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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
STW220NF75	-	RFQ	3806	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW220		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-4124-5	EAR99	8541.29.0095	600			Canal n						75 V	120A (TC)	10V	4,4 mohm @ 60a, 10v	4V @ 250µA	430 NC @ 10 V	± 20V	12500 pf @ 25 V	-	500W (TC)
Std45nf75t4	1.9500	RFQ	34	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std45		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						75 V	40A (TC)	10V	24MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	± 20V	1760 pf @ 25 V	-	125W (TC)
STQ1NK60ZR-AP	0,6600	RFQ	3	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Ruban de Coupé (CT)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	STQ1NK60		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal n						600 V	300mA (TC)	10V	15OHM @ 400mA, 10V	4,5 V @ 50µA	6,9 NC @ 10 V	± 30V	94 PF @ 25 V	-	3W (TC)
STPS80L30CY	-	RFQ	8764	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 247-3	STPS80		Schottky		Max247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	600		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								1 paire la commune de cathode	30 V	40a	480 MV @ 40 A		4 Ma @ 30 V	150 ° C (max)
STTH30R04PI	-	RFQ	1640	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Par le trou	DOP3I-2 ISOLÉ (Plombs Droites)	STTH30		Standard		Dop3i	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									400 V		1 45 V @ 30 A	100 ns	15 µA à 400 V	-40 ° C ~ 175 ° C	30A	-
Z0103NA 5AL2	-	RFQ	3087	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	Z0103				To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	2 000	Célibataire				7 Ma														Logique - Porte sensible	800 V	1 a	1,3 V	8a, 8.5a	3 mA
BF421-AP	-	RFQ	3633	Stmicroelectronics	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BF421			830 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000																																			300 V	500 mA		10NA (ICBO)	Pnp	600 mV @ 5mA, 30mA	50 @ 25mA, 20V	60 MHz
RF2L36040CF2	63.5250	RFQ	6489	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif	60 V		Support de surface	2L-FLG	RF2L36040	2,7 GHz ~ 3,6 GHz	LDMOS		A2	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-RF2L36040CF2			160	-			1 µA			40W	14 dB																	-
Stu65n3llh5	1.0700	RFQ	214	Stmicroelectronics	Stripfet ™ V	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	STU65N		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75			Canal n						30 V	65A (TC)	4,5 V, 10V	7,3MOHM @ 32,5A, 10V	3V à 250µA	8 NC @ 4,5 V	± 22V	1290 pf @ 25 V	-	50W (TC)
STP7N90K5	2.8300	RFQ	8260	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ k5	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP7		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-17078	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						900 V	7a (TC)	10V	810MOHM @ 4A, 10V	5V @ 100µA	17.7 NC @ 10 V	± 30V	425 PF @ 10 V	-	110W (TC)
STF30NM60N	-	RFQ	8746	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF30N		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						600 V	25a (TC)	10V	130 mohm @ 12,5a, 10v	4V @ 250µA	91 NC @ 10 V	± 30V	2700 pf @ 50 V	-	40W (TC)
STB120N4F6	2.4700	RFQ	8456	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB120		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						40 V	80A (TC)	10V	4MOHM @ 40A, 10V	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	± 20V	3850 pf @ 25 V	-	110W (TC)
STPSC8H065B-TR	3.0900	RFQ	12	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	STPSC8		Sic (Carbure de Silicium) Schottky		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2 500		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)																									650 V		1,75 V @ 8 A	0 ns	80 µA à 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C	8a	414pf @ 0v, 1MHz
Std6n90k5	2.6900	RFQ	3471	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ k5	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std6n90		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-17072-2	EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						900 V	6A (TC)	10V	1,1 ohm @ 3a, 10v	5V @ 100µA		± 30V		-	110W (TC)
STTH30RQ06WL	2.9800	RFQ	39	Stmicroelectronics	Ecopack®2	Tube	Actif			Par le trou	À 247-2	STTH30		Standard		DO-247 LL	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-STTH30RQ06WL	EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									600 V		2,95 V @ 30 A	55 ns	40 µA @ 600 V	175 ° C (max)	30A	-
