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Produits semi-conduurs discrètes (6390)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Max | Courant - Hold (IH) (Max) | Condition de test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) | Type Scr | Silhouette | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Résistance @ si, f | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Dmv1500lfd | - |  | 6437 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | À 220-3 EXCHET | DMV1500 | À 220fpab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-4194-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 4 A | - | Connexion de Série de 1 Paire Standard | 1500 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STFU11N65M2 | 1.0630 | | 9434 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | STFU11 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A2P75S12M3-F | 82.9000 | | 5058 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | A2P75 | 454,5 W | Standard | ACEPACK ™ 2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-17745 | EAR99 | 8541.29.0095 | 18 | Onduleur Triphasé | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 75 A | 2.3V @ 15V, 75A | 100 µA | Oui | 4.7 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STP170N8F7 | 3.3500 | | 118 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ F7 | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP170 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 120A (TC) | 10V | 3,9MOHM @ 60A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 8710 PF @ 40 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP5N120 | - | | 4354 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP5N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 1200 V | 4.7A (TC) | 10V | 3,5 ohm @ 2,3a, 10v | 5V @ 100µA | 55 NC @ 10 V | ± 30V | 120 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STL220N3llh7 | - | | 4598 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL220 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 220A (TC) | 4,5 V, 10V | 1.1MOHM @ 25A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 46 NC @ 4,5 V | ± 20V | 8650 pf @ 25 V | - | 113W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STV160NF03LAT4 | - | | 3612 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Support de surface | Paders Powerso-10 Exposé | STV160 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10 Powerso | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal n | 30 V | 160a (TC) | 5v, 10v | 3MOHM @ 80A, 10V | 1V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 15V | 5350 pf @ 25 V | - | 210W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STS10N3LH5 | 1.3400 | | 7200 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ V | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | STS10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 10A (TC) | 4,5 V, 10V | 21MOHM @ 5A, 10V | 1V @ 250µA | 4.6 NC @ 5 V | ± 22V | 475 PF @ 25 V | - | 2,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STH150N10F7-2 | 3.8300 | | 1919 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STH150 | MOSFET (Oxyde Métallique) | H2pak-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 110a (TC) | 10V | 3,9MOHM @ 55A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 117 NC @ 10 V | ± 20V | 8115 PF @ 50 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STGW20NC60V | - | | 600 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STGW20 | Standard | 200 W | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 390V, 20A, 3,3 ohms, 15v | - | 600 V | 60 A | 100 A | 2,5 V @ 15V, 20A | 220µJ (ON), 330 µJ (OFF) | 100 NC | 31ns / 100ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ST13003 | - | | 6739 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | ST13003 | 40 W | SOT-32-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 400 V | 1,5 A | 1 mA | NPN | 1,5 V @ 500mA, 1,5A | 5 @ 1A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T635T-8T | 1.4400 | | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless ™ | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | T635 | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Célibataire | 40 mA | Alternative - Snubberless | 800 V | 6 A | 1,3 V | 45a, 47a | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Stfi10ln80k5 | - | | 8967 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ k5 | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 EXCHET DE PACK, I²PAK | Stfi10ln | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pakfp (à 281) | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | Canal n | 800 V | 8A (TC) | 10V | 630MOHM @ 4A, 10V | 5V @ 100µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 427 pf @ 100 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Std12nm50nd | - | | 1320 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std12 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 500 V | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 5.5a, 10v | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 25V | 850 pf @ 50 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STH10N80K5-2AG | 4.4100 | | 9190 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STH10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | H2pak-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-STH10N80K5-2AGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 8A (TC) | 10V | 680MOHM @ 4A, 10V | 5V @ 100µA | 17.3 NC @ 10 V | ± 30V | 426 PF @ 100 V | - | 121W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP80NF55L-06 | - | | 8249 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 80A (TC) | 5v, 10v | 6,5 mohm @ 40a, 10v | 1V @ 250µA | 136 NC @ 5 V | ± 16V | 4850 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW200NF03 | - | | 8608 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW200 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal n | 30 V | 120A (TC) | 10V | 2,8MOHM @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 280 NC @ 10 V | ± 20V | 10000 pf @ 25 V | - | 350W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STF12NM50ND | - | | 9454 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH ™ II | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF12 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 5.5a, 10v | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 25V | 850 pf @ 50 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STBV42G-AP | - | | 6148 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | Stbv42 | 1 W | To-92ap | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 400 V | 1 a | 1 mA | NPN | 1,5 V @ 250mA, 750mA | 10 @ 400mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STPSC12C065DY | 4.2600 | | 154 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, EcoPack®2 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | STPSC12 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 650 V | 1,75 V @ 12 A | 120 µA à 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 12A | 530pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STPS10L25G-TR | 2.3900 | | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STPS10 | Schottky | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 25 V | 460 MV @ 10 A | 800 µA @ 25 V | 150 ° C (max) | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STL12N3llh5 | - | | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ V | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL12 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 12 NC @ 4,5 V | ± 22V | 1500 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Std25nf10lt4 | 2.1900 | | 2357 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 25a (TC) | 4,5 V, 10V | 35MOHM @ 12,5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 52 NC @ 5 V | ± 16V | 1710 PF @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STFH18N60M2 | 2.3900 | | 352 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STFH18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 46 | Canal n | 600 V | 13A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250µA | 21,5 NC @ 10 V | ± 25V | 791 PF @ 100 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN805-600B | - | | 4449 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TN805 | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 75 | 25 mA | 600 V | 8 A | 1,3 V | 70a, 73a | 5 mA | 1,6 V | 5 a | 5 µA | Norme de rénovation | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STQ1HNK60R-AP | 0,6700 | | 3 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Ruban de Coupé (CT) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | STQ1HNK60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 600 V | 400mA (TC) | 10V | 8,5 ohm @ 500mA, 10V | 3,7 V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 156 pf @ 25 V | - | 3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STW7N90K5 | 3.0700 | | 600 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ k5 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW7N90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-17081 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 900 V | 7a (TC) | 10V | - | 5V @ 100µA | ± 30V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STTH3L06 | 0,8600 | | 24 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | STTH3 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 A | 85 ns | 3 µA à 600 V | 175 ° C (max) | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGB7NC60HDT4 | 2.3700 | | 9276 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STGB7 | Standard | 80 W | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 390V, 7A, 10OHM, 15V | 37 ns | - | 600 V | 25 A | 50 a | 2,5 V @ 15V, 7A | 95 µJ (ON), 115µJ (OFF) | 35 NC | 18,5ns / 72ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SGT65R65AL | 8.9600 | | 1557 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 650 V | Support de surface | 8 powervdfn | Sgt65 | - | Gan Hemt | Powerflat ™ (5x6) HV | télécharger | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 500NA | 5W | - | - | 400 V |
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