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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Hold (IH) (Max) | Condition de test | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Silhouette | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | PD55025S-E | 29.6600 | ![]() | 8338 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | 40 V | Paders Powerso-10 Exposé | PD55025 | 500 MHz | LDMOS | Powerso-10rf (Tête Droite) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 7a | 200 mA | 25W | 14,5 dB | - | 12,5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T635T-8FP | 1.5300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless ™ | Tube | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | T635 | À 220fpab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Célibataire | 40 mA | Alternative - Snubberless | 800 V | 6 A | 1,3 V | 45a, 47a | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTA24-600CW | - | ![]() | 1578 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless ™ | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | BTA24 | À 220 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 250 | Célibataire | 50 mA | Alternative - Snubberless | 600 V | 25 A | 1,3 V | 250a, 260a | 35 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP4N150 | 6.4600 | ![]() | 2500 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP4N150 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-5091-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 1500 V | 4A (TC) | 10V | 7OHM @ 2A, 10V | 5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB35N65DM2 | 6.9000 | ![]() | 8700 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m2 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB35 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 28a (TC) | 10V | 110MOHM @ 14A, 10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 25V | 2400 PF @ 100 V | - | 210W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2000af | - | ![]() | 7906 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | S2000 | 50 W | To-3pf | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 700 V | 8 A | 200 µA | NPN | 5V @ 1A, 4.5A | 4.5 @ 4.5a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP8NK85Z | - | ![]() | 9098 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP8N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 850 V | 6.7A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 3 35a, 10v | 4,5 V @ 100µA | 60 NC @ 10 V | ± 30V | 1870 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB43N60DM2 | 3.4205 | ![]() | 2825 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB43 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 34A (TC) | 10V | 93MOHM @ 17A, 10V | 5V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 25V | 2500 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH152RL | - | ![]() | 3824 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | STTH152 | Standard | Do-15 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 1,5 A | 32 ns | 1,5 µA à 200 V | 175 ° C (max) | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL20N6F7 | 1 4000 | ![]() | 8948 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ F7 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 100A (TC) | 10V | 5.4MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T3035H-8T | 2.4600 | ![]() | 977 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless ™ | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | T3035 | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Célibataire | 60 mA | Alternative - Snubberless | 800 V | 30 A | 1,3 V | 283a, 270a | 35 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stgw40v60df | 4.2900 | ![]() | 9469 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STGW40 | Standard | 283 W | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-13766-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 10 ohms, 15v | 41 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 80 A | 160 A | 2.3 V @ 15V, 40A | 456µJ (ON), 411µJ (OFF) | 226 NC | 52ns / 208ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sti360n4f6 | - | ![]() | 1417 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Sti360n | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 10V | 1,8MOHM @ 60A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 340 NC @ 10 V | ± 20V | 17930 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Std4n90k5 | 1.9300 | ![]() | 264 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std4n90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 900 V | 3A (TC) | 10V | 2.1OHM @ 1A, 10V | 5V @ 100µA | 5.3 NC @ 10 V | ± 30V | 173 PF @ 100 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT41 | 0,4000 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | BAT41 | Schottky | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 4 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 450 mV @ 1 mA | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 100 mA | 2pf @ 1v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Std3ln80k5 | 1.5200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std3ln80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 800 V | 2A (TC) | 10V | 3,25 ohm @ 1A, 10V | 5V @ 100µA | 2,63 NC @ 10 V | ± 30V | 102 PF @ 100 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STL16N65M5 | 4.5800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL16 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (8x8) HV | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 650 V | 12A (TC) | 10V | 299MOHM @ 6A, 10V | 5V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 25V | 1250 pf @ 100 V | - | 3W (TA), 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP2N105K5 | - | ![]() | 9238 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ k5 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP2N105 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 1050 V | 1.5A (TC) | 10V | 8OHM @ 750mA, 10V | 5V @ 100µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 115 PF @ 100 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP11NM60ND | 4.2800 | ![]() | 3099 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH ™ II | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-8442-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 10A (TC) | 10V | 450mohm @ 5a, 10v | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 25V | 850 pf @ 50 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS660DDJFY-TR | - | ![]() | 4485 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 8 powervdfn | STPS660 | Schottky | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 60 V | 3.5a | 800 mV @ 6 a | 150 µA à 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LET20030C | 80,6000 | ![]() | 43 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Boîte | Obsolète | 80 V | M243 | Let20030 | 2 GHz | LDMOS | M243 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 9A | 400 mA | 45W | 13,9 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH12003TV1 | 23.5600 | ![]() | 5534 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | Soutenir de châssis | Isotop | STTH12003 | Standard | Isotop® | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 300 V | 60A | 1,25 V @ 60 A | 70 ns | 120 µA à 300 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH12R06D | 2.0500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | STTH12 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2,9 V @ 12 A | 45 ns | 45 µA à 600 V | 175 ° C (max) | 12A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF4L15400CB4 | 217.8000 | ![]() | 1394 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | En gros | Actif | 90 V | Soutenir de châssis | D4e | RF4L15400 | 1,2 GHz ~ 1,5 GHz | LDMOS | D4e | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 497-RF4L15400CB4 | 100 | - | 1 µA | 1,5 A | 400W | 18,5 dB | - | 40 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH3002CPI | - | ![]() | 5032 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | Top 3 isolé | STTH30 | Standard | Top-3i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 497-5278-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 15A | 1.05 V @ 15 A | 22 ns | 20 µA @ 200 V | 175 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS1045RL | - | ![]() | 5811 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | STPS1045 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW68N60M6-4 | 8.1169 | ![]() | 7250 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-4 | STW68 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal n | 600 V | 63a (TC) | 10V | 41mohm @ 31,5a, 10v | 4,75 V @ 250µA | 106 NC @ 10 V | ± 25V | 4360 PF @ 100 V | - | 390W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS15H100CB | 1,7000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | STPS15 | Schottky | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 7.5a | 800 mV à 7,5 A | 3 µA à 100 V | 175 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ST16010 | 45.3750 | ![]() | 3068 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | En gros | Actif | 90 V | Support de surface | MM | ST160 | 1,6 GHz | LDMOS | MM | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 497-ST16010 | 300 | - | 1 µA | 10W | 23 dB | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP13NK60Z | 2.7900 | ![]() | 998 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP13 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 13A (TC) | 10V | 550mohm @ 4,5a, 10v | 4,5 V @ 100µA | 92 NC @ 10 V | ± 30V | 2030 pf @ 25 V | - | 150W (TC) |
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