BTB16-600BWRG	1.8800	RFQ	4	Stmicroelectronics	Snubberless ™	Tube	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	BTB16				À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	50	Célibataire				50 mA														Alternative - Snubberless	600 V	16 A	1,3 V	160a, 168a	50 mA
BTA12-800CWRG	2.1200	RFQ	1	Stmicroelectronics	Snubberless ™	Tube	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	BTA12				À 220aB isolé	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	50	Célibataire				35 mA														Alternative - Snubberless	800 V	12 A	1,3 V	120a, 126a	35 mA
STH140N6F7-2	-	RFQ	7834	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STH140		MOSFET (Oxyde Métallique)		H2pak-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						60 V	80A (TC)	10V	3MOHM @ 40A, 10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 25 V	-	158W (TC)
STFU13N60M2	0,8990	RFQ	2480	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ m2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STFU13		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						600 V	11a (TC)	10V	380mohm @ 5.5a, 10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 25V	580 pf @ 100 V	-	25W (TC)
STPSC12065GY-TR	4.4900	RFQ	142	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, EcoPack®2	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STPSC12065		Sic (Carbure de Silicium) Schottky		D²pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)																									650 V		1 45 V @ 12 A	0 ns	50 µA à 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C	12A	750pf @ 0v, 1MHz
STF12N120K5	11.4500	RFQ	1	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ k5	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF12		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-16011-5	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						1200 V	12A (TC)	10V	690MOHM @ 6A, 10V	5V @ 100µA	44.2 NC @ 10 V	± 30V	1370 pf @ 100 V	-	40W (TC)
T1635H-8G	1.6700	RFQ	1	Stmicroelectronics	Ecopack®2	Tube	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	T1635				D²pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-T1635H-8G	EAR99	8541.30.0080	50	Célibataire				35 mA														Standard	800 V	16 A	1,3 V	160a, 168a	35 mA
STFI40N60M2	7.7700	RFQ	171	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II Plus	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 EXCHET DE PACK, I²PAK	STFI40N		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pakfp (à 281)	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						600 V	34A (TC)	10V	88MOHM @ 17A, 10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	± 25V	2500 pf @ 100 V	-	40W (TC)
STB40NS15T4	-	RFQ	7198	Stmicroelectronics	Mesh Superposition ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB40N		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						150 V	40A (TC)	10V	52MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2420 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Bul741fp	-	RFQ	8864	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Bul741			30 W	À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																																			400 V	2.5 A		250 µA	NPN	1,5 V @ 600mA, 2A	25 @ 450mA, 3V	-
STPSC20H12G2-T-T-TR	12.0100	RFQ	8917	Stmicroelectronics	Ecopack®2	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STPSC20		Sic (Carbure de Silicium) Schottky		D2pak hv	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-STPSC20H12G2-TR	EAR99	8541.10.0080	1 000		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)																									1200 V		1,5 V @ 20 A	0 ns	120 µA à 1200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	20A	1650pf @ 0v, 1MHz
ESM2012DV	-	RFQ	1761	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Isotop	ESM2012			175 W	Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10																																			120 V	120 A		-	Npn - darlington	1,5 V @ 1A, 100A	1200 @ 100A, 5V	-
Stac2932fw	85.2500	RFQ	80	Stmicroelectronics	-	Plateau	Obsolète	125 V			STAC244F	STAC293	175 MHz	Mosfet		STAC244F	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	20	Canal n			40a		250 mA	390W	-																	-												50 V
STW36NM60ND	5.2227	RFQ	4438	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, FDMESH ™ II	Tube	Acheter la Dernière		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW36		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n						600 V	29A (TC)	10V	110MOHM @ 14.5A, 10V	5V @ 250µA	80,4 NC @ 10 V	± 25V	2785 PF @ 50 V	-	190W (TC)
Bat30afilm	-	RFQ	5315	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Bat30		Schottky		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								1 paire Commune d'anode	30 V	300mA (DC)	530 MV à 300 mA		5 µA @ 30 V	150 ° C (max)