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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test
STP3HNK90Z	-	RFQ	4589	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP3HN			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n							800 V	3A (TC)	10V	4,2 ohm @ 1,5a, 10v	4,5 V @ 50µA	35 NC @ 10 V	± 30V	690 pf @ 25 V	-	90W (TC)
STO52N60DM6	4.5000	RFQ	4980	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 Powersfn	STO52			MOSFET (Oxyde Métallique)		Toll (HV)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-sto52n60dm6	EAR99	8541.29.0095	1 800			Canal n							600 V	45A (TC)	10V	78MOHM @ 22,5A, 10V	4,75 V @ 250µA	52 NC @ 10 V	± 25V	2468 pf @ 100 V	-	305W (TC)
RF5L15120CB4	163.3500	RFQ	3024	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	95 V		Soutenir de châssis	LBB	RF5L15120		1,5 GHz	LDMOS		LBB	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	497-RF5L15120CB4TR			100				1 µA			100 mA	120W	20 dB																					-																		50 V
Std9hn65m2	-	RFQ	6351	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ m2	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std9h			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n							650 V	5.5A (TC)	10V	820 mOhm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	11,5 NC @ 10 V	± 25V	325 pf @ 100 V	-	60W (TC)
STP9N80K5	1.4205	RFQ	7504	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ k5	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP9N80			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n							800 V	7a (TC)	10V	900mohm @ 3,5a, 10v	5V @ 100µA	12 NC @ 10 V	± 30V	340 PF @ 100 V	-	110W (TC)
STB11NM80T4	7.9400	RFQ	2228	Stmicroelectronics	MDMESH ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB11			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n							800 V	11a (TC)	10V	400mohm @ 5.5a, 10v	5V @ 250µA	43,6 NC @ 10 V	± 30V	1630 pf @ 25 V	-	150W (TC)
STGWA30N120KD	-	RFQ	2201	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Stgwa30	Standard			220 W	À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30						960V, 20A, 10OHM, 15V																													84 ns					-	1200 V	60 a	100 A	3,85 V @ 15V, 20A	2,4mj (on), 4,3mj (off)	105 NC	36ns / 251ns
STGW60H65DFB-4	6.3100	RFQ	5167	Stmicroelectronics	HB	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-4	STGW60	Standard			375 W	À 247-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	600						400V, 60A, 10OHM, 15V																													60 ns					Arête du Champ de Tranché	650 V	80 A	240 A	2V @ 15V, 60A	346µJ (ON), 1 161MJ (OFF)	306 NC	65ns / 261ns
TN5050H-12PI	5.6100	RFQ	9929	Stmicroelectronics	Ecopack®2	Tube	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	Top-3	TN5050					Top3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-TN5050H-12pi	EAR99	8541.30.0080	30					100 mA																1,2 kV	40 A	1,5 V	400A, 420A	50 mA	1,75 V	25 A		Norme de rénovation
STH400N4F6-6	-	RFQ	5436	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	STH400			MOSFET (Oxyde Métallique)		H2PAK-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n							40 V	180a (TC)	10V	1 15 mOhm @ 60a, 10v	4,5 V @ 250µA	404 NC @ 10 V	± 20V	20500 PF @ 25 V	-	300W (TC)
STF120NF10	3.9800	RFQ	711	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF12			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n							100 V	41A (TC)	10V	10,5 mohm @ 60a, 10v	4V @ 250µA	233 NC @ 10 V	± 20V	5200 pf @ 25 V	-	45W (TC)
Std14nm50nag	2.0100	RFQ	2419	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std14			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n							500 V	12A (TC)	10V	320 mohm @ 6a, 10v	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	± 25V	816 pf @ 50 V	-	90W
STP6N65M2	1.1900	RFQ	957	Stmicroelectronics	MDMESH ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STP6N			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n							650 V	4A (TC)	10V	1,35 ohm @ 2a, 10v	4V @ 250µA	9.8 NC @ 10 V	± 25V	226 PF @ 100 V	-	60W (TC)
STFI13N80K5	-	RFQ	4352	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ k5	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 EXCHET DE PACK, I²PAK	STFI13N			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pakfp (à 281)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n							800 V	12A (TC)	10V	450mohm @ 6a, 10v	5V @ 100µA	29 NC @ 10 V	± 30V	870 pf @ 100 V	-	35W (TC)
