TN815 | Ipak (à 251) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 000 | 40 mA | 800 V | 8 A | 1,3 V | 70a, 73a | 15 mA | 1,6 V | 5 a | 5 µA | Norme de rénovation | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sti6n80k5 | - | ![]() | 2935 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh5 ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Sti6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 4.5a (TC) | 10V | 1,6 ohm @ 2a, 10v | 5V @ 100µA | 7,5 NC @ 10 V | 30V | 255 PF @ 100 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STFU13N80K5 | 4.3000 | ![]() | 3282 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ k5 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STFU13 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-17144 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 12A (TC) | 10V | 450mohm @ 6a, 10v | 5V @ 100µA | 29 NC @ 10 V | ± 30V | 870 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T2650-6PF | 2.8700 | ![]() | 200 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Ecopack®2 | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-T2650-6PF | EAR99 | 8541.30.0080 | 30 | Célibataire | 75 Ma | Alternative - Snubberless | 600 V | 26 A | 1,3 V | 260a, 270a | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS30M80CT | 0 7742 | ![]() | 6504 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | STPS30 | Schottky | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 15A | 745 MV @ 15 A | 40 µA @ 80 V | 175 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW30NC60WD | 5.1400 | ![]() | 7858 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STGW30 | Standard | 200 W | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 390V, 20A, 10OHM, 15V | 40 ns | - | 600 V | 60 a | 150 A | 2,5 V @ 15V, 20A | 305µJ (ON), 181µJ (OFF) | 102 NC | 29,5ns / 118ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW56N65DM2 | 11.7000 | ![]() | 375 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW56 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 48A (TC) | 10V | 65MOHM @ 24A, 10V | 5V @ 250µA | 88 NC @ 10 V | ± 25V | 4100 pf @ 100 V | - | 360W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP6NC60 | - | ![]() | 3031 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ II | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP6N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 6A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 3a, 10v | 4V @ 250µA | 45,5 NC @ 10 V | ± 30V | 1020 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Std2nc45-1 | 1.0900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Std2nc45 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 450 V | 1.5A (TC) | 10V | 4,5 ohm @ 500mA, 10V | 3,7 V @ 250µA | 7 NC @ 10 V | ± 30V | 160 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB36NM60N | 6.8900 | ![]() | 7203 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB36 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 29A (TC) | 10V | 105MOHM @ 14,5A, 10V | 4V @ 250µA | 83,6 NC @ 10 V | ± 25V | 2722 PF @ 100 V | - | 210W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Std60nf55lat4 | 1.8300 | ![]() | 36 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Superfet® II | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-Pak (à 252) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 55 V | 60a (TC) | 5v, 10v | 15MOHM @ 30A, 10V | 2V à 250µA | 40 NC @ 5 V | ± 15V | 1950 PF @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL12P6F6 | 1.1100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL12 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 4A (TC) | 10V | 160MOHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 6,4 NC @ 10 V | ± 20V | 340 PF @ 48 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB13N80K5 | 4.5500 | ![]() | 4066 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh5 ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB13 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 12A (TC) | 10V | 450mohm @ 6a, 10v | 5V @ 100µA | 29 NC @ 10 V | ± 30V | 870 pf @ 100 V | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD134N4F7AG | - | ![]() | 2115 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-Pak (à 252) | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 497-TD134N4F7AGTR | 1 | Canal n | 40 V | 80A (TC) | 10V | 3,5 mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2790 pf @ 25 V | - | 134W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW48N60M6 | 5.1274 | ![]() | 1770 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW48 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal n | 600 V | 39a (TC) | 10V | 69MOHM @ 19,5A, 10V | 4,75 V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 25V | 2578 PF @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYT230PIV-400 | - | ![]() | 9754 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Soutenir de châssis | Isotop | BYT230 | Standard | Isotop® | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 400 V | 30A | 1,5 V @ 30 A | 100 ns | 35 µA à 400 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPSC16H065CT | - | ![]() | 9496 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Acheter la Dernière | Par le trou | À 220-3 | STPSC16 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 8a | 1,75 V @ 8 A | 0 ns | 80 µA à 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW10N95K5 | 4.4900 | ![]() | 2095 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh5 ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 950 V | 8A (TC) | 10V | 800MOHM @ 4A, 10V | 5V @ 100µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 630 pf @ 100 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGB20H65FB2 | 0,8927 | ![]() | 1330 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | HB2 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STGB20 | Standard | 147 W | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 497-STGB20H65FB2TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 400V, 20A, 10OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 40 A | 60 a | 2.1V @ 15V, 20A | 265µJ (ON), 214µJ (OFF) | 56 NC | 16NS / 78.8NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD180N4F6 | 1.6600 | ![]() | 409 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 80A (TC) | 10V | 2,8MOHM @ 40A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 7735 PF @ 25 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TN3050HP-12L2Y | 6.1200 | ![]() | 400 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca | Hu3pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 600 | 100 mA | 1,2 kV | 30 A | 1,3 V | 300A, 330A | 50 mA | 1,65 V | 19 a | 5 µA | Norme de rénovation | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stl7ln65k5ag | 3 0000 | ![]() | 5270 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | Stl7ln65 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) VHV | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 650 V | 5A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2,5a, 10v | 5V @ 100µA | 11.7 NC @ 10 V | ± 30V | 270 pf @ 100 V | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS2530CG | - | ![]() | 7764 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STPS2530 | Schottky | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 12.5A | 530 mV @ 12,5 A | 1 ma @ 30 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Std9n65m2 | 1.6300 | ![]() | 685 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 650 V | 5A (TC) | 10V | 900 mohm @ 2,5a, 10v | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 25V | 315 PF @ 100 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 | 0,6600 | ![]() | 9233 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | BD139 | 1,25 W | SOT-32-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 1,5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV à 50ma, 500mA | 40 @ 150mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP318N4F6 | - | ![]() | 6917 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-STP318N4F6 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 160a (TC) | 10V | 2,2MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 13800000 PF @ 25 V | - | 341W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Std10nm50n | - | ![]() | 1757 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 500 V | 7a (TC) | 10V | 630mohm @ 3,5a, 10v | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 50 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54afilm | 0,4200 | ![]() | 48 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 40 V | 300mA (DC) | 900 mV à 100 mA | 5 ns | 1 µA @ 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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