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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Hold (IH) (Max) | Condition de test | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Silhouette | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test |
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![]() | STD15N65M5 | 5.0500 | ![]() | 5074 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 650 V | 11a (TC) | 10V | 340mohm @ 5.5a, 10v | 5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 25V | 816 pf @ 100 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW77N65M5 | 17.7300 | ![]() | 565 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW77 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 69a (TC) | 10V | 38MOHM @ 34,5A, 10V | 5V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | 25V | 9800 PF @ 100 V | - | 400W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB47N50DM6AG | 6.5900 | ![]() | 5070 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM6 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB47 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 38A (TC) | 10V | 71MOHM @ 19A, 10V | 5V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 25V | 2300 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB45NF06T4 | 1.7400 | ![]() | 6265 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | STB45 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 38A (TC) | 10V | 28MOHM @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 1730 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF7N60DM2 | 1.5200 | ![]() | 2071 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 6A (TC) | 10V | 900MOHM @ 3A, 10V | 4,75 V @ 250µA | 7,5 NC @ 10 V | ± 25V | 324 pf @ 100 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STQ3N45K3-AP | - | ![]() | 1464 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3 ™ | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | STQ3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 450 V | 600mA (TC) | 10V | 3,8 ohm @ 500mA, 10V | 4,5 V @ 50µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB24N65M2 | - | ![]() | 3440 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m2 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB24N | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 16A (TC) | 10V | 230MOHM @ 8A, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 25V | 1060 pf @ 100 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGFW35HF60W | 6.9000 | ![]() | 285 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | STGFW35 | Standard | 88 W | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20A, 10OHM, 15V | - | 600 V | 36 A | 150 a | 2,5 V @ 15V, 20A | 290 µJ (ON), 185 µJ (off) | 140 NC | 30ns / 175ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Let9120 | - | ![]() | 7638 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Plateau | Obsolète | 80 V | M246 | Let9120 | 860 MHz | LDMOS | M246 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 18a | 400 mA | 150W | 18 dB | - | 32 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW23NM60ND | - | ![]() | 3838 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH ™ II | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW23N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-8454-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 600 V | 19,5A (TC) | 10V | 180MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 25V | 2050 PF @ 50 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD2931-11W | 67.1550 | ![]() | 4432 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Plateau | Actif | 125 V | M244 | SD2931 | 175 MHz | Mosfet | M244 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 20A | 250 mA | 150W | 15 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW62N65M5 | 14.4700 | ![]() | 4549 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ V | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW62 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 46A (TC) | 10V | 49MOHM @ 23A, 10V | 5V @ 250µA | 142 NC @ 10 V | ± 25V | 6420 PF @ 100 V | - | 330W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF23N80K5 | 5.4700 | ![]() | 43 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ k5 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF23 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-16305-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 16A (TC) | 10V | 280MOHM @ 8A, 10V | 5V @ 100µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL86N3LLH6AG | 1.0131 | ![]() | 1416 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ H6 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL86 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,2MOHM @ 10.5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 17 NC @ 4,5 V | ± 20V | 2030 pf @ 25 V | - | 4W (TA), 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW10N105K5 | 4.6500 | ![]() | 2143 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh k5 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1050 V | 6A (TC) | 10V | 1,3 ohm @ 3a, 10v | 5V @ 100µA | 21,5 NC @ 10 V | 30V | 545 PF @ 100 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STLD125N4F6AG | 3.4400 | ![]() | 2983 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ F6 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | STLD125 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Double Côté Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-17147-2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 6,5 V, 10V | 3MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 1MA | 91 NC @ 10 V | ± 20V | 5600 pf @ 10 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS40M80CR | - | ![]() | 2650 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | STPS40 | Schottky | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 20A | 735 MV @ 20 A | 65 µA @ 80 V | 175 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STU60N3LH5 | - | ![]() | 3426 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ V | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STU60N | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 30 V | 48A (TC) | 5v, 10v | 8,4MOHM @ 24A, 10V | 3V à 250µA | 8,8 NC @ 5 V | ± 20V | 1620 PF @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1010H-6G | 0,5448 | ![]() | 9764 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | T1010 | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 000 | Célibataire | 25 mA | Logique - Porte sensible | 600 V | 10 a | 1 V | 100A, 105A | 10 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stp3ln62k3 | 0,9800 | ![]() | 964 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3 ™ | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Stp3ln | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 620 V | 2.5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1 25A, 10V | 4,5 V @ 50µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 386 pf @ 50 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stgp10nc60 | 2.6000 | ![]() | 883 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STGP10 | Standard | 62,5 W | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V, 5A, 10OHM, 15V | - | 600 V | 21 A | 25 A | 1,65 V @ 15V, 5A | 60 µJ (ON), 340 µJ (OFF) | 18 NC | 19ns / 160ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU8N65M5 | - | ![]() | 2756 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Stu8n | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-11365-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600 mOhm @ 3,5a, 10v | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 690 pf @ 100 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW56N65DM2 | 11.7000 | ![]() | 375 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW56 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 48A (TC) | 10V | 65MOHM @ 24A, 10V | 5V @ 250µA | 88 NC @ 10 V | ± 25V | 4100 pf @ 100 V | - | 360W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SD2933-03 | - | ![]() | 6460 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Plateau | Obsolète | 125 V | M177 | SD2933 | 30 MHz | Mosfet | M177 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 40a | 250 mA | 300W | 23,5 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB45N30M5 | 6.9800 | ![]() | 262 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M5 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB45 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 300 V | 53A (TC) | 10V | 40 mOhm @ 26,5a, 10v | 5V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 25V | 4240 PF @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB100N10F7 | 2.8500 | ![]() | 3845 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 80A (TC) | 10V | 8MOHM @ 40A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 4369 PF @ 50 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STH320N4F6-6 | 2.7377 | ![]() | 3981 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) | STH320 | MOSFET (Oxyde Métallique) | H2PAK-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 40 V | 200A (TC) | 10V | 1,3MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 13800 pf @ 15 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB200NF04L | - | ![]() | 7216 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB200N | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 5v, 10v | 3,5 mohm @ 50a, 10v | 4V @ 250µA | 90 NC @ 4,5 V | ± 16V | 6400 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stgb6nc60hd-1 | - | ![]() | 4313 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Stgb6 | Standard | 56 W | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 390V, 3A, 10OHM, 15V | 21 ns | - | 600 V | 15 A | 21 A | 2,5 V @ 15V, 3A | 20µJ (ON), 68µJ (OFF) | 13,6 NC | 12ns / 76ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stgib10ch60ts-e | 12.9585 | ![]() | 3721 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SLLIMM ™ | Tube | Actif | Par le trou | Module 26-Powerdip (1 327 ", 33,70 mm) | Igbt | Stgib10 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.39.0001 | 156 | Onduleur Triphasé | 15 A | 600 V | 1500 VRM |
Volume de RFQ moyen quotidien
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