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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Std12n60m6	1.0473	RFQ	7177	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Std12			MOSFET (Oxyde Métallique)		DPAK (à 252)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-STD12N60M6	EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n										600 V	9A (TC)	10V	450mohm @ 4,5a, 10v	4,75 V @ 250µA	12.3 NC @ 10 V	± 25V	452 PF @ 100 V	-	96W (TC)
RF5L05950CF2	135.0000	RFQ	1643	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif	50 V		Support de surface	C2		RF5L05950		1,5 GHz	LDMOS		C2	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-RF5L05950CF2			100	Canal n			-				2500W	50 dB																							-
STAC1011-500	208.7250	RFQ	8570	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif	110 V		Support de surface	STAC780-4F		Stac1011		700 MHz ~ 1,2 GHz	LDMOS		STAC780-4F	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-STAC1011-500			80	Canal n			1 µA			200 mA	500W	16 dB																							-																50 V
Stib1060dm2t-lz	13.2066	RFQ	6110	Stmicroelectronics	SLLIMM - 2E	En gros	Actif			Par le trou	Module 26-Powerdip (1 146 ", 29,10 mm)	Mosfet	Stib1060						-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-STIB1060DM2T-LZ	EAR99	8542.39.0001	156	Onduleur Triphasé									12.5 A	600 V	1600 VRM
STL195N4F7AG	1.0548	RFQ	2614	Stmicroelectronics	-	En gros	Actif						STL195						-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	497-STL195N4F7AG			3 000
STGW45HF60WD	-	RFQ	8934	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		STGW45	Standard			250 W	À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-10403-5	EAR99	8541.29.0095	30						400V, 30A, 6,8 ohms, 15v																															55 ns			-	600 V	70 A	150 a	2,5 V @ 15V, 30A	300 µJ (ON), 330 µJ (OFF)	160 NC	30ns / 145ns
BUV20	-	RFQ	8596	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	To-204aa, to-3		BUV20				250 W	To-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	20																																									125 V	50 a							3MA	NPN	1,2 V @ 5A, 50A	20 @ 25a, 2v	8 MHz
STW14NM65N	-	RFQ	5515	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		STW14N			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n										650 V	12A (TC)	10V	380MOHM @ 6A, 10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 25V	1300 pf @ 50 V	-	125W (TC)
Std25nf10t4	1.8400	RFQ	6337	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Std25			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n										100 V	25a (TC)	10V	38MOHM @ 12,5A, 10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	± 20V	1550 pf @ 25 V	-	100W (TC)
STF40NF20	3.7700	RFQ	1569	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		STF40			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-5805-5	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n										200 V	40A (TC)	10V	45MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 25 V	-	40W (TC)
STS4DNF60	-	RFQ	1776	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		STS4D			MOSFET (Oxyde Métallique)	2W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)												60V	4A		90MOHM @ 2A, 10V	4V @ 250µA	10nc @ 10v		315pf @ 25v	Porte de Niveau Logique
Stgb10h60df	1.9100	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		STGB10	Standard			115 W	D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000						400 V, 10A, 10OHM, 15V																															107 ns			Arête du Champ de Tranché	600 V	20 a	40 A	1,95 V @ 15V, 10A	83 µJ (ON), 140 µJ (OFF)	57 NC	19,5ns / 103ns
Std9n40m2	1.1500	RFQ	9238	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II Plus	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Std9			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n										400 V	6A (TC)	10V	800MOHM @ 3A, 10V	4V @ 250µA	8,8 NC @ 10 V	± 25V	270 pf @ 100 V	-	60W (TC)
STP24N65M2	-	RFQ	4368	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ m2	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		STP24N			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n										650 V	16A (TC)	10V	230MOHM @ 8A, 10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 25V	1060 pf @ 100 V	-	150W (TC)
STFI34NM60N	-	RFQ	5720	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 EXCHET DE PACK, I²PAK		STFI34N			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pakfp (à 281)	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n										600 V	29A (TC)	10V	105MOHM @ 14,5A, 10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	± 25V	2722 PF @ 100 V	-	40W (TC)
