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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Hold (IH) (Max) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Silhouette | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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STPS20M60ST | - | ![]() | 1910 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | STPS20 | Schottky | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 565 MV @ 20 A | 125 µA @ 60 V | 150 ° C (max) | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T3035H-6T | 2.5300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless ™ | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | T3035 | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Célibataire | 60 mA | Alternative - Snubberless | 600 V | 30 A | 1 V | 270a, 284a | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTA1512PIRG | - | ![]() | 5654 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Turboswitch ™ | En gros | Obsolète | Par le trou | DOP3I-2 ISOLÉ (Plombs Droites) | STTA151 | Standard | Dop3i | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2.1 V @ 15 A | 105 ns | 100 µA à 1200 V | 150 ° C (max) | 15A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP95N04 | - | ![]() | 2758 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP95 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-5132-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 40 V | 80A (TC) | 10V | 6,5 mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF7NM80 | 4.1300 | ![]() | 3087 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 6.5a (TC) | 10V | 1 05 ohm @ 3 25a, 10v | 5V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ESM3045DV | - | ![]() | 4309 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Isotop | ESM3045 | 125 W | Isotop® | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 450 V | 24 A | - | Npn - darlington | 1,4 V @ 1.2A, 20A | 120 @ 20A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB70NFS03LT4 | - | ![]() | 6147 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB70N | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1026-STB70NFS03LT4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 30 V | 70A (TC) | 5v, 10v | 9,5MOHM @ 35A, 10V | 1V @ 250µA | 30 NC @ 5 V | ± 18V | 1440 PF @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sctwa35n65g2vag | - | ![]() | 3110 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sctwa35 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247 Pistes longs | télécharger | Atteindre non affecté | 497-SCTWA35N65G2VAG | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal n | 650 V | 45A (TC) | 18V, 20V | 72MOHM @ 20A, 20V | 3.2v @ 1mA | 73 NC @ 20 V | + 20V, -5V | 1370 PF @ 400 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Std6n60m2 | 1.4800 | ![]() | 1687 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II Plus | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std6n60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 4.5a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2 25a, 10v | 4V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ± 25V | 232 pf @ 100 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL120N10F8 | 2.4600 | ![]() | 739 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 125A (TC) | 10V | 4,6MOHM @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 3600 pf @ 50 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD55003 | - | ![]() | 5634 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 40 V | Paders Powerso-10 Exposé | PD55003 | 500 MHz | LDMOS | 10 Powerso | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2.5a | 50 mA | 3W | 17 dB | - | 12,5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF7N60DM2 | 1.5200 | ![]() | 2071 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 6A (TC) | 10V | 900MOHM @ 3A, 10V | 4,75 V @ 250µA | 7,5 NC @ 10 V | ± 25V | 324 pf @ 100 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS20120CR | 2.3200 | ![]() | 643 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | STPS20120 | Schottky | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 120 V | 10A | 920 MV @ 10 A | 10 µA à 120 V | 175 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T3035H-8G-TR | 2.5200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | T3035 | D²pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-18397-6 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 000 | Célibataire | 60 mA | Alternative - Snubberless | 800 V | 30 A | 1,3 V | 283a, 270a | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW60N65M5 | 11.3600 | ![]() | 577 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW60N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 46A (TC) | 10V | 59MOHM @ 23A, 10V | 5V @ 250µA | 139 NC @ 10 V | ± 25V | 6810 PF @ 100 V | - | 255W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS40M80CG-TR | 1,7000 | ![]() | 2223 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STPS40 | Schottky | D²pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 20A | 735 MV @ 20 A | 65 µA @ 80 V | 175 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STH360N4F6-2 | 7.2100 | ![]() | 919 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STH360 | MOSFET (Oxyde Métallique) | H2pak-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 40 V | 180a (TC) | 10V | 1,25 mohm @ 60a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 340 NC @ 10 V | ± 20V | 17930 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP14NM50N | 4.0100 | ![]() | 919 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-10650-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 12A (TC) | 10V | 320 mohm @ 6a, 10v | 4V @ 100µA | 27 NC @ 10 V | ± 25V | 816 pf @ 50 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STH265N6F6-2AG | - | ![]() | 5012 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STH265 | MOSFET (Oxyde Métallique) | H2pak-2 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 180a (TC) | 10V | 2.1MOHM @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 183 NC @ 10 V | ± 20V | 11800 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS640CSFY | 0,7300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | STPS640 | Schottky | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-STPS640CSFYTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 490 MV @ 3 A | 75 µA @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH102A | 0,4200 | ![]() | 145 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | STTH102 | Standard | SMA (DO-214AC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 970 MV @ 1 A | 20 ns | 1 µA @ 200 V | 175 ° C (max) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STTH1R06UFY | 0,6000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Do-221aa, plomb à plat smb | STTH1 | Standard | Smbflat | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,9 V @ 1 A | 45 ns | 1 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T5035H-8PI | 5.0200 | ![]() | 533 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | Top 3 isolé | Top-3i | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-T5035H-8PI | EAR99 | 8541.30.0080 | 30 | Célibataire | 60 mA | Alternative - Snubberless | 800 V | 50 a | 1,3 V | 500A, 525A | 35 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW18NM80 | 7.6800 | ![]() | 7149 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-10085-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 800 V | 17A (TC) | 10V | 295MOHM @ 8.5A, 10V | 5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 30V | 2070 PF @ 50 V | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP7NK40Z | 1.8900 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP7NK40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 400 V | 5.4a (TC) | 10V | 1OHM @ 2,7A, 10V | 4,5 V @ 50µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 535 PF @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS1045BY-T-T- | 1.4400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | STPS1045 | Schottky | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 630 mV @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS20170CT | 2.8100 | ![]() | 86 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | STPS20170 | Schottky | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 170 V | 10A | 900 mV @ 10 a | 15 µA à 170 V | 175 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STL26N60DM6 | 3.8900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM6 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL26 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (8x8) HV | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 15A (TC) | 10V | 215MOHM @ 7.5A, 10V | 4,75 V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 25V | 940 PF @ 100 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Start499etr | - | ![]() | 5053 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-82A, SOT-343 | Start499 | 600mw | SOT-343 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 3 000 | 15 dB | 4,5 V | 600mA | NPN | 160 @ 160mA, 4V | 1,9 GHz | 3,3 dB à 1,8 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STBR1508B2Y-TR | 1.5300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | STBR1508 | Standard | Dpak hv | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 800 V | 1.09 V @ 15 A | 50 µA à 800 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 15A | - |
Volume de RFQ moyen quotidien
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