Let9060STR	-	RFQ	553	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	80 V			Powerso-10rf Pad Exposé de la	Let9060		960 MHz	LDMOS		Powerso-10rf (Tête Droite)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	600				12A			300 mA	60W	17.2db																					-																		28 V
BYW51G-200-TR	-	RFQ	3837	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	BYW51			Standard		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																													1 paire la commune de cathode	200 V	10A	850 MV @ 8 A	35 ns	15 µA @ 200 V	150 ° C (max)
STW6N90K5	2.8900	RFQ	8303	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ k5	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW6N90			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-17077	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n							900 V	6A (TC)	10V	1,1 ohm @ 3a, 10v	5V @ 100µA		± 30V		-	110W (TC)
Std7n65m2	1.7100	RFQ	73	Stmicroelectronics	MDMESH ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std7n65			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n							650 V	5A (TC)	10V	1,15 ohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	9 NC @ 10 V	± 25V	270 pf @ 100 V	-	60W (TC)
P0102AL 5AA4	0,8700	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	P0102					SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	3 000					6 mA																100 V	250 mA	800 mV	6a, 7a	200 µA	1,7 V	160 mA	1 µA	Porte sensible
STTH30R04G-TR	2.9200	RFQ	96	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STTH30			Standard		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																														400 V		1 45 V @ 30 A	100 ns	15 µA à 400 V	-40 ° C ~ 175 ° C	30A	-
STL57N65M5	11.4800	RFQ	2950	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	STL57			MOSFET (Oxyde Métallique)		Powerflat ™ (8x8) HV	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n							650 V	4.3A (TA), 22,5A (TC)	10V	69MOHM @ 20A, 10V	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 25V	4200 pf @ 100 V	-	2.8W (TA), 189W (TC)
STF3N62K3	1.0600	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh3 ™	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF3N62			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n							620 V	2.7A (TC)	10V	2,5 ohm @ 1,4a, 10v	4,5 V @ 50µA	13 NC @ 10 V	± 30V	385 pf @ 25 V	-	20W (TC)
STF18N60M6	2.5500	RFQ	39	Stmicroelectronics	MDMESH ™ M6	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF18			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-19057	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n							600 V	13A (TC)	10V	280mohm @ 6.5a, 10v	4,75 V @ 250µA	16,8 NC @ 10 V	± 25V	650 pf @ 100 V	-	25W (TC)
STL28N60M2	1.8081	RFQ	8127	Stmicroelectronics	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif					STL28						-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000
LET9060S	56.8300	RFQ	24	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	80 V			Powerso-10rf Pad Exposé de la	Let9060		960 MHz	LDMOS		Powerso-10rf (Tête Droite)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50				12A			300 mA	60W	17.2db																					-																		28 V
BYW98-200RL	-	RFQ	8232	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Par le trou	DO-201D, axial	BYW98			Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 900		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																														200 V		1,2 V @ 9 A	35 ns	10 µA @ 200 V	150 ° C (max)	3A	-
Acst410-8btr	0,8800	RFQ	34	Stmicroelectronics	ACS ™ / ASD®	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Acst410					Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	2 500	Célibataire				20 mA															Logique - Porte sensible	800 V	4 A	1 V	30a, 32a	10 mA
STTH1003G	-	RFQ	7088	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STTH10			Standard		D2pak	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																													1 paire la commune de cathode	300 V	10A	1,3 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 300 V	-
SPV1520N	-	RFQ	8276	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SPV1520			Standard		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3 000		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																														20 V		140 MV @ 16 A		10 µA @ 20 V	-40 ° C ~ 175 ° C	16A	-
STPS4030CT	-	RFQ	9067	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 220-3	STPS403			Schottky		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																													1 paire la commune de cathode	30 V	20A	490 MV @ 20 A		1 ma @ 30 V	150 ° C (max)