STP50N65DM6	-	RFQ	2838	Stmicroelectronics	MDMESH ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		STP50			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n										650 V	33A (TC)	10V	91mohm @ 16,5a, 10v	4,75 V @ 250µA	52,5 NC @ 10 V	± 25V	2300 pf @ 100 V	-	250W (TC)
PD20010S-E	-	RFQ	3730	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	40 V			Powerso-10rf Pad Exposé de la		PD20010		2 GHz	LDMOS		Powerso-10rf (Tête Droite)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50				5A			150 mA	10W	11db																							-																13,6 V
X0402MB	0,5500	RFQ	4	Stmicroelectronics	Ecopack2	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63							Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	2 500					5 mA																		600 V	4 A	800 mV	30a, 33a	200 µA	1,8 V	2.5 A	5 µA	Porte sensible
STPS61L60CW	3.8300	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif			Par le trou	À 247-3		STPS61			Schottky		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																															1 paire la commune de cathode	60 V	30A	660 MV @ 30 A		800 µA @ 60 V	150 ° C (max)
STP15NK50ZFP	-	RFQ	1474	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Tube	Obsolète		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		STP15N			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n										500 V	14A (TC)	10V	340MOHM @ 7A, 10V	4,5 V @ 100µA	106 NC @ 10 V	± 30V	2260 pf @ 25 V	-	40W (TC)
STGW25S120DF3	9.0800	RFQ	25	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		STGW25	Standard			375 W	À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30						600V, 25A, 15OHM, 15V																															265 ns			Arête du Champ de Tranché	1200 V	50 a	100 A	2.1V @ 15V, 25A	830 µJ (ON), 2 37MJ (OFF)	80 NC	31ns / 147ns
PD55035-E	-	RFQ	4649	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	40 V			Powerso-10rf Pad Exposé pour (2 leads FORMES)		PD55035		500 MHz	LDMOS		Powerso-10rf (Plomb Formé)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50				7a			200 mA	35W	16,9 dB																							-																12,5 V
STL24NM60N	4.4400	RFQ	6	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn		STL24			MOSFET (Oxyde Métallique)		Powerflat ™ (8x8) HV	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n										600 V	3.3A (TA), 16A (TC)	10V	215MOHM @ 8A, 10V	5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	± 25V	1400 pf @ 50 V	-	3W (TA), 125W (TC)
Stwa57n65m5	10.7700	RFQ	100	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		STWA57			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-13604-5	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n										650 V	42A (TC)	10V	63MOHM @ 21A, 10V	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	± 25V	4200 pf @ 100 V	-	250W (TC)
STPS60L40CW	-	RFQ	4652	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 247-3		STPS60			Schottky		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																															1 paire la commune de cathode	40 V	30A	550 MV @ 30 A		1,5 Ma @ 40 V	150 ° C (max)
Std50n03l-1	-	RFQ	1596	Stmicroelectronics	Stripfet ™ III	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		Std50n			MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75			Canal n										30 V	40A (TC)	5v, 10v	10,5 mohm @ 20a, 10v	1V @ 250µA	14 NC @ 5 V	± 20V	1434 PF @ 25 V	-	60W (TC)
Stgwt80v60f	5.7600	RFQ	205	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		STGWT80	Standard			469 W	To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30						400V, 80A, 10OHM, 15V																																		Arête du Champ de Tranché	600 V	120 A	240 A	2.3V @ 15V, 80A	1,8mj (on), 1mj (off)	448 NC	60ns / 220ns
STB9NK60ZT4	3.2100	RFQ	8299	Stmicroelectronics	SuperMesh ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Stb9			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n										600 V	7a (TC)	10V	950mohm @ 3,5a, 10v	4,5 V @ 100µA	53 NC @ 10 V	± 30V	1110 PF @ 25 V	-	125W (TC)
BTW69-1200N	6.9900	RFQ	494	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C	Par le trou	Top-3		BTW69					Top3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-13986-5	EAR99	8541.30.0080	30					100 mA																		1,2 kV	50 a	1,3 V	700a, 763a	50 mA	1,6 V	31 A	10 µA	Norme de rénovation
STB21NM50N-1	-	RFQ	6326	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa					MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n										500 V	18A (TC)	10V	190MOHM @ 9A, 10V	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	± 25V	1950 PF @ 25 V	-	140W (TC)