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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Hold (IH) (Max) | Condition de test | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Silhouette | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | Std4nk80z-1 | 2.0500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Std4nk80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 800 V | 3A (TC) | 10V | 3,5 ohm @ 1,5a, 10v | 4,5 V @ 50µA | 22,5 NC @ 10 V | ± 30V | 575 PF @ 25 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD18N55M5 | 3.0800 | ![]() | 9299 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 550 V | 16A (TC) | 10V | 192MOHM @ 8A, 10V | 5V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 25V | 1260 pf @ 100 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYW99PI-200RG | - | ![]() | 4144 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | Top 3 isolé | BYW99 | Standard | Top-3i | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 15A | 850 MV @ 12 A | 40 ns | 20 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP180N55F3 | - | ![]() | 4572 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP180 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 120A (TC) | 10V | 3,8MOHM @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 6800 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5192 | - | ![]() | 7305 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 2N51 | 40 W | SOT-32-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 4 A | 1 mA | NPN | 1,4 V @ 1A, 4A | 20 @ 1.5a, 2v | 2 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB28N60DM2 | 3.7900 | ![]() | 1893 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB28 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 160MOHM @ 10.5A, 10V | 5V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 25V | 1500 pf @ 100 V | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stb85nf3llt4 | - | ![]() | 2835 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB85N | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 30 V | 85a (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 40A, 10V | 1V @ 250µA | 40 NC @ 4,5 V | ± 16V | 2210 PF @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1235-800G-TR | 2.1400 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | T1235 | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 000 | Célibataire | 35 mA | Alternative - Snubberless | 800 V | 12 A | 1,3 V | 120a, 126a | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS340U | 0,4300 | ![]() | 5704 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | STPS340 | Schottky | PME | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 630 mV @ 3 a | 20 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH1202FP | - | ![]() | 7719 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 EXCHET | STTH120 | Standard | À 220fpac | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 12 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | 175 ° C (max) | 12A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Std95nh02lt4 | 1.3700 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std95 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 24 V | 80A (TC) | 5v, 10v | 5MOHM @ 40A, 10V | 1V @ 250µA | 17 NC @ 5 V | ± 20V | 2070 PF @ 15 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS3H100AF | 0,5900 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | STPS3 | Schottky | Sod128flat | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 760 MV @ 3 A | 1,5 µA à 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP10NM65N | - | ![]() | 2443 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 9A (TC) | 10V | 480mohm @ 4.5a, 10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 850 pf @ 50 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB18N60M2 | 2.8400 | ![]() | 424 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II Plus | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 13A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250µA | 21,5 NC @ 10 V | ± 25V | 791 PF @ 100 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stgif10ch60ts-l | 14.1200 | ![]() | 7827 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SLLIMM ™ | Tube | Actif | Par le trou | Module 26-Powerdip (1 134 ", 28,80 mm) | Igbt | STGIF10 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-16114-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 13 | Onduleur Triphasé | 15 A | 600 V | 1500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bu931p | 4.7900 | ![]() | 541 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | BU931 | 135 W | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V | 15 A | 100 µA | Npn - darlington | 1,8 V @ 250mA, 10A | 300 @ 5A, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCTW40N120G2VAG | 22.2800 | ![]() | 7256 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sctw40 | Sicfet (carbure de silicium) | HIP247 ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497 SCTW40N120G2VAG | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 33A (TC) | 18V | 105MOHM @ 20A, 18V | 5V @ 1MA | 63 NC @ 18 V | + 22V, -10V | 1230 pf @ 800 V | - | 290W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW74NF30 | 3.4335 | ![]() | 9069 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW74 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal n | 300 V | 60a (TC) | 10V | 45MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 164 NC @ 10 V | ± 20V | 5930 pf @ 25 V | - | 320W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STGIPN3H60T-H | 9.0800 | ![]() | 36 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SLLIMM ™ | Tube | Actif | Par le trou | Module 26-Powerdip (0,846 ", 21,48 mm) | Igbt | Stgipn3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 17 | 3 phase | 3 A | 600 V | 1000vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stgp3nb60fd | - | ![]() | 6724 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Stgp3 | Standard | 68 W | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480v, 3a, 10hm, 15v | 45 ns | - | 600 V | 6 A | 24 A | 2,4 V @ 15V, 3A | 125µJ (off) | 16 NC | 12,5ns / 105ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC8H065B-TR | 3.0900 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | STPSC8 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,75 V @ 8 A | 0 ns | 80 µA à 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 8a | 414pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS6PF30L | - | ![]() | 6182 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | STS6P | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 6A (TC) | 5v, 10v | 30MOHM @ 3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 28 NC @ 5 V | ± 16V | 1670 PF @ 25 V | - | 2,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYT261PIV-1000 | - | ![]() | 5861 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Soutenir de châssis | Isotop | BYT261 | Standard | Isotop® | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 1000 V | 60A | 1,9 V @ 60 A | 170 ns | 100 µA à 1000 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJ4035 | - | ![]() | 2861 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | En gros | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | To-204aa, to-3 | MJ40 | 150 W | To-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 V | 16 A | 3MA | Npn - darlington | 4V @ 80mA, 16A | 1000 @ 10A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bur51 | - | ![]() | 9369 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 200 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | To-204aa, to-3 | Bur51 | 350 W | To-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 200 V | 60 A | 1 mA | NPN | 1,5 V @ 5A, 50A | 20 @ 5A, 4V | 16 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2STF2280 | 0,3500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 2STF22 | 1,4 w | SOT-89 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 500 | 80 V | 2 A | 1 mA | Pnp | 250 MV à 100MA, 1A | 140 @ 100mA, 2V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTA12-700BWRG | 1.9200 | ![]() | 982 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless ™ | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | BTA12 | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Célibataire | 50 mA | Alternative - Snubberless | 700 V | 12 A | 1,3 V | 120a, 126a | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACS110-7SB2 | - | ![]() | 9376 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | ASD ™ | Tube | Obsolète | -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | ACS110 | 8-Dil | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 000 | Célibataire | 45 Ma | Logique - Porte sensible | 700 V | 1 a | 1 V | 8a, 11a | 10 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP28N60DM2 | 3,9000 | ![]() | 1550 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP28 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-16348-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 160MOHM @ 10.5A, 10V | 5V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 25V | 1500 pf @ 100 V | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD84010-E | - | ![]() | 9238 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 40 V | Powerso-10rf Pad Exposé pour (2 leads FORMES) | PD84010 | 870 MHz | LDMOS | Powerso-10rf (Plomb Formé) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 8a | 300 mA | 2W | 16,3 dB | - | 7,5 V |
Volume de RFQ moyen quotidien
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